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2N7002BK
60 V ， 350毫安N沟道沟槽MOSFET
版本1 - 2010年6月17日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
N沟道增强模式场效应晶体管（FET ）中的一个小
SOT23封装（ TO- 236AB ）表面贴装器件（ SMD ）塑料封装使用
沟槽MOSFET技术。
1.2特点和优点
逻辑电平兼容
非常快速的切换
沟槽MOSFET技术
ESD保护高达2千伏
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
1.3应用
继电器驱动器
高速线路驱动器
低端loadswitch
开关电路
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
R
DSON
快速参考数据
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
条件
T
AMB
= 25
°C
T
AMB
= 25
°C
T
AMB
= 25
°C;
V
GS
= 10 V
T
j
= 25
°C;
V
GS
= 10 V;
I
D
= 500毫安
[1]
民
-
-
-
-
典型值
-
-
-
1
最大
60
±20
350
1.6
单位
V
V
mA
Ω
[1]
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫排水1厘米
2
.
恩智浦半导体
2N7002BK
60 V ， 350毫安N沟道沟槽MOSFET
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
钉扎
符号
G
S
D
描述
门
来源
漏
1
2
G
简化的轮廓
3
图形符号
D
S
017aaa000
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
2N7002BK
描述
VERSION
SOT23
TO- 236AB塑料表面贴装封装; 3引线
类型编号
4.标记
表4 。
2N7002BK
[1]
* = - ：香港制造
* = P ：香港制造
* = T：在马来西亚
* = W ：中国制造
标记代码
标识代码
[1]
LN *
类型编号
5.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DS
V
GS
I
D
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
条件
T
AMB
= 25
°C
T
AMB
= 25
°C
V
GS
= 10 V
T
AMB
= 25
°C
T
AMB
= 100
°C
I
DM
峰值漏极电流
T
AMB
= 25
°C;
单脉冲;吨
p
≤
10
μs
[1]
民
-
-
-
-
-
最大
60
±20
350
245
1.2
单位
V
V
mA
mA
A
2N7002BK
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产品数据表
版本1 - 2010年6月17日
2 16
恩智浦半导体
2N7002BK
60 V ， 350毫安N沟道沟槽MOSFET
表5 。
极限值
- 续
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
P
合计
参数
总功耗
条件
T
AMB
= 25
°C
T
sp
= 25
°C
T
j
T
AMB
T
英镑
I
S
V
ESD
结温
环境温度
储存温度
源出电流
静电放电
电压
T
AMB
= 25
°C
人体模型
[1]
[2]
[1]
民
-
-
-
55
65
-
-
最大
370
440
1.2
150
+150
+150
350
2000
单位
mW
mW
W
°C
°C
°C
mA
V
源极 - 漏极二极管
ESD最大额定值
[3]
[1]
[2]
[3]
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫排水1厘米
2
.
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
测量之间的所有引脚。
120
P
DER
(%)
80
017aaa001
120
I
DER
(%)
80
017aaa002
40
40
0
75
25
25
75
125
175
T
AMB
(°C)
0
75
25
25
75
125
175
T
AMB
(°C)
P
合计
-
P
DER
=
-----------------------
×
100
%
P
合计
(
25°C
)
图1 。
归一化的总功耗为
环境温度的函数
图2 。
I
D
-
I
DER
=
-------------------
×
100
%
I
D
(
25°C
)
标准化的连续漏极电流为
环境温度的函数
2N7002BK
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版本1 - 2010年6月17日
3 16
恩智浦半导体
2N7002BK
60 V ， 350毫安N沟道沟槽MOSFET
10
I
D
(A)
性限R
DSON
= V
DS
/I
D
1
017aaa036
(1)
(2)
10
1
(3)
(4)
(5)
(6)
10
2
10
3
10
1
1
10
V
DS
(V)
10
2
I
DM
- 单脉冲
(1) t
p
= 100
μs
(2) t
p
= 1毫秒
(3) t
p
= 10毫秒
(4) t
p
= 100毫秒
（ 5 ）直流;牛逼
sp
= 25
°C
（ 6 ）直流;牛逼
AMB
= 25
°C;
漏装垫片1厘米
2
图3 。
安全工作区;结到环境;连续和峰值漏极电流的一个函数
漏源电压
6.热特性
表6 。
符号
R
号（j -a）的
R
日（J -SP ）
[1]
[2]
热特性
参数
从热阻
结到环境
从热阻
结点到焊点
条件
在自由空气
[1]
[2]
民
-
-
-
典型值
295
250
-
最大
340
285
105
单位
K / W
K / W
K / W
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫排水1厘米
2
.
2N7002BK
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版本1 - 2010年6月17日
4 16
恩智浦半导体
2N7002BK
60 V ， 350毫安N沟道沟槽MOSFET
10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
10
2
占空比= 1
0.75
0.5
0.33
0.25
0.1
0.2
0.05
0.02
0.01
017aaa037
10
0
1
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4 PCB，标准的足迹
图4 。
10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
10
2
从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值
017aaa038
占空比= 1
0.75
0.5
0.25
0.1
0.33
0.2
0.05
0.02
0.01
10
0
1
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4 PCB，安装垫排水1厘米
2
图5 。
从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值
2N7002BK
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5 16
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200-208
2SK1228
295T824F103C22
2SD2385C
227SML016M
2SK2312_07
2STW100
27C64-20/L
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
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    2N7002BK
    -
    -
    -
    -
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辉华拓展
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2N7002BK
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2N7002BK
Nexperia/安世
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7500
SOT-23
100%原装正品，只做原装正品
深圳市晶美隆科技有限公司销售一部
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2N7002BK
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smd
原装新到货，公司现货
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2N7002BK
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SOT-23
原装进口正品现货，只做原装，长期供货
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联系人：柯
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2N7002BK
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2N7002BK
Nexperia(安世)
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2N7002BK
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联系人：彭小姐
地址：广东省深圳市福田区福华路嘉汇新汇商中心1020
2N7002BK
NEXPERIA
120000
22+21
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电话：0755-23613962/82706142
联系人：雷小姐
地址：深圳市福田区华强北街道华红社区红荔路3002号交行大厦一单元711
2N7002BK
NEXPERIA/安世
2024+
9675
SOT-23
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