2N7002K
小信号MOSFET
60伏380毫安，单N通道， SOT -23
特点
ESD保护
低R
DS （ ON）
表面贴装封装
这是一个Pb - Free设备
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
60 V
R
DS （ ON）
最大
1.6
W
@ 10 V
2.5
W
@ 4.5 V
I
D
最大
（注1 ）
380毫安
应用
低压侧负载开关
电平转换电路
DC- DC转换器
便携式应用，即DSC ， PDA，手机，等等。
简化的原理图
门
单位
V
V
mA
来源
2
（ TOP VIEW ）
3
漏
1
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（注1 ）
稳定状态
t<5s
功率耗散（注1 ）
稳定状态
t<5s
漏电流脉冲（T
p
= 10
女士）
工作结存储
温度范围
源电流（体二极管）
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
门源ESD额定值
（ HBM ，方法3015 ）
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
P
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
60
±20
320
230
380
270
300
420
1.5
55
to
+150
300
260
2000
mW
3
标记图
＆放大器;引脚分配
漏
3
I
DM
T
J
, T
英镑
I
S
T
L
ESD
A
°C
mA
°C
V
1
2
SOT23
CASE 318
21风格
704 MG
G
1
2
门
来源
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
704
=具体设备守则
M
=日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向和/或位置可
这取决于制造地点而有所不同。
热特性
特征
结到环境
稳定状态
（注1 ）
结到环境
t
≤
5秒（注1 ）
符号
R
qJA
R
qJA
最大
417
300
单位
° C / W
订购信息
设备
2N7002KT1G
包
SOT23
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
1.表面安装上使用1平方垫尺寸（铜区FR4板= 1.127在
平方[ 1盎司]包括痕迹）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2008年
2008年7月
第4版
1
出版订单号：
2N7002K/D
2N7002K
包装尺寸
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318-08
问题一
D
SEE视图C
3
E
1
2
HE
c
e
b
q
0.25
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.最大引线厚度包括对引线FINISH
厚度。最小引线厚度是最小的
厚度基体材料。
4. 318-01 THRU
07
和
09
过时了，新标准
31808.
暗淡
A
A1
b
c
D
E
e
L
L1
H
E
民
0.89
0.01
0.37
0.09
2.80
1.20
1.78
0.10
0.35
2.10
MILLIMETERS
喃
最大
1.00
1.11
0.06
0.10
0.44
0.50
0.13
0.18
2.90
3.04
1.30
1.40
1.90
2.04
0.20
0.30
0.54
0.69
2.40
2.64
民
0.035
0.001
0.015
0.003
0.110
0.047
0.070
0.004
0.014
0.083
英寸
喃
0.040
0.002
0.018
0.005
0.114
0.051
0.075
0.008
0.021
0.094
最大
0.044
0.004
0.020
0.007
0.120
0.055
0.081
0.012
0.029
0.104
A
A1
L
L1
视图C
风格21 ：
PIN 1. GATE
2.源
3.排水
焊接足迹
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
SCALE 10 ： 1
0.8
0.031
mm
英寸
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。如果买方
购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
电话：
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
日本：
安森美半导体，日本顾客焦点中心
2-9-1 Kamimeguro ，目黑区，东京，日本153-0051
电话：
81357733850
安森美半导体网站：
http://onsemi.com
为了文学：
http://www.onsemi.com/litorder
有关更多信息，请联系您
当地销售代表。
http://onsemi.com
5
2N7002K/D
2N7002K ， 2V7002K
小信号MOSFET
60伏380毫安，单N通道， SOT -23
特点
ESD保护
低R
DS （ ON）
表面贴装封装
2V前缀为汽车和独特需要其他应用程序
站点和控制变化的要求; AEC - Q101标准和
PPAP有能力
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
应用
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
60 V
R
DS （ ON）
最大
1.6
W
@ 10 V
2.5
W
@ 4.5 V
I
D
最大
380毫安
简化的原理图
门
1
低压侧负载开关
电平转换电路
DC- DC转换器
便携式应用，即DSC ， PDA，手机，等等。
等级
符号
V
DSS
V
GS
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
I
D
价值
60
±20
380
270
320
230
420
300
1.5
55
to
+150
300
260
2000
单位
V
V
mA
3
漏
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
来源
2
（ TOP VIEW ）
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（注1 ）
稳态1平方垫
漏电流（注2 ）
稳态最小焊盘
功耗
稳态1平方垫
稳态最小焊盘
漏电流脉冲（T
p
= 10
女士）
工作结存储
温度范围
源电流（体二极管）
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
门源ESD额定值
（ HBM ，方法3015 ）
3
标记图
＆放大器;引脚分配
漏
3
I
D
mA
1
2
P
D
mW
SOT23
CASE 318
21风格
704 MG
G
1
2
I
DM
T
J
, T
英镑
I
S
T
L
ESD
A
°C
mA
°C
V
门
来源
704
=具体设备守则*
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*具体设备守则，日期代码或横线
取向和/或位置可以变化depend-
荷兰国际集团在制造位置。这是一个
只表示与实际设备可能
没有此图完全一致。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装在FR4板上用1平方英寸垫的尺寸，1盎司铜。
2.表面安装在FR4电路板用0.08平方英寸的焊盘尺寸，1盎司铜。
订购信息
设备
2N7002KT1G
2V7002KT1G
包
SOT23
（无铅）
SOT23
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2012
， 2012年5月
启示录10
1
出版订单号：
2N7002K/D
2N7002K ， 2V7002K
热特性
特征
结到环境
稳态（注3 ）
结到环境
t
≤
5秒（注3）
结到环境
稳态（注4 ）
结到环境
t
≤
5秒（注4 ）
3.表面安装在FR4板上用1平方英寸垫的尺寸，1盎司铜。
4.表面安装在FR4电路板用0.08平方英寸的焊盘尺寸，1盎司铜。
符号
R
qJA
最大
300
92
417
154
单位
° C / W
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
I
DSS
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 60 V
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 50 V
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
60
71
1
500
100
±10
450
150
1.0
4.0
V
GS
= 10 V，I
D
= 500毫安
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 200毫安
正向跨导
收费和电容
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
漏源二极管特性
正向二极管电压
V
SD
V
GS
= 0 V,
I
S
= 200毫安
T
J
= 25°C
T
J
= 85°C
0.8
0.7
1.2
V
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 10 V, V
DD
= 25 V,
I
D
= 500毫安，R
G
= 25
W
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 10 V;
I
D
= 200毫安
24.5
V
GS
= 0 V ， F = 1MHz时，
V
DS
= 20 V
4.2
2.2
0.7
0.1
0.3
0.1
12.2
9.0
55.8
29
ns
nC
pF
g
FS
V
DS
= 5 V，I
D
= 200毫安
1.19
1.33
530
1.6
2.5
mS
2.3
nA
mA
nA
nA
V
毫伏/°C的
W
V
毫伏/°C的
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±20
V
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±10
V
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±5.0
V
基本特征
（注5 ）
栅极阈值电压
负阈值温度
系数
漏极至源极导通电阻
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
开关特性，V
GS
= V
（注6 ）
5.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%
6.开关特性是独立的工作结点温度
http://onsemi.com
2
2N7002K ， 2V7002K
小信号MOSFET
60伏380毫安，单N通道， SOT -23
特点
ESD保护
低R
DS （ ON）
表面贴装封装
2V前缀为汽车和独特需要其他应用程序
站点和控制变化的要求; AEC - Q101标准和
PPAP有能力
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
应用
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
60 V
R
DS （ ON）
最大
1.6
W
@ 10 V
2.5
W
@ 4.5 V
I
D
最大
380毫安
简化的原理图
门
1
低压侧负载开关
电平转换电路
DC- DC转换器
便携式应用，即DSC ， PDA，手机，等等。
等级
符号
V
DSS
V
GS
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
I
D
价值
60
±20
380
270
320
230
420
300
1.5
55
to
+150
300
260
2000
单位
V
V
mA
3
漏
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
来源
2
（ TOP VIEW ）
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（注1 ）
稳态1平方垫
漏电流（注2 ）
稳态最小焊盘
功耗
稳态1平方垫
稳态最小焊盘
漏电流脉冲（T
p
= 10
女士）
工作结存储
温度范围
源电流（体二极管）
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
门源ESD额定值
（ HBM ，方法3015 ）
3
标记图
＆放大器;引脚分配
漏
3
I
D
mA
1
2
P
D
mW
SOT23
CASE 318
21风格
704 MG
G
1
2
I
DM
T
J
, T
英镑
I
S
T
L
ESD
A
°C
mA
°C
V
门
来源
704
=具体设备守则*
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*具体设备守则，日期代码或横线
取向和/或位置可以变化depend-
荷兰国际集团在制造位置。这是一个
只表示与实际设备可能
没有此图完全一致。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装在FR4板上用1平方英寸垫的尺寸，1盎司铜。
2.表面安装在FR4电路板用0.08平方英寸的焊盘尺寸，1盎司铜。
订购信息
设备
2N7002KT1G
2V7002KT1G
包
SOT23
（无铅）
SOT23
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2013
二月， 2013
启示录11
1
出版订单号：
2N7002K/D
2N7002K ， 2V7002K
热特性
特征
结到环境
稳态（注3 ）
结到环境
t
≤
5秒（注3）
结到环境
稳态（注4 ）
结到环境
t
≤
5秒（注4 ）
3.表面安装在FR4板上用1平方英寸垫的尺寸，1盎司铜。
4.表面安装在FR4电路板用0.08平方英寸的焊盘尺寸，1盎司铜。
符号
R
qJA
最大
300
92
417
154
单位
° C / W
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
I
DSS
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 60 V
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 50 V
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
60
71
1
10
100
±10
450
150
1.0
4.0
V
GS
= 10 V，I
D
= 500毫安
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 200毫安
正向跨导
收费和电容
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
漏源二极管特性
正向二极管电压
V
SD
V
GS
= 0 V,
I
S
= 200毫安
T
J
= 25°C
T
J
= 85°C
0.8
0.7
1.2
V
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 10 V, V
DD
= 25 V,
I
D
= 500毫安，R
G
= 25
W
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 10 V;
I
D
= 200毫安
24.5
V
GS
= 0 V ， F = 1MHz时，
V
DS
= 20 V
4.2
2.2
0.7
0.1
0.3
0.1
12.2
9.0
55.8
29
ns
nC
pF
g
FS
V
DS
= 5 V，I
D
= 200毫安
1.19
1.33
530
1.6
2.5
mS
2.3
nA
mA
nA
nA
V
毫伏/°C的
W
V
毫伏/°C的
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±20
V
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±10
V
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±5.0
V
基本特征
（注5 ）
栅极阈值电压
负阈值温度
系数
漏极至源极导通电阻
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
开关特性，V
GS
= V
（注6 ）
5.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%
6.开关特性是独立的工作结点温度
http://onsemi.com
2
QQ：2881677436 复制
