【】,IC型号2N6788,2N6788 PDF资料,2N6788经销商,ic,电子元器件-51电子网

以前的数据表

指数

下一页数据表

临时数据表号PD- 9.426B

HEXFET

JANTX2N6788

功率MOSFET

JANTXV2N6788

[ REF ： MIL -PRF-五百五十五分之一万九千五百]

[ GENERIC ： IRFF120 ]

N沟道

产品概述

产品型号

JANTX2N6788

JANTXV2N6788

DSS

100V

DS （ ON）

0.30

6.0A

100伏， 0.30Ω HEXFET

HEXFET技术的关键在于国际

功率MOSFET的整流先进的线晶体管

器。高效的几何结构实现了非常低的导通

态电阻结合高跨导。

HEXFET晶体管还具有所有的精心上课 -

MOSFET的tablish优点，如电压

控制，非常快速的切换，方便并联和

电参数的温度稳定性。他们是

非常适合用于诸如开关电源

电源，电机控制，逆变器，砍砸器，音频

放大器和高能量脉冲电路和虚拟轴

加盟那些需要高可靠性的应用程序。

产品特点：

雪崩能量评级

动态的dv / dt额定值

简单的驱动要求

易于并联的

密封式

绝对最大额定值

参数

ID @ V GS = 10V ， TC = 25℃连续漏电流

ID @ VGS = 10V ， TC = 100 ℃的连续漏电流

IDM

漏电流脉冲

PD @ TC = 25°C

VGS

dv / dt的

TSTG

马克斯。功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度

重量

JANTX2N6788 ， JANTXV2N6788

单位

6.0

3.5

0.16

±20

5.5

-55到150

300（ 0.063英寸（ 1.6毫米）从

案例10.5秒为单位）

0.98 （典型值）

W / K

V / ns的

TO ORDER

以前的数据表

JANTX2N6788 ， JANTXV2N6788设备

指数

下一页数据表

电气特性

@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）

参数

BVDSS

漏极至源极击穿电压

ΔBV

细数DSS / ΔTJ温度系数

电压

RDS （ ON）

静态漏 - 源

导通状态电阻

VGS （ TH）

栅极阈值电压

政府飞行服务队

正向跨导

IDSS

零栅极电压漏极电流

分钟。

100

—

2.0

1.5

—

7.7

0.7

2.0

—

TYP 。 MAX 。单位

—

0.10

—

5.0

—

0.30

0.345

4.0

—

250

100

-100

4.0

7.7

—

V /°C的

S( )

测试条件

VGS = 0V ，ID = 1.0毫安

参考至25℃ ， n = 1.0毫安

VGS = 10V ，ID = 3.5A

VGS = 10V ，ID = 6.0A

VDS = VGS ，ID = 250μA

VDS > 15V ， IDS = 3.5A

VDS = 0.8×最大额定值， VGS = 0V

VDS = 0.8×最高评级

VGS = 0V ， TJ = 125°C

VGS = 20V

VGS = -20V

VGS = 10V ，ID = 6.0A

VDS =最大。评分×0.5

参见图6和图13

VDD = 50V ， ID = 6.0A ，

RG = 7.5Ω ， VGS = 10V

见图10

测量从

修改MOSFET

漏极引线的6mm （ 0.25

符号显示的

英寸）从包

内部电感。

中心模具。

测量从

来源铅的6mm

（0.25 ）从包

到源焊盘。

IGSS

QGS

QGD

TD （上）

TD （关闭）

栅极 - 源极漏进

栅极 - 源极漏反

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

—

西塞

科斯

CRSS

输入电容

输出电容

反向传输电容

—

350

150

—

VGS = 0V ， VDS = 25V

F = 1.0 MHz的

参见图5

源极 - 漏极二极管额定值和特性

参数

我SM

连续源电流（体二极管）

脉冲源电流（体二极管）

分钟。典型值。马克斯。单位

—

6.0

测试条件

示出了修改后的MOSFET符号

积分反向p-n结整流器。

VSD

吨RR

Q RR

T ON

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

—

1.8

240

2.0

= 25°C ， IS = 6.0A ， VGS = 0V

TJ = 25°C ， IF = 6.0A ， di / dt的

≤

100A/s

VDD

≤

50V

固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。

热阻

参数

RthJC

RthJA

结到外壳

结到环境

分钟。典型值。马克斯。单位

—

6.25

175

K / W

测试条件

典型的插座安装

TO ORDER

以前的数据表

JANTX2N6788 ， JANTXV2N6788设备

指数

下一页数据表

图。 1 - 典型的输出特性

= 25°C

图。 2 - 典型的输出特性

= 150°C

图。 3 - 典型的传输特性

图。 4 - 归通电阻Vs.Temperature

图。 5 - 典型的电容比。漏 - 源

电压

图。 6 - 典型栅极电荷比。栅极 - 源

电压

TO ORDER

以前的数据表

JANTX2N6788 ， JANTXV2N6788设备

指数

下一页数据表

图。 7 - 典型的源极到漏极二极管正向

电压

图。 8 - 最高安全工作区

图。 9 - 最大漏极电流比。外壳温度

图。 10A - 开关时间测试电路

图。 10B - 开关时间波形

TO ORDER

以前的数据表

JANTX2N6788 ， JANTXV2N6788设备

指数

下一页数据表

图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳比。脉冲持续时间

图。 12A - 非钳位感应测试电路

图。 12B - 松开电感的波形

图。 13A - 栅极电荷测试电路

图。 13B - 基本栅极电荷波形

TO ORDER

以前的数据表

指数

下一页数据表

临时数据表号PD- 9.426B

HEXFET

JANTX2N6788

功率MOSFET

JANTXV2N6788

[ REF ： MIL -PRF-五百五十五分之一万九千五百]

[ GENERIC ： IRFF120 ]

N沟道

产品概述

产品型号

JANTX2N6788

JANTXV2N6788

DSS

100V

DS （ ON）

0.30

6.0A

100伏， 0.30Ω HEXFET

HEXFET技术的关键在于国际

功率MOSFET的整流先进的线晶体管

器。高效的几何结构实现了非常低的导通

态电阻结合高跨导。

HEXFET晶体管还具有所有的精心上课 -

MOSFET的tablish优点，如电压

控制，非常快速的切换，方便并联和

电参数的温度稳定性。他们是

非常适合用于诸如开关电源

电源，电机控制，逆变器，砍砸器，音频

放大器和高能量脉冲电路和虚拟轴

加盟那些需要高可靠性的应用程序。

产品特点：

雪崩能量评级

动态的dv / dt额定值

简单的驱动要求

易于并联的

密封式

绝对最大额定值

参数

ID @ V GS = 10V ， TC = 25℃连续漏电流

ID @ VGS = 10V ， TC = 100 ℃的连续漏电流

IDM

漏电流脉冲

PD @ TC = 25°C

VGS

dv / dt的

TSTG

马克斯。功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度

重量

JANTX2N6788 ， JANTXV2N6788

单位

6.0

3.5

0.16

±20

5.5

-55到150

300（ 0.063英寸（ 1.6毫米）从

案例10.5秒为单位）

0.98 （典型值）

W / K

V / ns的

TO ORDER

以前的数据表

JANTX2N6788 ， JANTXV2N6788设备

指数

下一页数据表

电气特性

@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）

参数

BVDSS

漏极至源极击穿电压

ΔBV

细数DSS / ΔTJ温度系数

电压

RDS （ ON）

静态漏 - 源

导通状态电阻

VGS （ TH）

栅极阈值电压

政府飞行服务队

正向跨导

IDSS

零栅极电压漏极电流

分钟。

100

—

2.0

1.5

—

7.7

0.7

2.0

—

TYP 。 MAX 。单位

—

0.10

—

5.0

—

0.30

0.345

4.0

—

250

100

-100

4.0

7.7

—

V /°C的

S( )

测试条件

VGS = 0V ，ID = 1.0毫安

参考至25℃ ， n = 1.0毫安

VGS = 10V ，ID = 3.5A

VGS = 10V ，ID = 6.0A

VDS = VGS ，ID = 250μA

VDS > 15V ， IDS = 3.5A

VDS = 0.8×最大额定值， VGS = 0V

VDS = 0.8×最高评级

VGS = 0V ， TJ = 125°C

VGS = 20V

VGS = -20V

VGS = 10V ，ID = 6.0A

VDS =最大。评分×0.5

参见图6和图13

VDD = 50V ， ID = 6.0A ，

RG = 7.5Ω ， VGS = 10V

见图10

测量从

修改MOSFET

漏极引线的6mm （ 0.25

符号显示的

英寸）从包

内部电感。

中心模具。

测量从

来源铅的6mm

（0.25 ）从包

到源焊盘。

IGSS

QGS

QGD

TD （上）

TD （关闭）

栅极 - 源极漏进

栅极 - 源极漏反

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

—

西塞

科斯

CRSS

输入电容

输出电容

反向传输电容

—

350

150

—

VGS = 0V ， VDS = 25V

F = 1.0 MHz的

参见图5

源极 - 漏极二极管额定值和特性

参数

我SM

连续源电流（体二极管）

脉冲源电流（体二极管）

分钟。典型值。马克斯。单位

—

6.0

测试条件

示出了修改后的MOSFET符号

积分反向p-n结整流器。

VSD

吨RR

Q RR

T ON

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

—

1.8

240

2.0

= 25°C ， IS = 6.0A ， VGS = 0V

TJ = 25°C ， IF = 6.0A ， di / dt的

≤

100A/s

VDD

≤

50V

固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。

热阻

参数

RthJC

RthJA

结到外壳

结到环境

分钟。典型值。马克斯。单位

—

6.25

175

K / W

测试条件

典型的插座安装

TO ORDER

以前的数据表

JANTX2N6788 ， JANTXV2N6788设备

指数

下一页数据表

图。 1 - 典型的输出特性

= 25°C

图。 2 - 典型的输出特性

= 150°C

图。 3 - 典型的传输特性

图。 4 - 归通电阻Vs.Temperature

图。 5 - 典型的电容比。漏 - 源

电压

图。 6 - 典型栅极电荷比。栅极 - 源

电压

TO ORDER

以前的数据表

JANTX2N6788 ， JANTXV2N6788设备

指数

下一页数据表

图。 7 - 典型的源极到漏极二极管正向

电压

图。 8 - 最高安全工作区

图。 9 - 最大漏极电流比。外壳温度

图。 10A - 开关时间测试电路

图。 10B - 开关时间波形

TO ORDER

以前的数据表

JANTX2N6788 ， JANTXV2N6788设备

指数

下一页数据表

图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳比。脉冲持续时间

图。 12A - 非钳位感应测试电路

图。 12B - 松开电感的波形

图。 13A - 栅极电荷测试电路

图。 13B - 基本栅极电荷波形

TO ORDER

技术数据表

6湖街，劳伦斯，MA 01841

1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真：（ 978 ） 689-0803

网址：http ： //www.microsemi.com

N沟道MOSFET

每个合格的MIL -PRF-五百五十五分之一万九千五百

器件

水平

2N6788

2N6788U

JAN

JANTX

JANTXV

绝对最大额定值

= + 25 ° C除非另有说明）

参数/测试条件

漏 - 源极电压

栅 - 源电压

连续漏电流

= +25°C

连续漏电流

= +100°C

马克斯。功耗

漏极至源极导通电阻

工作&储存温度

2N6788

2N3788U

2N6788

2N3788U

2N6788

2N3788U

符号

DS （ ON）

, T

英镑

价值

100

± 20

6.0

4.5

3.5

2.8

(1)

0.30

(2)

-55到+150

单位

VDC

ADC

°C

TO-205AF

（以前的TO- 39）

注意：

（ 1 ） 0.16 W / ° C（ 2N6788 ）线性下降; 0.11 W / ° C（ 2N6788U ）对于T

> + 25°C

(2) V

= 10Vdc的，我

= 3.5A （ 2N6788 ）， 2.8A （ 2N6788U ）

电气特性

= + 25℃ ，除非另有说明）

参数/测试条件

关CHARACTERTICS

符号

分钟。

马克斯。

单位

漏源击穿电压

= 0V时，我

= 1mAdc

栅源电压（阈值）

≥

, I

= 0.25毫安

≥

, I

= 0.25毫安，T

= +125°C

≥

, I

= 0.25毫安，T

= -55°C

栅电流

= ±20V, V

= 0V

= ±20V, V

= 0V ，T

= +125°C

（ BR ） DSS

GS(th)1

GS(th)2

GS(th)3

100

2.0

1.0

4.0

5.0

VDC

ü - 18 LCC

VDC

GSS1

GSS2

±100

±200

NADC

T4 - LDS - 0164修订版1（ 100553 ）

第1页4

技术数据表

6湖街，劳伦斯，MA 01841

1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真：（ 978 ） 689-0803

网址：http ： //www.microsemi.com

电气特性

= + 25 ℃，除非另有说明）（续）

参数/测试条件

关CHARACTERTICS

符号

分钟。

马克斯。

单位

漏电流

= 0V, V

= 80V

= 0V, V

= 80V ，T

= +125°C

静态漏源导通电阻

= 10V ，我

= 3.5A脉冲

= 10V ，我

= 2.8A脉冲

= 10V ，我

= 6.0A脉冲

= 10V ，我

= 4.5A脉冲

= +125°C

= 10V ，我

= 3.5A脉冲

= 10V ，我

= 2.8A脉冲

二极管的正向电压

= 0V时，我

= 6.0A脉冲

= 0V时，我

= 4.5A脉冲

动态特性

参数/测试条件

栅极电荷：

导通状态的栅极电荷

门源费

栅漏电荷

= 50V

= 10V ，我

= 6.0A

= 10V ，我

= 4.5A

2N6788

2N3788U

2N6788

2N3788U

2N6788

2N3788U

2N6788

2N3788U

DSS1

DSS2

0.25

μAdc

MADC

DS(on)1

DS(on)2

0.30

0.35

DS(on)3

0.54

1.8

VDC

符号

G（ ON）的

分钟。

马克斯。

18.0

4.0

9.0

单位

2N6788

2N3788U

开关特性

参数/测试条件

开关时间测试：

导通延迟时间

冲洗时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

二极管的反向恢复时间

= 6.0A ，V

= 10V直流

= 4.5A ，V

= 10V直流

门极驱动电阻= 7.5Ω ，

= 35VDC

的di / dt

≤

100A / μs的，V

≤

50V,

= 6.0A

= 4.5A

2N6788

2N3788U

符号

D（上）

D（关闭）

分钟。

马克斯。

240

单位

2N6788

2N3788U

T4 - LDS - 0164修订版1（ 100553 ）

第2页4

技术数据表

6湖街，劳伦斯，MA 01841

1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真：（ 978 ） 689-0803

网址：http ： //www.microsemi.com

包装尺寸

LTR

尺寸

英寸

MILLIMETERS

民

最大

民

最大

.305

.160

.335

.009

.028

.029

.016

.500

.016

.250

.070

.050

.010

45 ° TP

.355

.180

.370

.041

.034

.045

.021

.750

.019

.050

6.35

1.78

1.27

0.25

45 ° TP

7.75

4.07

8.51

0.23

0.72

0.74

0.41

12.7

0.41

9.02

4.57

9.39

1.04

0.86

1.14

0.53

19.05

0.48

1.27

笔记

7, 8

0.200 TP

5.08 TP

注意事项：

尺寸为英寸。毫米给出的只是一般信息。

除了半径（r ）最大，J应保持的0.011 （ 0.028毫米）的最小长度。

从最大的高清测量尺寸k 。

大纲在这个区域不被控制。

CD尺寸变化应不大于0.010 （0.25毫米）的区域P.此区域的控制进行自动处理。

信息在以下座位平面计平面0.054 +.001 ， -.000 （ 1.37 0.03 ， -0.00毫米）应为0.007 （0.18 MM）半径范围内

实际位置（TP ）的最大使用材料情况（ MMC ），相对于选项卡MMC 。

7 ，LU应用于L1和L2之间。 LD适用于L2和L最小值之间。直径不受控制的L1和超越LL

最低限度。

8这三个线索。

9半径（R）适用于标签的两个内角。

10漏极电连接的情况。

11根据ASME Y14.5M ，直径相当于

φx

符号。

*图1-

物理尺寸的TO- 205AF

T4 - LDS - 0164修订版1（ 100553 ）

第3页4

技术数据表

6湖街，劳伦斯，MA 01841

1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真：（ 978 ） 689-0803

网址：http ： //www.microsemi.com

注意事项：

1尺寸为英寸。

2毫米给出的只是一般信息。

3根据ASME Y14.5M ，直径相当于

φx

符号。

4陶瓷封装而已。

LTR

LL1

LL2

LS1

LS2

尺寸

英寸

MILLIMETERS

民

最大

民

最大

.345

.360

8.77

.280

.295

7.11

.095

.115

2.41

.040

.055

1.02

.055

.065

1.40

.050 BSC

1.27 BSC

0.025 BSC

0.635 BSC

0.008 BSC

0.203 BSC

.020

.030

0.51

0.76

0.105 REF

2.67 REF

0.120 REF

3.05 REF

.045

.055

1.14

1.40

.070

.080

1.78

2.03

.120

.130

3.05

3.30

*图2 -

物理尺寸为LCC 。

T4 - LDS - 0164修订版1（ 100553 ）

第4页4

2N6788

IRFF120

机械数据

尺寸mm （英寸）

8.64 (0.34)

9.40 (0.37)

8.01 (0.315)

9.01 (0.355)

N沟道

功率MOSFET

增强型

4.06 (0.16)

4.57 (0.18)

12.70

(0.500)

分钟。

0.89最大。

(0.035)

0.41 (0.016)

0.53 (0.021)

DIA 。

特点

雪崩能量评级

简单的驱动要求

5.08 (0.200)

典型值。

密封

2.54

(0.100)

0.74 (0.029)

1.14 (0.045)

0.71 (0.028)

0.53 (0.021)

应用

快速开关

45°

电机控制

电源

3脚 - 漏极与案例

TO39封装（ TO- 205AF ）

引脚1 - 来源

仰视图

PIN 2 - GATE

绝对最大额定值

例

= 25 ° C除非另有说明）

@Tcase = 25°C

@Tcase = 100℃

@ T

例

= 25°C

θJ -C

θJ -A

英镑

焊接温度

漏源电压

连续漏电流

漏电流脉冲1

门源电压

最大功率耗散

热阻结到外壳

热阻结到环境

工作和存储温度范围

(

1 ”

从案例10秒）

100V

6.0A

3.5A

24A

±20V

20W

6.25°C/W

175°C/W

-55到+ 150°C

300°C

Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信

是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。

Semelab鼓励客户以验证数据表是在下订单之前电流。

Semelab PLC 。

电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。

电子信箱：

sales@semelab.co.uk

网址：

http://www.semelab.co.uk

文档编号5513

第1期

2N6788

IRFF120

电气特性

（温度上限= 25 ° C除非另有说明）

参数

静电额定值

DSS

漏极 - 源极击穿电压

GS （次） *

栅极阈值电压

GSSF

GSSR

DSS

门体漏进

门体反向漏

零栅极电压漏极电流

= 0

= V

= 20V

= -20V

= 80V.

= 10V

= 15V

= 0

F = 1MHz的

= 50V

= 7.5

= 6.0A

= 10V

= 125°C

= 3.5A

= 6.0A

= 3.5A

= 25V

1.5

350

150

7.7

0.7

2.0

测试条件

= 1.0毫安

= 250A

分钟。

100

2.0

典型值。

马克斯。

单位

4.0

100

-100

250

0.30

0.345

S( )

DS （ ON） *

静态漏源通态

阻力

GFS *

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

QGS

QGD

正向跨导

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏（ “米勒” ）费

（ MOSFET开关时间基本上是

独立的工作温度。）

= 10V

= 50V

= 6.0A

4.0

7.7

6.0

体 - 漏二极管额定值&特性

修改MOS功率

连续源电流（体

二极管）

源电流（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

符号表示intergal

p-n结整流器。

1.8

240

2.0

= 6.0A

= 25°C

= 6.0A

= 0

= 25°C

/ d

100A / μs的VDD = 50V

笔记

*脉冲测试：脉冲宽度

≤

300s,

δ ≤

Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信

是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。

Semelab鼓励客户以验证数据表是在下订单之前电流。

Semelab PLC 。

电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。

电子信箱：

sales@semelab.co.uk

网址：

http://www.semelab.co.uk

文档编号5513

第1期