2N7002VC/VAC
双N沟道增强型场效应晶体管
特点
双N沟道MOSFET
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
超小型表面贴装封装
铅的设计免费/符合RoHS （注3 ）
“绿色”设备（注4 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
SOT-563
新产品
案例： SOT- 563
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑
化合物。 UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
终端连接：见图（注1 ）
码头：完成 - 雾锡比退火铜引线框架。
每MIL -STD- 202方法208
标识信息：请参阅第2页
订购信息：见第2页
重量：0.003克数（近似值）
D
2
G
1
S
1
D
2
S
1
G
1
S
2
G
2
D
1
G
2
S
2
D
1
顶视图
2N7002VC
（ ASK标识代码）
2N7002VAC
（ AYK标识代码）
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
DGR
连续
脉冲
连续
脉冲
V
GSS
I
D
I
DM
价值
60
60
±20
±40
280
1.5
单位
V
V
V
mA
A
特征
漏源电压
漏极 - 栅极电压
GS
≤
1.0MΩ
栅源电压（注2 ）
漏电流（注2 ）
漏电流（注2 ）
热特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
P
d
R
θ
JA
T
j,
T
英镑
价值
150
833
-55到+150
单位
mW
° C / W
°C
特征
总功耗
热阻，结到环境
工作和存储温度范围
电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
D（关闭）
民
60
1.0
0.5
80
典型值
70
1.0
最大
1.0
500
±100
2.5
7.5
13.5
50
25
5.0
20
20
单位
V
A
nA
V
Ω
A
mS
pF
pF
pF
ns
ns
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 10毫安
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 5V ，我
D
= 0.05A,
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.5A ，T
j
= 125°C
V
GS
= 10V, V
DS
= 7.5V
V
DS
= 10V ，我
D
= 0.2A
特征
开关特性（注5 ）
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
门体漏
ON特性（注5 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
通态漏电流
正向跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
注意事项：
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
V
DD
= 30V ，我
D
= 0.2A ，R
L
= 150Ω,
V
根
= 10V ，R
根
= 25Ω
1.包装是非偏振光。零件可能会在卷轴中所示的方向，旋转180°或混合型（双向） 。
2.设备安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局文件AP02001 ，这
可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
3.没有故意添加铅。
4.二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
5.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
2N7002VC/VAC
文件编号： DS30639牧师5 - 2
1第3
www.diodes.com
2007年10月
Diodes公司
2N7002VC/VAC
250
P
d
，功耗（毫瓦）
200
150
新产品
100
50
0
-50
0
50
100
T
A
，环境温度（
°
C)
图。 1 ，降额曲线 - 总
150
订购信息
产品型号
2N7002VC-7
2N7002VAC-7
注意事项：
（注6 ）
例
SOT-563
SOT-563
包装
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
6.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
D
2
G
1
S
1
ASK YM
S
2
G
2
D
1
ASK = 2N7002VC产品类型
标识代码（见注1 ）
YM =日期代码标
Y =年份例如： R = 2004年
M =月前： 9 =九月
D
2
S
1
G
1
AYK YM
G
2
S
2
D
1
AYK = 2N7002VAC产品类型
标识代码（见注1 ）
YM =日期代码标
Y =年份例如： R = 2004年
M =月前： 9 =九月
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2004
R
JAN
1
FEB
2
2005
S
MAR
3
2006
T
APR
4
2007
U
五月
5
JUN
6
2008
V
JUL
7
2009
W
八月
8
2010
X
SEP
9
十月
O
2011
Y
NOV
N
2012
Z
DEC
D
包装外形尺寸
A
B C
D
G
K
H
M
SOT-563
DIM MIN
MAX TYP
A
0.15
0.30 0.20
B
1.10
1.25 1.20
C
1.55
1.70 1.60
D
0.50
G
0.90
1.10 1.00
H
1.50
1.70 1.60
K
0.55
0.60 0.60
L
0.10
0.30 0.20
M
0.10
0.18 0.11
尺寸：mm
L
2N7002VC/VAC
文件编号： DS30639牧师5 - 2
2 3
www.diodes.com
2007年10月
Diodes公司
2N7002VC/VAC
拟议的焊盘布局
E
E
新产品
Z
G
C
尺寸值（单位：mm）
Z
2.2
G
1.2
X
0.375
Y
0.5
C
1.7
E
0.5
Y
X
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变更的权利
恕不另行通知任何产品在此。 Diodes公司不承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任
本文描述的;它也没有传达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。的产品中，例如应用程序的用户应
承担所有使用风险，并会同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上的所有公司，
反对一切损害无害。
生命支持
未经明确的书面Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
审批Diodes公司的总裁。
2N7002VC/VAC
文件编号： DS30639牧师5 - 2
3 3
www.diodes.com
2007年10月
Diodes公司
2N7002VC/VAC
无铅绿色
双N沟道增强
型场效应晶体管
新产品
特点
双N沟道MOSFET
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
超小型表面贴装封装
铅的设计免费/符合RoHS （注3 ）
"Green Device" （注4 ）
D
G
B C
A
SOT-563
暗淡
A
B
C
D
G
H
见注1
K
H
M
民
0.15
1.10
1.55
0.90
1.50
0.56
0.10
0.10
最大
0.30
1.25
1.70
0.50
1.10
1.70
0.60
0.30
0.18
典型值
0.25
1.20
1.60
1.00
1.60
0.60
0.20
机械数据
案例： SOT- 563
外壳材料：模压塑料，
“绿色”模塑
化合物。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
终端连接：见图（注1 ）
码头：完成 - 雾锡比退火铜
引线框架。每MIL -STD- 202方法208
标记：见第2页
订购&日期代码信息：参见第2页
重量：0.003克数（近似值）
S
2
G
2
D
2
G
1
K
L
M
L
S
1
D
2
尺寸：mm
S
1
G
1
D
1
G
2
S
2
D
1
2N7002VC
（ ASK标识代码）
2N7002VAC
（ AYK标识代码）
最大额定值
漏源电压
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
DGR
连续
脉冲
连续
脉冲
V
GSS
I
D
I
DM
P
d
R
θJA
T
j
, T
英镑
价值
60
60
±20
±40
280
1.5
150
833
-55到+150
单位
V
V
V
mA
A
mW
° C / W
°C
特征
漏极 - 栅极电压
GS
≤
1.0M
栅源电压（注2 ）
漏电流（注2 ）
漏电流（注2 ）
总功耗
热阻，结到环境
工作和存储温度范围
注意事项：
1.包装是非偏振光。零件可能会在卷轴中所示的方向，旋转180°或混合型（双向） 。
2.设备安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局
文件AP02001 ，它可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
3.没有故意添加铅。
4.二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
DS30639修订版3 - 2
1第3
www.diodes.com
2N7002VC/VAC
Diodes公司
新产品
电气特性
特征
开关特性（注5 ）
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
基本特征（注5 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
通态漏电流
正向跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
DSS
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
D（关闭）
民
60
1.0
0.5
80
典型值
70
1.0
最大
1.0
500
±100
2.5
7.5
13.5
50
25
5.0
20
20
单位
V
A
nA
V
A
mS
pF
pF
pF
ns
ns
V
DD
= 30V ，我
D
= 0.2A,
R
L
= 150, V
根
= 10V,
R
根
= 25
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V
F = 1.0MHz的
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 10A
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 5V ，我
D
= 0.05A,
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.5A ，T
j
= 125°C
V
GS
= 10V, V
DS
= 7.5V
V
DS
= 10V ，我
D
= 0.2A
订购信息
设备
2N7002VC-7
2N7002VAC-7
注意事项：
（注6 ）
包装
SOT-563
SOT-563
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
5.短时测试脉冲用来减小自加热效应。
6.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
D
2
G
1
S
1
ASK YM
S
2
G
2
D
1
ASK = 2N7002VC产品型号标识代码
（见注1 ）
YM =日期代码标
Y =年份例如： R = 2004年
M =月前： 9 =九月
D
2
S
1
G
1
AYK YM
G
2
S
2
D
1
AYK = 2N7002VAC产品型号标识代码
（见注1 ）
YM =日期代码标
Y =年份例如： R = 2004年
M =月前： 9 =九月
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
JAN
1
FEB
2
三月
3
APR
4
五月
5
JUN
6
2004
R
JUL
7
2005
S
八月
8
2006
T
SEP
9
2007
U
十月
O
2008
V
NOV
N
2009
W
DEC
D
DS30639修订版3 - 2
2 3
www.diodes.com
2N7002VC/VAC
QQ：2881677436 复制
