【2N7002DW的OptiMOS小信号三极管特点双N沟道增强型逻辑电平额定雪崩快速开关符合AEC Q】,IC型号2N7002DWH6327,2N7002DWH6327 PDF资料,2N7002DWH6327经销商,ic,电子元器件-51电子网

2N7002DW

的OptiMOS

小信号三极管

特点

双N沟道

增强型

逻辑电平

额定雪崩

快速开关

符合AEC Q101标准

100 ％无铅化;符合RoHS标准

无卤素根据IEC61249-2-21

产品概述

DS （ ON），最大

=10 V

=4.5 V

0.3

PG-SOT363

TYPE

2N7002DW

参数

包

磁带和卷轴信息

记号

X8s

无卤

是的

价值

0.30

0.24

1.2

1.3

填料

非干

单位

PG- SOT363 H6327 ： 3000个/卷

符号条件

=25 °C

=70 °C

连续漏电流

漏电流脉冲

雪崩能量，单脉冲

D，脉冲

=25 °C

=0.3 A,

=25

=0.3 A,

=48 V,

的di / dt = 200 A / μs的，

， MAX

=150 °C

反向二极管的dv / dt

门源电压

防静电类

功耗

工作和存储温度

IEC气候类型; DIN IEC 68-1

的dV / dt

±20

KV / μs的

JESD22 - A114 （ HBM ）

合计

英镑

=25 °C

0级（ <250V ）

0.5

-55 ... 150

55/150/56

°C

备注：两个晶体管的操作之一。

Rev.2.2

第1页

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2N7002DW

参数

符号条件

分钟。

热特性

热阻，

结 - 最小的足迹

值

典型值。

马克斯。

单位

thJA

250

K / W

电气特性，

= 25℃ ，除非另有说明

静态特性

（ BR ） DSS

= 0 V,

=250 A

GS （ TH）

D（关闭）

=250 A

=60 V,

=-10 V,

=25 °C

=60 V,

=0 V,

=150 °C

栅极 - 源极漏电流

漏源导通电阻

GSS

DS （ ON）

=20 V,

=0 V

=4.5 V,

=0.25 A

=10 V,

=0.5 A

跨

|>2|I

DS （ ON）最大值

=0.24 A

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏极 - 源极漏电流

1.5

2.1

2.5

0.1

0.2

2.0

1.6

0.36

Perfomed一个40x40mm

FR4 PCB与双侧的铜感力的痕迹，每1mm宽， 70微米厚至20mm

长。

Rev.2.2

第2页

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2N7002DW

参数

符号条件

分钟。

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

门源费

栅漏电荷

栅极电荷总量

栅极电压平台

反向二极管

二极管连续正向电流

二极管脉冲电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

S，脉冲

=0 V,

=0.5 A,

=25 °C

=30 V,

=0.5 A,

/ DT = 100 A / μs的

=25 °C

0.96

8.5

2.4

0.3

1.2

高原

=48 V,

=0.5 A,

= 0到10伏

0.05

0.2

0.4

4.0

0.1

0.4

0.6

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

=30 V,

=10 V,

=0.5 A,

=0 V,

=25 V,

= 1兆赫

4.1

2.0

3.0

3.3

5.5

3.1

4.5

值

典型值。

马克斯。

单位

Rev.2.2

第3页

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2N7002DW

1功耗

合计

= F （T

)

2漏极电流

= F （T

);

≥10

0.35

0.5

0.3

0.4

0.25

合计

[W]

[A]

0.15

0.1

0.05

120

160

120

160

0.3

0.2

0.1

[°C]

3安全工作区

= F（V

);

=25 °C;

参数：

4最大。瞬态热阻抗

thJA

= F （T

)

参数：

限于由导通状态

阻力

1 s

0.5

10 s

100 s

0.2

0.1

thJA

〔 K / W〕

[A]

-1

1毫秒

0.05

0.02

0.01

10毫秒

单脉冲

-2

-3

100

-5

-4

-3

-2

-1

[V]

[s]

Rev.2.2

第4页

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2N7002DW

5典型。输出特性

= F（V

);

=25 °C

参数：

0.6

6典型。上电阻漏 - 源

DS （ ON）

= F（我

);

=25 °C

参数：

0.5

10 V

4.5 V

2.9 V

3.2 V

3.5 V

0.4

DS （ ON）

[

]

[A]

0.3

3.5 V

4.5 V

0.2

3.2 V

10 V

0.1

2.9 V

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

[V]

[A]

7典型。传输特性

= F（V

); |V

|>2|I

DS （ ON）最大值

8典型。正向跨导

= F（我

);

=25 °C

0.6

0.5

0.45

0.5

0.4

0.35

0.3

0.4

[S]

[A]

0.25

0.2

0.15

0.1

0.05

0.00

0.10

0.20

0.30

0.40

0.1

[V]

[A]

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第5页

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