CHENMKO ENTERPRISE CO。 ， LTD。
表面贴装
N沟道增强型网络场效晶体管
电压60伏特
应用
*伺服电机控制。
*功率MOSFET栅极驱动器。
*其他开关应用。
2N7002TPT
当前0.250安培
特征
*小型表面安装型。 （ SC - 75 / SOT- 416 ）
*高密度电池设计低R
DS （ ON）
.
*适用于高封装密度。
*坚固可靠。
*高饱和电流能力。
*电压控制的小信号开关。
1.0±0.1
0.1
0.3±0.05
(3)
(1)
SC-75/SOT-416
0.1
0.2±0.05
0.5 1.6±0.2
0.5
施工
* N沟道增强
0.1
0.2±0.05
0.8±0.1
(2)
0.15±0.05
D
(3)
0.6~0.9
0~0.1
1.6±0.2
0.1Min.
电路
(1)
G
S
(2)
单位：毫米
SC-75/SOT-416
绝对最大额定值
符号
参数
T
A
= 25 ° C除非另有说明
2N7002TPT
单位
V
DSS
漏源电压
60
60
V
V
V
V
DGR
V
GSS
漏，栅极电压（R
GS
＆ LT ; 1M的
)
栅源电压 - 连续
- 不重复（ TP ＆ LT ;为50μs ）
±
20
±
40
250
190
350
220
-55到150
300
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
I
D
P
D
最大漏极电流 - 连续
- 脉冲
最大功率耗散
mA
mW
mW
°C
°C
T
J
,T
英镑
T
L
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的， 16"分之1案件从10秒
热特性
R
θ
JA
热阻，结到环境
556
° C / W
2004-6
额定值特性曲线（ 2N7002TPT ）
电气特性
T
符号
参数
A
= 25 ° C除非另有说明
条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V，I
D
= 10 A
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
T
C
=125°C
V
GS
= 15 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -15 V, V
DS
= 0 V
60
70
1
0.5
10
-10
V
A
mA
nA
nA
门 - 体泄漏，正向
门 - 体泄漏，反向
基本特征
（注1 ）
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
V
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
栅极阈值电压
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 4.0 V，I
D
= 100毫安
1
2.0
1.7
2.5
0.6
0.09
2.5
3.0
4.0
3.75
1.5
V
静态漏源导通电阻V
GS
= 10 V，I
D
= 250毫安
漏源电压
V
GS
= 10 V，I
D
= 500毫安
V
GS
= 5.0 V，I
D
= 50毫安
通态漏电流
V
GS
= 10 V, V
DS
= 7.5V
DS （ ON）
V
GS
= 4.5V, V
DS
= 10V
DS （ ON）
正向跨导
V
DS
= 15 V
DS （ ON）
, I
D
= 200 mm的
800
500
V
1800
700
250
mA
mS
动态特性
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
on
t
r
t
关闭
t
f
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
V
DS
= 30 V, V
GS
= 10 V,
I
D
= 250毫安
0.6
0.06
0.06
1.0
25
5
50
25
5
20
nC
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
25
6
1.2
pF
V
DD
= 30 V ，R
L
= 200
,
I
D
= 100毫安， V
GS
= 10 V,
R
根
= 10
V
DD
= 30 V ，R
L
= 200
,
I
D
= 100毫安， V
GS
= 10 V,
R
根
= 10
7.5
6
7.5
3
nS
打开-O FF时间
20
nS
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
I
SM
V
SD
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
V
GS
= 0 V，I
S
= 200毫安
（注1 ）
0.85
115
0.8
1.2
mA
A
V
注意：
1.脉冲测试：脉冲宽度＆ LT ; 300μS ，占空比＆ LT ; 2.0％。
QQ：2881677436 复制
