CHENMKO ENTERPRISE CO。 ， LTD。
表面贴装
N沟道增强型网络场效晶体管
电压60伏特
当前
500 mAmpere
应用
*继电器驱动器
*高速线路驱动器
*逻辑电平晶体管
2N7002ESEPT
特征
*小型表面安装型。 （ SOT -23 ）
*高密度电池设计低R
DS （ ON）
.
*适用于高封装密度。
*坚固可靠。
*高饱和电流能力。
在输入门* ESD保护
1.5KV
(3)
SC-70/SOT-323
(2)
1.3±0.1
0.3±0.1
0.65
2.0±0.2
0.65
施工
* N沟道增强，在输入ESD保护
1.25±0.1
(1)
0.05~0.2
D
0.8~1.1
0~0.1
2.0~2.45
0.1Min.
电路
1
G
3
S
2
T
A
= 25 ° C除非另有说明
单位：毫米
SC-70/SOT-323
绝对最大额定值
符号
参数
2N7002ESEPT
单位
V
DSS
漏源电压
60
60
V
V
V
V
DGR
V
GSS
漏，栅极电压（R
GS
＆ LT ; 1M的
)
栅源电压 - 连续
- 不重复（ TP ＆ LT ;为50μs ）
±
20
±
40
500
800
400
-65到150
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
I
D
P
D
T
J
,T
英镑
最大漏极电流 - 连续
- 脉冲
最大功率耗散
mA
mW
°C
工作和存储温度范围
热特性
R
θ
JA
热阻，结到环境
350
° C / W
2006-03
额定值特性曲线（ 2N7002ESEPT ）
电气特性
T
符号
参数
A
= 25 ° C除非另有说明
条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门 - 体泄漏，正向
门 - 体泄漏，反向
（注1 ）
V
GS
= 0 V，I
D
= 10 A
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V
T
J
=150°C
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -15 V, V
DS
= 0 V
60
75
1.0
10
0.5
-0.5
V
A
uA
uA
uA
基本特征
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
栅极阈值电压
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
=
5.0
V，I
D
=
50
mA
1
2.5
4.5
5.0
V
静态漏源导通电阻V
GS
= 10 V，I
D
= 500毫安
正向跨导
V
DS
= 10 V
DS （ ON）
, I
D
= 200 mm的
100
300
mS
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
on
t
关闭
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
13
8
4
3
9
40
30
10
10
15
pF
V
DD
= 50 V ，R
L
= 250
,
V
GS
= 10 V ，R
根
= 50
V
DD
= 50 V ，R
L
= 250
,
V
GS
= 10 V ，R
根
= 50
nS
nS
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
r
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
反向恢复时间
恢复电荷
V
GS
= 0 V，I
S
= 200毫安
（注1 ）
I
S
= 300毫安，二
S
/ DT = -100 A /美
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V
0.85
30
30
300
1.2
1.5
mA
A
V
nS
nC
注意：
1.脉冲测试：脉冲宽度＆ LT ; 300μS ，占空比＆ LT ; 2.0％。
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