技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址：http ： //www.microsemi.com
N沟道MOSFET
每个合格的MIL -PRF- 557分之19500
器件
水平
2N6796
2N6796U
JAN
JANTX
JANTXV
绝对最大额定值（T
C
= + 25 ° C除非另有说明）
参数/测试条件
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
连续漏电流
T
C
= +25°C
连续漏电流
T
C
= +100°C
马克斯。功耗
漏极至源极导通电阻
工作&储存温度
注意：
（ 1 ） 0.2 W / ℃，对于T线性下降
C
> + 25°C
(2) V
GS
= 10Vdc的，我
D
= 5.0A
电气特性
(T
A
= + 25℃ ，除非另有说明）
参数/测试条件
漏源击穿电压
V
GS
= 0V时，我
D
= 1mAdc
栅源电压（阈值）
V
DS
≥
V
GS
, I
D
= 0.25毫安
V
DS
≥
V
GS
, I
D
= 0.25毫安，T
j
= +125°C
V
DS
≥
V
GS
, I
D
= 0.25毫安，T
j
= -55°C
栅电流
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V ，T
j
= +125°C
漏电流
V
GS
= 0V, V
DS
= 80V
V
GS
= 0V, V
DS
= 80V ，T
j
= +125°C
静态漏源导通电阻
V
GS
= 10V ，我
D
= 5.0A脉冲
V
GS
= 10V ，我
D
= 8.0A脉冲
T
j
= +125°C
V
GS
= 10V ，我
D
= 5.0A脉冲
二极管的正向电压
V
GS
= 0V时，我
D
= 8.0A脉冲
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS(th)1
V
GS(th)2
V
GS(th)3
I
GSS1
I
GSS2
I
DSS1
I
DSS2
r
DS(on)1
r
DS(on)2
r
DS(on)3
V
SD
分钟。
100
2.0
1.0
4.0
5.0
±100
±200
25
0.25
0.18
0.195
0.35
1.5
马克斯。
单位
VDC
符号
V
DS
V
GS
I
D1
I
D2
P
tl
R
DS （ ON）
T
op
, T
英镑
价值
100
± 20
8.0
5.0
25
(1)
0.18
(2)
-55到+150
单位
VDC
VDC
ADC
ADC
W
Ω
°C
TO-205AF
（以前的TO- 39）
VDC
NADC
μAdc
MADC
Ω
Ω
Ω
VDC
ü - 18 LCC
T4 - LDS -0047修订版1（ 072807 ）
第1页2
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
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N沟道MOSFET
每个合格的MIL -PRF- 557分之19500
动态特性
参数/测试条件
栅极电荷：
导通状态的栅极电荷
门源费
栅漏电荷
开关特性
参数/测试条件
开关时间测试：
导通延迟时间
冲洗时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的反向恢复时间
I
D
= 8.0A ，V
GS
= 10V直流，
门极驱动电阻= 7.5Ω ，
V
DD
= 30V直流
的di / dt
≤
100A / μs的，V
DD
≤
50V,
I
F
= 8.0A
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
分钟。
马克斯。
30
75
40
45
300
单位
符号
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
分钟。
马克斯。
28.51
6.34
16.59
单位
nC
V
GS
= 10V ，我
D
= 8.0A
V
DS
= 50V
ns
ns
T4 - LDS -0047修订版1（ 072807 ）
第2页2
IRFE130
机械数据
尺寸mm （英寸）
N沟道
功率MOSFET
≈
2.16 (0.085)
1.27 (0.050)
1.07 (0.040)
9.14 (0.360)
8.64 (0.340)
12 13 14 15 16
1.39 (0.055)
1.02 (0.040)
11
7.62 (0.300)
7.12 (0.280)
17
18
1
2
0.76 (0.030)
0.51 (0.020)
10
9
8
V
DSS
I
D（续）
R
DS （ ON）
特点
100V
7.44A
0.207
7
6
5
4
3
1.65 (0.065)
1.40 (0.055)
0.33 (0.013)
弧度。
0.08 (0.003)
=表面贴装
小FOORPRINT
密封
动态的dv / dt额定值
1.39 (0.055)
1.15 (0.045)
0.43 (0.017)
0.18 （ 0.007拉德。
LCC4
MOSFET
门
漏
来源
雪崩能量评级
引脚
4,5
1,2,15,16,17,18
6,7,8,9,10,11,12,13
晶体管
BASE
集热器
辐射源
简单的驱动要求
轻
绝对最大额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
E
AS
dv / dt的
T
J
, T
英镑
栅 - 源电压
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
1
功率耗散@ T
例
= 25°C
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
2
峰值二极管恢复
3
工作和存储温度范围
表面温度（ 5秒） 。
(V
GS
= 10V ，T
例
= 25°C)
(V
GS
= 10V ，T
例
= 100°C)
±20V
7.4A
4.7A
30A
22W
0.17W/°C
75mJ
5.5V/ns
-55到+ 150°C
300°C
笔记
1 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
300s,
δ ≤
2%
2) @ V
DD
= 50V ，L
≥
570μH ，R
G
= 25Ω ，山顶我
L
= 14A ，起始物为
J
= 25°C
3) @ I
SD
≤
图14A中， di / dt的
≤
140A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS
, T
J
≤
150 ° C，建议
G
= 7.5
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612.电子邮件sales@semelab.co.uk
网站http://www.semelab.co.uk
10/98
IRFE130
电气特性
（温度上限= 25 ° C除非另有说明）
参数
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
R
DS （ ON）
静电额定值
漏极 - 源极击穿电压
温度COEF网络cient
击穿电压
静态漏 - 源极导通状态
阻力
1
正向跨导
1
零栅极电压漏极电流
正向栅 - 源极漏
反向栅极 - 源极漏
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅 - 源电荷
门 - 漏极（ “米勒” ）费
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
测试条件
V
GS
= 0
I
D
= 1毫安
参考至25℃
I
D
= 1毫安
V
GS
= 10V
V
GS
= 10V
V
DS
= V
GS
V
DS
≥
15V
V
GS
= 0
V
GS
= 20V
V
GS
= –20V
V
GS
= 0
V
DS
= 25V
F = 1MHz的
V
GS
= 10V
I
D
= 7.4A
V
DS
= 0.5BV
DSS
V
DD
= 50V
I
D
= 7.4A
R
G
= 7.5
I
D
= 4.7A
I
D
= 7.4A
I
D
= 250毫安
I
DS
= 4.7A
V
DS
= 0.8BV
DSS
T
J
= 125°C
分钟。
100
典型值。
马克斯。
单位
V
0.10
0.18
0.207
2
3
25
250
100
–100
650
240
44
12.8
1.0
3.8
28.5
6.3
16.6
30
75
40
45
7.4
30
4
V /°C的
V
S ()
A
nA
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
g
fs
I
DSS
I
GSS
I
GSS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
L
D
L
S
pF
nC
ns
源 - 漏极二极管的特性
连续源电流
脉冲源电流
2
I
S
= 7.4A
二极管的正向电压
1
V
GS
= 0
反向恢复时间
I
F
= 7.4A
反向恢复电荷
1
向前开启时间
A
V
ns
C
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C
微不足道
1.8
4.3
1.5
300
3.0
d
i
/ d
t
≤
100A / μs的V
DD
≤
50V
封装特性
内部排水电感
（从6mm向下漏极引出测量到模具的中心）
内部源极电感
（从6mm下来源铅源焊盘）
热特性
热阻结 - 壳
热电阻交界 - PC板
nH
R
θJC
R
θJPC
5.8
19
° C / W
笔记
1 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
300ms,
δ ≤
2%
2 ）重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612.电子邮件sales@semelab.co.uk
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10/98
技术数据表
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戈特路商业园，恩尼斯，公司克莱尔，爱尔兰
联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044传真： +353 （ 0 ） 65 6822298
N沟道MOSFET
每个合格的MIL -PRF- 557分之19500
器件
水平
2N6796
2N6796U
JAN
JANTX
JANTXV
符号
V
DS
V
GS
价值
100
± 20
8.0
5.0
25
(1)
1.8
(2)
-55到+150
单位
VDC
VDC
ADC
ADC
W
Ω
°C
TO-205AF
（以前的TO- 39）
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS(th)1
V
GS(th)2
V
GS(th)3
I
GSS1
I
GSS2
I
DSS1
I
DSS2
r
DS(on)1
r
DS(on)2
r
DS(on)3
V
SD
分钟。
100
2.0
1.0
4.0
5.0
±100
±200
25
0.25
0.18
0.195
0.35
1.5
NADC
μAdc
MADC
Ω
Ω
Ω
VDC
马克斯。
单位
VDC
VDC
绝对最大额定值
(T
C
= + 25 ° C除非另有说明）
参数/测试条件
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
连续漏电流
T
C
= +25°C
连续漏电流
T
C
= +100°C
马克斯。功耗
漏极至源极导通电阻
工作&储存温度
注意：
（ 1 ） 0.2 W / ℃，对于T线性下降
C
> + 25°C
(2) V
GS
= 10Vdc的，我
D
= 5.0A
电气特性
(T
A
= + 25℃ ，除非另有说明）
参数/测试条件
关CHARACTERTICS
漏源击穿电压
V
GS
= 0V时，我
D
= 1mAdc
栅源电压（阈值）
V
DS
≥
V
GS
, I
D
= 0.25毫安
V
DS
≥
V
GS
, I
D
= 0.25毫安，T
j
= +125°C
V
DS
≥
V
GS
, I
D
= 0.25毫安，T
j
= -55°C
栅电流
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V ，T
j
= +125°C
漏电流
V
GS
= 0V, V
DS
= 80V
V
GS
= 0V, V
DS
= 80V ，T
j
= +125°C
静态漏源导通电阻
V
GS
= 10V ，我
D
= 5.0A脉冲
V
GS
= 10V ，我
D
= 8.0A脉冲
T
j
= +125°C
V
GS
= 10V ，我
D
= 5.0A脉冲
二极管的正向电压
V
GS
= 0V时，我
D
= 8.0A脉冲
I
D1
I
D2
P
tl
R
DS （ ON）
T
op
, T
英镑
ü - 18 LCC
T4 - LDS -0047版本2 （ 101281 ）
第1页4
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
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戈特路商业园，恩尼斯，公司克莱尔，爱尔兰
联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044传真： +353 （ 0 ） 65 6822298
动态特性
参数/测试条件
栅极电荷：
导通状态的栅极电荷
门源费
栅漏电荷
开关特性
参数/测试条件
开关时间测试：
导通延迟时间
冲洗时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的反向恢复时间
I
D
= 8.0A ，V
GS
= 10V直流，
门极驱动电阻= 7.5Ω ，
V
DD
= 30V直流
的di / dt
≤
100A / μs的，V
DD
≤
50V,
I
F
= 8.0A
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
分钟。
马克斯。
30
75
40
45
300
单位
符号
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
分钟。
马克斯。
28.51
6.34
16.59
单位
V
GS
= 10V ，我
D
= 8.0A
V
DS
= 50V
nC
ns
ns
T4 - LDS -0047版本2 （ 101281 ）
第2页4
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包装尺寸
LTR
CD
CH
HD
h
J
k
LD
LL
LS
LU
L
1
L
2
P
Q
r
α
尺寸
英寸
MILLIMETERS
民
最大最小
最大
.305 .355 7.75
9.02
.160 .180 4.07
4.57
.335 .370 8.51
9.39
.009
.041 0.23
1.04
.028
.034 0.72
0.86
.029
.045 0.74
1.14
.016 .021 0.41
0.53
.500
.750 12.7 19.05
0.200 TP
5.08 TP
.016 .019 0.41
0.48
.050
1.27
.250
6.35
.070
1.78
.050
1.27
.010
0.25
45 ° TP
45 ° TP
笔记
2
3
7, 8
7, 8
6
7, 8
7, 8
7, 8
5
4
9
6
注意事项：
尺寸为英寸。毫米给出的只是一般信息。
除了半径（r ）最大，J应保持的0.011 （ 0.028毫米）的最小长度。
从最大的高清测量尺寸k 。
大纲在这个区域不被控制。
CD尺寸变化应不大于0.010 （0.25毫米）的区域P.此区域的控制进行自动处理。
6.信息以低于飞机座位计平面0.054 +.001 ， -.000 （ 1.37 0.03 ， -0.00毫米），应在0.007
在最大的物质条件（ MMC ），相对于选项卡MMC实际位置（TP ） （0.18 MM）半径。
6 ，LU应用于L1和L2之间。 LD适用于L2和L最小值之间。直径不受控制的L1和超越LL
最低限度。
7这三个线索。
8半径（R）适用于标签的两个内角。
9漏极电连接的情况。
10根据ASME Y14.5M ，直径相当于
φx
符号。
1
2
3
4
5
图1 。
物理尺寸的TO- 205AF 。
T4 - LDS -0047版本2 （ 101281 ）
第3页4
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包装尺寸
注意事项：
1
2
3
4
尺寸为英寸。
毫米给出的只是一般信息。
根据ASME Y14.5M ，直径相当于
φx
符号。
陶瓷封装而已。
LTR
BL
BW
CH
LL1
LL2
LS
LS1
LS2
LW
Q1
Q2
Q3
TL
TW
尺寸
英寸
MILLIMETERS
民
最大
民
最大
.345
.360
8.77
.280
.295
7.11
.095
.115
2.41
.040
.055
1.02
.055
.065
1.40
.050 BSC
1.27 BSC
0.025 BSC
0.635 BSC
0.008 BSC
0.203 BSC
.020
.030
0.51
0.76
0.105 REF
2.67 REF
0.120 REF
3.05 REF
.045
.055
1.14
1.40
.070
.080
1.78
2.03
.120
.130
3.05
3.30
图2中。
物理尺寸为LCC 。
T4 - LDS -0047版本2 （ 101281 ）
第4页4
