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先进的小信号MOSFET
特点
n
快速开关时间
n
改进的感应耐用
n
较低的输入电容
n
扩展安全工作区
n
改善高温可靠性
2N7000BU/2N7000TA
BV
DSS
= 60 V
R
DS （ ON）
= 5.0
Ω
I
D
= 200毫安
TO-92
1.Source 2.门3.排水
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
特征
漏极至源极电压
连续漏电流（T
C
=25℃)
连续漏电流（T
C
=100℃)
漏电流脉冲
栅极 - 源极电压
总功率耗散（T
C
=25℃)
线性降额因子
工作结
存储温度范围
最大的铅温度。焊锡
目的， 1/8“案件从5秒
①
价值
60
200
110
1000
±30
400
3.2
- 55 + 150
单位
V
mA
mA
V
mW
毫瓦/ °
℃
300
热阻
符号
R
θJA
特征
结到环境
典型值。
--
马克斯。
312.5
单位
℃/W
版本B
2N7000BU/2N7000TA
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
特征
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门源泄漏，正向
门源漏，反
漏极至源极漏电流
静态漏源
导通状态电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
②
②
N沟道
小信号MOSFET
电气特性
(T
C
= 25 ℃除非另有规定）
分钟。典型值。马克斯。单位
60
0.3
0.4
--
--
--
--
--
0.1
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
0.3
30
12
3.0
--
--
--
--
--
3.9
2.2
100
-100
1
1000
5.0
--
--
--
--
10
10
10
10
ns
V
DD
=30V,I
D
=0.5A,
R
G
=15
②③
测试条件
V
GS
=0V,I
D
=250μA
V
DS
= V
GS
,I
D
=250μA
V
DS
= V
GS
,I
D
=1mA
V
GS
=15V
V
GS
=-15V
V
DS
=60V
V
DS
=45V,T
C
=125℃
V
GS
=10V,I
D
=0.5A
V
DS
=15V,I
D
=0.5A
V
GS
=0V,V
DS
=25V,
F = 1MHz的
V
V
nA
μA
S
pF
注意事项;
①
重复评价：脉冲宽度由最大结温的限制
②
脉冲测试：脉冲宽度= 250μs，其占空比
≤
2%
③
基本上是独立工作温度
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
FACT
ActiveArray
FACT静音系列
深不见底
快
CoolFET
FASTr
CROSSVOLT
FRFET
DOME
GlobalOptoisolator
EcoSPARK
GTO
2
TM
ê CMOS
HiSeC
EnSigna
TM
I
2
C
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
ImpliedDisconnect ？吃豆？
POP
等平面
Power247
LittleFET
的PowerTrench
的MicroFET
QFET
采用MicroPak
QS
MICROWIRE
QT光电
MSX
静音系列
MSXPro
RapidConfigure
OCX
RapidConnect
OCXPro
SILENT SWITCHER
OPTOLOGIC
SMART START
OPTOPLANAR
SPM
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
2.关键部件是在生命的任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
牧师I1
先进的小信号MOSFET
特点
n
快速开关时间
n
改进的感应耐用
n
较低的输入电容
n
扩展安全工作区
n
改善高温可靠性
2N7000BU/2N7000TA
BV
DSS
= 60 V
R
DS （ ON）
= 5.0
Ω
I
D
= 200毫安
TO-92
1.Source 2.门3.排水
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
特征
漏极至源极电压
连续漏电流（T
C
=25℃)
连续漏电流（T
C
=100℃)
漏电流脉冲
栅极 - 源极电压
总功率耗散（T
C
=25℃)
线性降额因子
工作结
存储温度范围
最大的铅温度。焊锡
目的， 1/8“案件从5秒
①
价值
60
200
110
1000
±30
400
3.2
- 55 + 150
单位
V
mA
mA
V
mW
毫瓦/ °
℃
300
热阻
符号
R
θJA
特征
结到环境
典型值。
--
马克斯。
312.5
单位
℃/W
版本B
2N7000BU/2N7000TA
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
特征
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门源泄漏，正向
门源漏，反
漏极至源极漏电流
静态漏源
导通状态电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
②
②
N沟道
小信号MOSFET
电气特性
(T
C
= 25 ℃除非另有规定）
分钟。典型值。马克斯。单位
60
0.3
0.4
--
--
--
--
--
0.1
--
--
--
--
--
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0.3
30
12
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3.9
2.2
100
-100
1
1000
5.0
--
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10
10
10
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ns
V
DD
=30V,I
D
=0.5A,
R
G
=15
②③
测试条件
V
GS
=0V,I
D
=250μA
V
DS
= V
GS
,I
D
=250μA
V
DS
= V
GS
,I
D
=1mA
V
GS
=15V
V
GS
=-15V
V
DS
=60V
V
DS
=45V,T
C
=125℃
V
GS
=10V,I
D
=0.5A
V
DS
=15V,I
D
=0.5A
V
GS
=0V,V
DS
=25V,
F = 1MHz的
V
V
nA
μA
S
pF
注意事项;
①
重复评价：脉冲宽度由最大结温的限制
②
脉冲测试：脉冲宽度= 250μs，其占空比
≤
2%
③
基本上是独立工作温度
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
FACT
ActiveArray
FACT静音系列
深不见底
快
CoolFET
FASTr
CROSSVOLT
FRFET
DOME
GlobalOptoisolator
EcoSPARK
GTO
2
TM
ê CMOS
HiSeC
EnSigna
TM
I
2
C
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
ImpliedDisconnect ？吃豆？
POP
等平面
Power247
LittleFET
的PowerTrench
的MicroFET
QFET
采用MicroPak
QS
MICROWIRE
QT光电
MSX
静音系列
MSXPro
RapidConfigure
OCX
RapidConnect
OCXPro
SILENT SWITCHER
OPTOLOGIC
SMART START
OPTOPLANAR
SPM
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
2.关键部件是在生命的任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
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27C010TRPFS-12
206-502-22
235003P
204-10USOC/S400-A9
2-167301-2
2408-6272TB
2SA1807F5P
2-1437540-2
206151-1
供货商
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厂家
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数量
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单价/备注
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    联系人：杨小姐
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    2N7000TA
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    终端采购配单精选

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深圳市恒佳微电子有限公司
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电话：0755-88917652分机801-83200050
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