2N7002DW
双N沟道增强型MOSFET
这个空间高效装置包含两个电隔离的N沟道
增强型MOSFET 。它有一个非常小的SOT- 363 （ SC70-6L ）
封装。该器件非常适合于便携式应用电路板空间
溢价。
SOT- 363
4
5
6
2
1
3
特点
双N沟道MOSFET采用超小型SOT- 363封装
低导通电阻
低栅极阈值电压
快速开关
可提供无铅电镀（ 100 ％雾锡完成）
6
5
4
应用
开关电源
手提电脑，掌上电脑
1
2
3
标识代码： 702
最大额定值
等级
漏源电压
漏极 - 栅极电压（注1 ）
栅源电压
漏电流
总功率耗散（注2 ）
工作结温范围
存储温度范围
注意： 1。R
GS
< 20K欧姆
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
P
D
T
J
T
英镑
价值
60
60
20
115
200
-55到150
-55到150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
热特性
特征
热阻，结到环境（注2 ）
符号
R
thJA
价值
625
单位
° C / W
注2： FR- 5板1.0× 0.75× 0.062英寸，最小的推荐焊盘布局
8/11/2005
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2N7002DW
电气特性（每个装置）
开关特性（注3 ）
参数
符号
条件
民
60
T
J
=25°C
T
J
=125°C
-
-
-
典型值
80
-
-
-
最大
-
1.0
500
±10
单位
V
A
nA
漏源击穿电压BV
DSS
I
D
= 10μA ，V
GS
= 0V
零栅极电压漏极电流
门体漏
基本特征（注3 ）
参数
栅极阈值电压
符号
条件
民
1.0
-
-
0.5
0.08
典型值
1.6
1.8
2.0
1.65
-
最大
2.0
4.5
7.0
-
-
单位
V
欧
A
S
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
I
D
= 250A
,
V
GS
= 5V ，我
D
= 0.05A
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.5A
I
DSS
I
GSS
V
DS
= 60V, V
GS
= 0
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
中T = 25 ° C除非另有说明
J
静态漏源导通ResistanceR
DS （ ON）
通态漏电流
正向跨导
动态特性
参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
参数
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
符号
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
I
D（上）
V
GS
= 10V, V
DS
= 7.5V
g
FS
V
DS
= 10V ，我
D
= 0.2A
条件
V
DS
= 25V,
V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
50
25
5.0
单位
pF
pF
pF
条件
民
-
-
典型值
-
-
最大
20
20
单位
ns
ns
t
D（上）
V = 30V ， I = 0.2A ， R = 150ohm
L
DD
D
R
根
= 25ohm ，V
根
= 10V
t
D（关闭）
注意使用，以尽量减少自热3.持续时间短的测试脉冲
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2N7002DW
封装布局，并建议焊盘尺寸
订购信息
2N7002DW T / R7 - 每卷7英寸的卷轴， 3K单位
2N7002DW T / R13 - 每卷13英寸的卷轴， 10K单位
版权所有强茂国际， 2005年公司
该通知通报BULLETIN本docum耳鼻喉提出被认为是准确和可靠。规范并通知通报BULLETIN
本文如有更改，恕不另行通知。关于潘日新米碟刹任何保证，声明或担保
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系统S 。潘日新不转达根据其专利权或他人权利的任何许可。
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