UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
2N7002DW
300米安培， 60伏特DUAL
N沟道功率MOSFET
描述
在UTC
2N7002DW
在设计上最大限度地减少通态
电阻，以提供坚固的，可靠的，快速的切换
性能。它可在需要高达大多数应用中使用
400毫安DC ，并且可以提供脉冲电流高达2A 。该产品
特别适用于低电压，低电流的应用，例如
小伺服电机控制，功率MOSFET栅极驱动器和
其他开关应用
功率MOSFET
特点
*高密度电池设计低R
DS （ ON）
.
*压控小信号开关
*坚固可靠
*高饱和电流能力
符号
订购信息
订购数量
无铅
无卤
2N7002DWL-AL6-R
2N7002DWG-AL6-R
包
SOT-363
1
S1
引脚分配
2
3
4
5
D2 G1 S2 G2
6
D1
填料
带盘
记号
3P
G：无卤
L：无铅
1 6
QW-R502-534.B
www.unisonic.com.tw
2011 Unisonic技术有限公司
2N7002DW
绝对最大额定值
（ TA = 25 ℃，除非另有说明。 ）
参数
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
≤1M)
门源电压
漏电流
功耗
25°C以上降额
结温
储存温度
连续
不重复（ tp<50μs ）
连续
脉冲
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
P
D
T
J
T
英镑
功率MOSFET
评级
60
60
±20
±40
300
800
200
1.6
+ 150
-55 ~ +150
单位
V
V
V
mA
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热特性
参数
结到环境
符号
θ
JA
评级
625 （注1）
单位
° C / W
电气特性
(T
A
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压
漏源电压
通态漏电流
静态漏源导通电阻
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
V
DS （ ON）
I
D（上）
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=10μA
V
DS
=60V, V
GS
=0V
V
GS
=20V, V
DS
=0V
V
GS
=-20V, V
DS
=0V
V
GS
= V
DS
, I
D
=250μA
V
GS
= 10V ，我
D
=500mA
V
GS
= 5.0V ，我
D
=50mA
V
GS
=10V,V
DS
≥2V
DS （ ON）
V
GS
= 10V ，我
D
=500mA,T
J
=125°C
V
GS
= 5.0V ，我
D
=50mA
V
DS
=25V,V
GS
=0V,f=1.0MHz
民
60
1
100
-100
1
2.1
0.6
0.09
2700
2.5
3.75
1.5
13.5
7.5
20
11
4
50
25
5
20
典型值
最大单位
V
μA
nA
nA
V
V
mA
pF
pF
pF
nS
500
V
DD
= 30V ，R
L
=150
I
D
=的200mA， V
GS
=10V
开启时间
t
ON
R
根
=25
V
DD
= 30V ，R
L
=25
I
D
=的200mA， V
GS
=10V
打开-O FF时间
t
关闭
R
根
=25
漏源二极管的特性和最大额定值
漏源二极管的正向电压
V
SD
V
GS
= 0V ，是= 115毫安（注）
0.88
最大脉冲漏源极二极管
I
SM
正向电流
最大连续漏源
Is
二极管的正向电流
注： 1。设备安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸。最小焊盘尺寸。
2.脉冲测试：脉冲宽度≦ 300μS ，占空比≦ 2.0 ％
20
nS
1.5
0.8
115
V
A
mA
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2 6
QW-R502-534.B
2N7002DW
测试电路和波形
V
DD
R
L
V
IN
D
V
GS
R
根
G
S
DUT
V
OUT
功率MOSFET
图1
t
on
t
D（上）
t
r
90%
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
90%
输出，V
OUT
10%
10%
倒
90%
输入，V
in
10%
50%
50%
脉冲宽度
图2的开关波形
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3 6
QW-R502-534.B
2N7002DW
典型特征
功率MOSFET
漏源电流，我
D
(A)
归漏源
导通电阻，R
DS （ ON）
()
导通电阻Varisation与温度
2
归漏源
导通电阻，R
DS （ ON）
()
1.75
1.5
1.25
1
0.75
0.5
-50
- 25
0
25
50
75
100 125 150
结温，T
J
(°C)
传输特性
2
V
DS
=10V
25℃
1.1
125℃
归一门极 - 源
电压，V
GS （ TH）
(V)
1.05
1
0.95
0.9
0.85
0.8
0
2
4
6
8
10
-50
导通电阻Varisation与排水
电流和温度
3
归漏源开 -
电阻R
DS （ ON）
()
V
GS
=10V
T
J
=125℃
V
GS
=10V
I
D
=500mA
2.5
2
1.5
25℃
1
0.5
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
漏电流，我
D
(A)
栅极阈值Varisation与温度
V
GS
= V
DS
I
D
= 1毫安
1.6
漏电流，我
D
(A)
1. 8
1.2
0.4
0
门源电压，V
GS
(V)
-25
0
25
50
75
100 125 150
结温，T
J
(°C)
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
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4 6
QW-R502-534.B
2N7002DW
典型特性的影响（续）
击穿电压Varisation
随温度
1.1
归漏源击穿
电压BV
DSS
(V)
1.075
1.05
1.025
1
0.975
0.95
0.925
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
结温，T
J
(°C)
2
I
D
= 250μA
反向漏电流，I
S
(A)
1
0.5
T
J
=125℃
0.1
0.05
0.01
0.005
0.001
0.2
0.4
0.6
25℃
功率MOSFET
体二极管正向电压Varisation
随温度
V
GS
=0V
0.8
1
1.2
1.4
体二极管正向电压，V
SD
(V)
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
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栅源电压，V
GS
(V)
电容（pF）
5 6
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UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
2N7002DW
300毫安， 60V DUAL
N沟道功率MOSFET
描述
在UTC
2N7002DW
采用先进的技术来提供
优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷和操作与低门
电压。这个装置是适合于用作负载开关或以PWM
应用程序。
功率MOSFET
特点
*高密度电池设计低R
DS （ ON）
.
*压控小信号开关
*坚固可靠
*高饱和电流能力
符号
订购信息
订购数量
无铅
无卤
2N7002DWL-AL6-R
2N7002DWG-AL6-R
包
SOT-363
1
S1
引脚分配
2
3
4
5
D2 G1 S2 G2
6
D1
填料
带盘
记号
3P
G：无卤
L：无铅
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版权所有 2012 Unisonic技术有限公司
1 6
QW-R502-534.C
2N7002DW
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明。 ）
功率MOSFET
参数
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
60
V
漏，栅极电压（R
GS
≤1M)
V
DGR
60
V
连续
±20
门源电压
V
GSS
V
不重复（T
P
<50μs)
±40
连续
300
漏电流
I
D
mA
脉冲
800
功耗
200
mW
P
D
25°C以上降额
1.6
毫瓦/°C的
结温
T
J
+ 150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
参数
结到环境
符号
θ
JA
评级
625 （注1）
单位
° C / W
电气特性
(T
A
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压
漏源电压
静态漏源导通电阻
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
V
DS （ ON）
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=10μA
V
DS
=60V, V
GS
=0V
V
GS
=20V, V
DS
=0V
V
GS
=-20V, V
DS
=0V
V
GS
= V
DS
, I
D
=250μA
V
GS
= 10V ，我
D
=300mA
V
GS
= 5.0V ，我
D
=50mA
V
GS
= 10V ，我
D
=300mA,T
J
=125°C
V
GS
= 5.0V ，我
D
=50mA
V
DS
=25V,V
GS
=0V,f=1.0MHz
民
60
1
100
-100
1
2.1
0.6
0.09
2.5
3.75
1.5
13.5
7.5
50
25
5
20
典型值
最大
单位
V
μA
nA
nA
V
V
pF
pF
pF
nS
20
11
4
V
DD
= 30V ，R
L
=150
I
D
=的200mA， V
GS
=10V
开启时间
t
ON
R
根
=25
V
DD
= 30V ，R
L
=25
I
D
=的200mA， V
GS
=10V
打开-O FF时间
t
关闭
R
根
=25
漏源二极管的特性和最大额定值
漏源二极管的正向电压
V
SD
V
GS
= 0V ， IS = 300mA（对注）
0.88
最大脉冲漏源极二极管
I
SM
正向电流
最大连续漏源
Is
二极管的正向电流
注： 1。设备安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸。最小焊盘尺寸。
2.脉冲测试：脉冲宽度≦ 300μS ，占空比≦ 2.0 ％
20
nS
1.5
0.8
300
V
A
mA
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
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QW-R502-534.C
2N7002DW
测试电路和波形
V
DD
功率MOSFET
R
L
V
IN
D
V
GS
R
根
G
S
DUT
V
OUT
图。 1
t
ON
t
D（上）
t
R
90%
t
D（关闭）
t
关闭
t
F
90%
输出，V
OUT
10%
10%
倒
90%
输入，V
IN
10%
50%
脉冲宽度
50%
图。 2开关波形
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
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QW-R502-534.C
2N7002DW
典型特征
功率MOSFET
漏源电流，我
D
(A)
归漏源
导通电阻，R
DS （ ON）
()
导通电阻Varisation与温度
2
归漏源
导通电阻，R
DS （ ON）
()
1.75
1.5
1.25
1
0.75
0.5
-50
- 25
0
25
50
75
100 125 150
结温，T
J
(°C)
传输特性
1.0
V
DS
=10V
25°C
1.1
125°C
归一门极 - 源
电压，V
GS （ TH）
(V)
1.05
1
0.95
0.9
0.85
0.8
0
2
4
6
8
10
-50
3
归漏源开 -
电阻R
DS （ ON）
()
V
GS
=10V
I
D
=300mA
2.5
2
1.5
导通电阻Varisation与排水
电流和温度
V
GS
=10V
T
J
=125°C
25°C
1
0.5
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
漏电流，我
D
(A)
栅极阈值Varisation与温度
V
GS
= V
DS
I
D
= 1毫安
0.8
漏电流，我
D
(A)
0.6
0.4
0.2
0
门源电压，V
GS
(V)
-25
0
25
50
75
100 125 150
结温，T
J
(°C)
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
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2N7002DW
典型特性的影响（续）
击穿电压Varisation
随温度
1.1
归漏源击穿
电压BV
DSS
(V)
1.075
1.05
1.025
1
0.975
0.95
0.925
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
结温，T
J
(°C)
2
I
D
= 250μA
反向漏电流，I
S
(A)
1
0.5
T
J
=125°C
0.1
0.05
0.01
0.005
0.001
0.2
0.4
0.6
25°C
功率MOSFET
体二极管正向电压Varisation
随温度
V
GS
=0V
0.8
1
1.2
1.4
体二极管正向电压，V
SD
(V)
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
栅源电压，V
GS
(V)
电容（pF）
5 6
QW-R502-534.C
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