【2N7002-01n沟道增强型场效应晶体管特点·····低导通电阻，RDS （ ON）低栅极阈值电压】,IC型号2N7002-01,2N7002-01 PDF资料,2N7002-01经销商,ic,电子元器件-51电子网

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2N7002-01

n沟道增强型场效应

晶体管

特点

·

·

·

·

·

低导通电阻，R

DS （ ON）

低栅极阈值电压

低输入电容

开关速度快

低输入/输出泄漏

G

E

D

G

H

K

J

L

M

SOT-23

A

D

顶视图

B

S

C

暗淡

A

B

C

D

E

G

H

J

K

L

M

民

0.37

1.19

2.10

0.89

0.45

1.78

2.65

0.013

0.89

0.45

0.076

最大

0.51

1.40

2.50

1.05

0.61

2.05

3.05

0.15

1.10

0.61

0.178

机械数据

·

·

·

·

·

案例： SOT -23 ，模压塑料

码头：每MIL -STD- 202焊接的，

方法208

终端连接：见图

标记： K7A

重量： 0.008克（约）

尺寸：mm

最大额定值

漏源电压

@ T

A

= 25 ° C除非另有说明

符号

V

DSS

V

DGR

连续

脉冲

连续

连续@ 100℃

脉冲

V

GSS

I

D

P

d

R

qJA

T

j

, T

英镑

价值

60

60

±20

±40

115

73

800

200

1.60

625

-55到+150

单位

V

V

V

mA

mW

毫瓦/°C的

K / W

°C

特征

漏极 - 栅极电压

GS

1.0MW

栅源电压

漏电流（注1 ）

总功率耗散（注1 ）

降额以上的牛逼

A

= 25°C

热阻，结到环境

工作和存储温度范围

注：1，有效的前提是终端保持在规定的环境温度。

2.脉冲宽度

300毫秒，占空比

2%.

DS30026修订版C-5

1第3

2N7002-01

电气特性

特征

开关特性（注2 ）

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏

基本特征（注2 ）

栅极阈值电压

静态漏源导通电阻

通态漏电流

正向跨导

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

开关特性

导通延迟时间

打开-O FF延迟时间

@ T

A

= 25 ° C除非另有说明

符号

BV

DSS

@ T

C

= 25°C

@ T

C

= 125°C

I

DSS

I

GSS

V

GS （ TH）

@ T

j

= 25°C

@ T

j

= 125°C

R

DS （ ON）

I

D（上）

g

FS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

D（关闭）

民

60

1.0

80

典型值

70

3.2

4.4

1.0

22

11

2.0

7.0

11

最大

1.0

500

±10

2.0

7.5

13.5

0.5

50

25

5.0

20

20

单位

V

A

nA

V

W

A

mS

pF

pF

pF

ns

ns

V

DD

= 30V ，我

D

= 0.2A,

R

L

= 150W ，V

根

= 10V,

R

根

= 25W

V

DS

= 25V, V

GS

= 0V

F = 1.0MHz的

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 10毫安

V

DS

= 60V, V

GS

= 0V

V

GS

=

±20V,

V

DS

= 0V

V

DS

= V

GS

, I

D

=-250mA

V

GS

= 5.0V ，我

D

= 0.05A

V

GS

= 10V ，我

D

= 0.5A

V

GS

= 10V, V

DS

= 7.5V

V

DS

= 10V ，我

D

= 0.2A

注：1，有效的前提是终端保持在规定的环境温度。

2.脉冲宽度

300毫秒，占空比

2%.

DS30026修订版C-5

2 3

2N7002-01

1.0

0.8

I

D

，漏源电流（A ）

R

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

0.6

V

GS

= 10V

9.0V

8.0V

7.0V

6.5V

6.0V

5.0V

4.5V

4.0V

3.5V

3.0V

2.5V

2.0/1.0V

7

T

j

= 25

°

C

6

5

V

GS

= 5.0V

5.5V

4

3

2

1

0

5.0V

0.4

V

GS

= 10V

0.2

0

0

1

2

3

4

5

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

V

DS

，漏源电压（V ）

图。 1在区域特征

I

D

，漏电流（ A）

图。 2导通电阻VS漏电流

2.0

R

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

6

5

4

I

D

= 50毫安

1.5

V

GS

= 10V ，我

D

= 0.5A

R

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

I

D

= 500毫安

1.0

V

GS

= 5.0V ，我

D

= 0.05A

3

2

0.5

1

0

0

-55

-30

-5

20

45

70

95

120

145

0

2

4

6

8

10

12

14

16

18

T

j

，结温（

°

C)

图。 3导通电阻VS结温

V

GS

，门源电压（ V）

图。 4导通电阻与栅源电压

DS30026修订版C-5

3 3

2N7002-01

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