技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址：http ： //www.microsemi.com
N沟道MOSFET
每个合格的MIL -PRF-五百四十三分之一万九千五
器件
水平
2N6770
2N6770T1
JAN
JANTX
JANTXV
绝对最大额定值（T
C
= + 25 ° C除非另有说明）
参数/测试条件
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
连续漏电流
T
C
= +25°C
连续漏电流
T
C
= +100°C
马克斯。功耗
漏极至源极导通电阻
工作&储存温度
注意：
（ 1 ）由1.2 W /°C，对于T线性下降
C
> + 25°C
(2) V
GS
= 10Vdc的，我
D
= 7.75A
电气特性
(T
A
= + 25℃ ，除非另有说明）
参数/测试条件
漏源击穿电压
V
GS
= 0V时，我
D
= 1mAdc
栅源电压（阈值）
V
DS
≥
V
GS
, I
D
= 0.25毫安
V
DS
≥
V
GS
, I
D
= 0.25毫安，T
j
= +125°C
V
DS
≥
V
GS
, I
D
= 0.25毫安，T
j
= -55°C
栅电流
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V ，T
j
= +125°C
漏电流
V
GS
= 0V, V
DS
= 400V
V
GS
= 0V, V
DS
= 400V ，T
j
= +125°C
静态漏源导通电阻
V
GS
= 10V ，我
D
= 7.75A脉冲
V
GS
= 10V ，我
D
= 12A脉冲
T
j
= +125°C
V
GS
= 10V ，我
D
= 7.75A脉冲
二极管的正向电压
V
GS
= 0V时，我
D
= 12A脉冲
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS(th)1
V
GS(th)2
V
GS(th)3
I
GSS1
I
GSS2
I
DSS1
I
DSS2
r
DS(on)1
r
DS(on)2
r
DS(on)3
V
SD
分钟。
500
2.0
1.0
4.0
5.0
±100
±200
马克斯。
单位
VDC
符号
V
DS
V
GS
I
D1
I
D2
P
tl
R
DS （ ON）
T
op
, T
英镑
价值
500
± 20
12
7.75
150
(1)
0.4
(2)
-55到+150
单位
VDC
VDC
ADC
ADC
W
Ω
°C
TO-204AA
(TO-3)
2N6770
VDC
NADC
25
0.25
0.4
0.5
0.88
1.7
μAdc
MADC
Ω
Ω
Ω
VDC
TO-254AA
2N6770T1
T4 - LDS -0044修订版1（ 072798 ）
第1页2
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
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N沟道MOSFET
每个合格的MIL -PRF-五百四十三分之一万九千五
动态特性
参数/测试条件
栅极电荷：
导通状态的栅极电荷
门源费
栅漏电荷
开关特性
参数/测试条件
开关时间测试：
导通延迟时间
冲洗时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的反向恢复时间
I
D
= 12A ，V
GS
= 10V直流，
栅极驱动阻抗= 2.35Ω ，
V
DD
= 250V直流
的di / dt
≤
100A / μs的，V
DD
≤
30V,
I
F
= 12A
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
分钟。
马克斯。
35
190
170
130
1600
单位
符号
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
分钟。
马克斯。
120
19
70
单位
nC
V
GS
= 10V ，我
D
= 12A
V
DS
= 50V
ns
ns
T4 - LDS -0044修订版1（ 072798 ）
第2页2
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
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网址： http://www.microsemi.com
戈特路商业园，恩尼斯，公司克莱尔，爱尔兰
联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044传真： +353 （ 0 ） 65 6822298
N沟道MOSFET
每个合格的MIL -PRF-五百四十三分之一万九千五
器件
水平
2N6768
2N6768T1
JAN
JANTX
JANTXV
绝对最大额定值
(T
C
= + 25 ° C除非另有说明）
参数/测试条件
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
连续漏电流
T
C
= +25°C
连续漏电流
T
C
= +100°C
马克斯。功耗
T
C
= +25°C
漏极至源极导通电阻
工作&储存温度
注意：
（ 1 ）由1.2 W /°C，对于T线性下降
C
> + 25°C
(2) V
GS
= 10Vdc的，我
D
= 9.0A
电气特性
(T
A
= + 25℃ ，除非另有说明）
参数/测试条件
关CHARACTERTICS
漏源击穿电压
V
GS
= 0V时，我
D
= 1mAdc
栅源电压（阈值）
V
DS
≥
V
GS
, I
D
= 0.25毫安
V
DS
≥
V
GS
, I
D
= 0.25毫安，T
j
= +125°C
V
DS
≥
V
GS
, I
D
= 0.25毫安，T
j
= -55°C
栅电流
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V ，T
j
= +125°C
漏电流
V
GS
= 0V, V
DS
= 320V
V
GS
= 0V, V
DS
= 400V ，T
j
= +125°C
V
GS
= 0V, V
DS
= 320V ，T
j
= +125°C
静态漏源导通电阻
V
GS
= 10V ，我
D2
= 9A脉冲
V
GS
= 10V ，我
D1
= 4A脉冲
T
j
= +125°C
V
GS
= 10V ，我
D2
= 9A脉冲
二极管的正向电压
V
GS
= 0V时，我
D1
= 14A脉冲
T4 - LDS -0043版本2 （ 101484 ）
符号
V
DS
V
GS
I
D1
I
D2
P
tl
R
DS （ ON）
T
op
, T
英镑
价值
400
± 20
14
9.0
150
(1)
0.3
(2)
-55到+150
单位
VDC
VDC
ADC
ADC
W
Ω
°C
2N6768
TO- 204AA （TO- 3）
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS(th)1
V
GS(th)2
V
GS(th)3
I
GSS1
I
GSS2
I
DSS1
I
DSS2
I
DSS3
r
DS(on)1
r
DS(on)2
r
DS(on)3
V
SD
分钟。
400
2.0
1.0
马克斯。
单位
VDC
4.0
5.0
±100
±200
25
1.0
0.25
0.3
0.4
0.66
1.7
VDC
2N6768T1 （TO- 254AA ）
NADC
μAdc
MADC
MADC
Ω
Ω
Ω
VDC
第1页5
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
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戈特路商业园，恩尼斯，公司克莱尔，爱尔兰
联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044传真： +353 （ 0 ） 65 6822298
动态特性
参数/测试条件
栅极电荷：
导通状态的栅极电荷
门源费
栅漏电荷
符号
V
GS
= 10V ，我
D
= 14A
V
DS
= 50V
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
分钟。
马克斯。
110
18
65
单位
nC
开关特性
参数/测试条件
开关时间测试：
导通延迟时间
冲洗时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的反向恢复时间
I
D
= 14A ，V
GS
= 10V直流，
栅极驱动阻抗= 2.35Ω ，
V
DD
= 200V直流
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
分钟。
马克斯。
35
190
170
130
1200
单位
ns
的di / dt
≤
100A / μs的，V
DD
≤
30V ，我
F
= 14A
ns
T4 - LDS -0043版本2 （ 101484 ）
页2的5
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
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包装尺寸
T4 - LDS -0043版本2 （ 101484 ）
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技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址： http://www.microsemi.com
戈特路商业园，恩尼斯，公司克莱尔，爱尔兰
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包装尺寸
尺寸
英寸
MILLIMETERS
民
最大
民
最大
.875
22.23
.250
.360
6.35
9.15
.495
.525
12.57
13.3
.131
.188
3.33
4.78
.060
.135
1.52
3.43
.057
.063
1.45
1.60
.038
.043
0.97
1.10
.312
.500
7.92
12.70
.050
1.27
.151
.161
3.84
4.09
1.177
1.197
29.90
30.40
.420
.440
10.67
11.18
.205
.225
5.21
5.72
.655
.675
16.64
17.15
LTR
CD
CH
HR
HR
1
HT
LD
LL
L
1
MHD
讯息处理系统
PS
PS
1
S
笔记
5
6
3
7
注意事项：
1.尺寸以英寸。
2.毫米给出的只是一般信息。
3.这些尺寸应在点0.050英寸（1.27毫米）和0.055英寸（1.40 MM）低于飞机座位进行测量。当
计不使用时，测量将在底座面制成。
4.头的座位平面应在0.001英寸（ 0.03毫米）凹平面到0.004英寸（ 0.10毫米）凸内侧的
0.930英寸（ 23.62毫米）上的报头的中心和平面内0.001英寸（ 0.03毫米）凹到0.006英寸直径的圆
（ 0.15毫米）凸整体。
5.这些方面涉及到的2N6764和2N6766型。
6.这些方面涉及到的2N6768和2N6770型。
7.安装孔应去毛刺在飞机座位边。
8.漏极电连接的情况。
9.按照ASME Y14.5M ，直径相当于
φx
符号。
图1 。
晶体管类型2N6764和物理尺寸2N6766 TO- 204AE ;
对于类型2N6768和2N6770 ， TO- 204AA
T4 - LDS -0043版本2 （ 101484 ）
第4 5
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戈特路商业园，恩尼斯，公司克莱尔，爱尔兰
联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044传真： +353 （ 0 ） 65 6822298
包装尺寸
LTR
BL
CH
LD
LL
LO
LS
MHD
姆欧
TL
TT
TW
第一学期
第二学期
第三学期
尺寸
英寸
MILLIMETERS
民
最大
民
最大
.535
.545
13.59
13.84
.249
.260
6.32
6.60
.035
.045
0.89
1.14
.510
.570
12.95
14.48
.150 BSC
3.81 BSC
.150 BSC
3.81 BSC
.139
.149
3.53
3.78
.665
.685
16.89
17.40
.790
.800
20.07
20.32
.040
.050
1.02
1.27
.535
.545
13.59
13.84
漏
来源
门
笔记
3, 4
注意事项：
1.尺寸以英寸。
2.毫米给出的只是一般信息。
3.突厚度陶瓷小孔中包含的尺寸LL 。
4.所有终端的情况下隔离。
5.根据ASME Y14.5M ，直径相当于
φx
符号。
图2中。
物理尺寸为2N6764T1 ， 2N6766T1 ， 2N6768T1和2N6770T1 （ TO- 254AA ） 。
T4 - LDS -0043版本2 （ 101484 ）
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技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址： http://www.microsemi.com
戈特路商业园，恩尼斯，公司克莱尔，爱尔兰
联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044传真： +353 （ 0 ） 65 6822298
N沟道MOSFET
每个合格的MIL -PRF-五百四十三分之一万九千五
器件
水平
2N6764
2N6764T1
JAN
JANTX
JANTXV
绝对最大额定值
(T
C
= + 25 ° C除非另有说明）
参数/测试条件
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
连续漏电流
T
C
= +25°C
连续漏电流
T
C
= +100°C
马克斯。功耗
T
C
= +25°C
漏极至源极导通电阻
工作&储存温度
注意：
（ 1 ）由1.2 W /°C，对于T线性下降
C
> + 25°C
(2) V
GS
= 10Vdc的，我
D
= 24A
电气特性
(T
A
= + 25℃ ，除非另有说明）
参数/测试条件
关CHARACTERTICS
漏源击穿电压
V
GS
= 0V时，我
D
= 1mAdc
栅源电压（阈值）
V
DS
≥
V
GS
, I
D
= 0.25毫安
V
DS
≥
V
GS
, I
D
= 0.25毫安，T
j
= +125°C
V
DS
≥
V
GS
, I
D
= 0.25毫安，T
j
= -55°C
栅电流
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V ，T
j
= +125°C
漏电流
V
GS
= 0V, V
DS
= 80V
V
GS
= 0V, V
DS
= 100V ，T
j
= +125°C
V
GS
= 0V, V
DS
= 80V ，T
j
= +125°C
静态漏源导通电阻
V
GS
= 10V ，我
D2
= 24A脉冲
V
GS
= 10V ，我
D1
= 38A脉冲
T
j
= +125°C
V
GS
= 10V ，我
D2
= 24A脉冲
二极管的正向电压
V
GS
= 0V时，我
D1
= 38A脉冲
T4 - LDS - 0101版本2 （ 101484 ）
符号
V
DS
V
GS
I
D1
I
D2
P
tl
R
DS （ ON）
T
op
, T
英镑
价值
100
± 20
38
24
150
(1)
0.055
(2)
-55到+150
单位
VDC
VDC
ADC
ADC
W
Ω
°C
2N6764
TO- 204AE （TO- 3）
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS(th)1
V
GS(th)2
V
GS(th)3
I
GSS1
I
GSS2
I
DSS1
I
DSS2
I
DSS3
r
DS(on)1
r
DS(on)2
r
DS(on)3
V
SD
分钟。
100
2.0
1.0
马克斯。
单位
VDC
4.0
5.0
±100
±200
25
1.0
0.25
0.055
0.065
0.094
1.9
VDC
2N6764T1 （TO- 254AA ）
NADC
μAdc
MADC
MADC
Ω
Ω
Ω
VDC
第1页5
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址： http://www.microsemi.com
戈特路商业园，恩尼斯，公司克莱尔，爱尔兰
联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044传真： +353 （ 0 ） 65 6822298
动态特性
参数/测试条件
栅极电荷：
导通状态的栅极电荷
门源费
栅漏电荷
符号
V
GS
= 10V ，我
D
= 38A
V
DS
= 50V
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
分钟。
马克斯。
125
22
65
单位
nC
开关特性
参数/测试条件
开关时间测试：
导通延迟时间
冲洗时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的反向恢复时间
I
D
= 38A ，V
GS
= 10V直流，
栅极驱动阻抗= 2.35Ω ，
V
DD
= 50VDC
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
分钟。
马克斯。
35
190
170
130
500
单位
ns
的di / dt
≤
100A / μs的，V
DD
≤
30V ，我
F
= 38A
ns
T4 - LDS - 0101版本2 （ 101484 ）
页2的5
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址： http://www.microsemi.com
戈特路商业园，恩尼斯，公司克莱尔，爱尔兰
联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044传真： +353 （ 0 ） 65 6822298
包装尺寸
T4 - LDS - 0101版本2 （ 101484 ）
第3 5
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址： http://www.microsemi.com
戈特路商业园，恩尼斯，公司克莱尔，爱尔兰
联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044传真： +353 （ 0 ） 65 6822298
包装尺寸
尺寸
英寸
MILLIMETERS
民
最大
民
最大
.875
22.23
.250
.360
6.35
9.15
.495
.525
12.57
13.3
.131
.188
3.33
4.78
.060
.135
1.52
3.43
.057
.063
1.45
1.60
.038
.043
0.97
1.10
.312
.500
7.92
12.70
.050
1.27
.151
.161
3.84
4.09
1.177
1.197
29.90
30.40
.420
.440
10.67
11.18
.205
.225
5.21
5.72
.655
.675
16.64
17.15
LTR
CD
CH
HR
HR
1
HT
LD
LL
L
1
MHD
讯息处理系统
PS
PS
1
S
笔记
5
6
3
7
注意事项：
1.尺寸以英寸。
2.毫米给出的只是一般信息。
3.这些尺寸应在点0.050英寸（1.27毫米）和0.055英寸（1.40 MM）低于飞机座位进行测量。当
计不使用时，测量将在底座面制成。
4.头的座位平面应在0.001英寸（ 0.03毫米）凹平面到0.004英寸（ 0.10毫米）凸内侧的
0.930英寸（ 23.62毫米）上的报头的中心和平面内0.001英寸（ 0.03毫米）凹到0.006英寸直径的圆
（ 0.15毫米）凸整体。
5.这些方面涉及到的2N6764和2N6766型。
6.这些方面涉及到的2N6768和2N6770型。
7.安装孔应去毛刺在飞机座位边。
8.漏极电连接的情况。
9.按照ASME Y14.5M ，直径相当于
φx
符号。
图1 。
晶体管类型2N6764和物理尺寸2N6766 TO- 204AE ;
对于类型2N6768和2N6770 ， TO- 204AA
T4 - LDS - 0101版本2 （ 101484 ）
第4 5
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址： http://www.microsemi.com
戈特路商业园，恩尼斯，公司克莱尔，爱尔兰
联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044传真： +353 （ 0 ） 65 6822298
包装尺寸
LTR
BL
CH
LD
LL
LO
LS
MHD
姆欧
TL
TT
TW
第一学期
第二学期
第三学期
尺寸
英寸
MILLIMETERS
民
最大
民
最大
.535
.545
13.59
13.84
.249
.260
6.32
6.60
.035
.045
0.89
1.14
.510
.570
12.95
14.48
.150 BSC
3.81 BSC
.150 BSC
3.81 BSC
.139
.149
3.53
3.78
.665
.685
16.89
17.40
.790
.800
20.07
20.32
.040
.050
1.02
1.27
.535
.545
13.59
13.84
漏
来源
门
笔记
3, 4
注意事项：
1.尺寸以英寸。
2.毫米给出的只是一般信息。
3.突厚度陶瓷小孔中包含的尺寸LL 。
4.所有终端的情况下隔离。
5.根据ASME Y14.5M ，直径相当于
φx
符号。
图2中。
物理尺寸为2N6764T1 ， 2N6766T1 ， 2N6768T1和2N6770T1 （ TO- 254AA ） 。
T4 - LDS - 0101版本2 （ 101484 ）
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技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
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N沟道MOSFET
每个合格的MIL -PRF-五百四十三分之一万九千五
器件
水平
2N6764
2N6764T1
JAN
JANTX
JANTXV
绝对最大额定值
(T
C
= + 25 ° C除非另有说明）
参数/测试条件
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
连续漏电流
T
C
= +25°C
连续漏电流
T
C
= +100°C
马克斯。功耗
T
C
= +25°C
漏极至源极导通电阻
工作&储存温度
注意：
（ 1 ）由1.2 W /°C，对于T线性下降
C
> + 25°C
(2) V
GS
= 10Vdc的，我
D
= 24A
电气特性
(T
A
= + 25℃ ，除非另有说明）
参数/测试条件
关CHARACTERTICS
漏源击穿电压
V
GS
= 0V时，我
D
= 1mAdc
栅源电压（阈值）
V
DS
≥
V
GS
, I
D
= 0.25毫安
V
DS
≥
V
GS
, I
D
= 0.25毫安，T
j
= +125°C
V
DS
≥
V
GS
, I
D
= 0.25毫安，T
j
= -55°C
栅电流
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V ，T
j
= +125°C
漏电流
V
GS
= 0V, V
DS
= 80V
V
GS
= 0V, V
DS
= 100V ，T
j
= +125°C
V
GS
= 0V, V
DS
= 80V ，T
j
= +125°C
静态漏源导通电阻
V
GS
= 10V ，我
D2
= 24A脉冲
V
GS
= 10V ，我
D1
= 38A脉冲
T
j
= +125°C
V
GS
= 10V ，我
D2
= 24A脉冲
二极管的正向电压
V
GS
= 0V时，我
D1
= 38A脉冲
T4 - LDS - 0101版本2 （ 101484 ）
符号
V
DS
V
GS
I
D1
I
D2
P
tl
R
DS （ ON）
T
op
, T
英镑
价值
100
± 20
38
24
150
(1)
0.055
(2)
-55到+150
单位
VDC
VDC
ADC
ADC
W
Ω
°C
2N6764
TO- 204AE （TO- 3）
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS(th)1
V
GS(th)2
V
GS(th)3
I
GSS1
I
GSS2
I
DSS1
I
DSS2
I
DSS3
r
DS(on)1
r
DS(on)2
r
DS(on)3
V
SD
分钟。
100
2.0
1.0
马克斯。
单位
VDC
4.0
5.0
±100
±200
25
1.0
0.25
0.055
0.065
0.094
1.9
VDC
2N6764T1 （TO- 254AA ）
NADC
μAdc
MADC
MADC
Ω
Ω
Ω
VDC
第1页5
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址： http://www.microsemi.com
戈特路商业园，恩尼斯，公司克莱尔，爱尔兰
联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044传真： +353 （ 0 ） 65 6822298
动态特性
参数/测试条件
栅极电荷：
导通状态的栅极电荷
门源费
栅漏电荷
符号
V
GS
= 10V ，我
D
= 38A
V
DS
= 50V
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
分钟。
马克斯。
125
22
65
单位
nC
开关特性
参数/测试条件
开关时间测试：
导通延迟时间
冲洗时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的反向恢复时间
I
D
= 38A ，V
GS
= 10V直流，
栅极驱动阻抗= 2.35Ω ，
V
DD
= 50VDC
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
分钟。
马克斯。
35
190
170
130
500
单位
ns
的di / dt
≤
100A / μs的，V
DD
≤
30V ，我
F
= 38A
ns
T4 - LDS - 0101版本2 （ 101484 ）
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技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
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联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044传真： +353 （ 0 ） 65 6822298
包装尺寸
T4 - LDS - 0101版本2 （ 101484 ）
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技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
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包装尺寸
尺寸
英寸
MILLIMETERS
民
最大
民
最大
.875
22.23
.250
.360
6.35
9.15
.495
.525
12.57
13.3
.131
.188
3.33
4.78
.060
.135
1.52
3.43
.057
.063
1.45
1.60
.038
.043
0.97
1.10
.312
.500
7.92
12.70
.050
1.27
.151
.161
3.84
4.09
1.177
1.197
29.90
30.40
.420
.440
10.67
11.18
.205
.225
5.21
5.72
.655
.675
16.64
17.15
LTR
CD
CH
HR
HR
1
HT
LD
LL
L
1
MHD
讯息处理系统
PS
PS
1
S
笔记
5
6
3
7
注意事项：
1.尺寸以英寸。
2.毫米给出的只是一般信息。
3.这些尺寸应在点0.050英寸（1.27毫米）和0.055英寸（1.40 MM）低于飞机座位进行测量。当
计不使用时，测量将在底座面制成。
4.头的座位平面应在0.001英寸（ 0.03毫米）凹平面到0.004英寸（ 0.10毫米）凸内侧的
0.930英寸（ 23.62毫米）上的报头的中心和平面内0.001英寸（ 0.03毫米）凹到0.006英寸直径的圆
（ 0.15毫米）凸整体。
5.这些方面涉及到的2N6764和2N6766型。
6.这些方面涉及到的2N6768和2N6770型。
7.安装孔应去毛刺在飞机座位边。
8.漏极电连接的情况。
9.按照ASME Y14.5M ，直径相当于
φx
符号。
图1 。
晶体管类型2N6764和物理尺寸2N6766 TO- 204AE ;
对于类型2N6768和2N6770 ， TO- 204AA
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联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044传真： +353 （ 0 ） 65 6822298
包装尺寸
LTR
BL
CH
LD
LL
LO
LS
MHD
姆欧
TL
TT
TW
第一学期
第二学期
第三学期
尺寸
英寸
MILLIMETERS
民
最大
民
最大
.535
.545
13.59
13.84
.249
.260
6.32
6.60
.035
.045
0.89
1.14
.510
.570
12.95
14.48
.150 BSC
3.81 BSC
.150 BSC
3.81 BSC
.139
.149
3.53
3.78
.665
.685
16.89
17.40
.790
.800
20.07
20.32
.040
.050
1.02
1.27
.535
.545
13.59
13.84
漏
来源
门
笔记
3, 4
注意事项：
1.尺寸以英寸。
2.毫米给出的只是一般信息。
3.突厚度陶瓷小孔中包含的尺寸LL 。
4.所有终端的情况下隔离。
5.根据ASME Y14.5M ，直径相当于
φx
符号。
图2中。
物理尺寸为2N6764T1 ， 2N6766T1 ， 2N6768T1和2N6770T1 （ TO- 254AA ） 。
T4 - LDS - 0101版本2 （ 101484 ）
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技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
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N沟道MOSFET
每个合格的MIL -PRF-五百四十三分之一万九千五
器件
水平
2N6770
2N6770T1
JAN
JANTX
JANTXV
绝对最大额定值
(T
C
= + 25 ° C除非另有说明）
参数/测试条件
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
连续漏电流
T
C
= +25°C
连续漏电流
T
C
= +100°C
马克斯。功耗
T
C
= +25°C
漏极至源极导通电阻
工作&储存温度
注意：
（ 1 ）由1.2 W /°C，对于T线性下降
C
> + 25°C
(2) V
GS
= 10Vdc的，我
D
= 7.75A
电气特性
(T
A
= + 25℃ ，除非另有说明）
参数/测试条件
关CHARACTERTICS
漏源击穿电压
V
GS
= 0V时，我
D
= 1mAdc
栅源电压（阈值）
V
DS
≥
V
GS
, I
D
= 0.25毫安
V
DS
≥
V
GS
, I
D
= 0.25毫安，T
j
= +125°C
V
DS
≥
V
GS
, I
D
= 0.25毫安，T
j
= -55°C
栅电流
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V ，T
j
= +125°C
漏电流
V
GS
= 0V, V
DS
= 400V
V
GS
= 0V, V
DS
= 500V ，T
j
= +125°C
V
GS
= 0V, V
DS
= 400V ，T
j
= +125°C
静态漏源导通电阻
V
GS
= 10V ，我
D2
= 7.75A脉冲
V
GS
= 10V ，我
D1
= 12A脉冲
T
j
= +125°C
V
GS
= 10V ，我
D2
= 7.75A脉冲
二极管的正向电压
V
GS
= 0V时，我
D1
= 12A脉冲
T4 - LDS -0044版本2 （ 101484 ）
符号
V
DS
V
GS
I
D1
I
D2
P
tl
R
DS （ ON）
T
op
, T
英镑
价值
500
± 20
12
7.75
150
(1)
0.4
(2)
-55到+150
单位
VDC
VDC
ADC
ADC
W
Ω
°C
2N6770
TO- 204AA （TO- 3）
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS(th)1
V
GS(th)2
V
GS(th)3
I
GSS1
I
GSS2
I
DSS1
I
DSS2
I
DSS3
r
DS(on)1
r
DS(on)2
r
DS(on)3
V
SD
分钟。
500
2.0
1.0
马克斯。
单位
VDC
4.0
5.0
±100
±200
25
1.0
0.25
0.4
0.5
0.88
1.7
VDC
2N6770T1 （TO- 254AA ）
NADC
μAdc
MADC
MADC
Ω
Ω
Ω
VDC
第1页5
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址： http://www.microsemi.com
戈特路商业园，恩尼斯，公司克莱尔，爱尔兰
联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044传真： +353 （ 0 ） 65 6822298
动态特性
参数/测试条件
栅极电荷：
导通状态的栅极电荷
门源费
栅漏电荷
符号
V
GS
= 10V ，我
D
= 12A
V
DS
= 50V
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
分钟。
马克斯。
120
19
70
单位
nC
开关特性
参数/测试条件
开关时间测试：
导通延迟时间
冲洗时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的反向恢复时间
I
D
= 12A ，V
GS
= 10V直流，
栅极驱动阻抗= 2.35Ω ，
V
DD
= 250V直流
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
分钟。
马克斯。
35
190
170
130
1600
单位
ns
的di / dt
≤
100A / μs的，V
DD
≤
30V ，我
F
= 12A
ns
T4 - LDS -0044版本2 （ 101484 ）
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技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
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联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044传真： +353 （ 0 ） 65 6822298
包装尺寸
T4 - LDS -0044版本2 （ 101484 ）
第3 5
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址： http://www.microsemi.com
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联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044传真： +353 （ 0 ） 65 6822298
包装尺寸
尺寸
英寸
MILLIMETERS
民
最大
民
最大
.875
22.23
.250
.360
6.35
9.15
.495
.525
12.57
13.3
.131
.188
3.33
4.78
.060
.135
1.52
3.43
.057
.063
1.45
1.60
.038
.043
0.97
1.10
.312
.500
7.92
12.70
.050
1.27
.151
.161
3.84
4.09
1.177
1.197
29.90
30.40
.420
.440
10.67
11.18
.205
.225
5.21
5.72
.655
.675
16.64
17.15
LTR
CD
CH
HR
HR
1
HT
LD
LL
L
1
MHD
讯息处理系统
PS
PS
1
S
笔记
5
6
3
7
注意事项：
1.尺寸以英寸。
2.毫米给出的只是一般信息。
3.这些尺寸应在点0.050英寸（1.27毫米）和0.055英寸（1.40 MM）低于飞机座位进行测量。当
计不使用时，测量将在底座面制成。
4.头的座位平面应在0.001英寸（ 0.03毫米）凹平面到0.004英寸（ 0.10毫米）凸内侧的
0.930英寸（ 23.62毫米）上的报头的中心和平面内0.001英寸（ 0.03毫米）凹到0.006英寸直径的圆
（ 0.15毫米）凸整体。
5.这些方面涉及到的2N6764和2N6766型。
6.这些方面涉及到的2N6768和2N6770型。
7.安装孔应去毛刺在飞机座位边。
8.漏极电连接的情况。
9.按照ASME Y14.5M ，直径相当于
φx
符号。
图1 。
晶体管类型2N6764和物理尺寸2N6766 TO- 204AE ;
对于类型2N6768和2N6770 ， TO- 204AA
T4 - LDS -0044版本2 （ 101484 ）
第4 5
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址： http://www.microsemi.com
戈特路商业园，恩尼斯，公司克莱尔，爱尔兰
联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044传真： +353 （ 0 ） 65 6822298
包装尺寸
LTR
BL
CH
LD
LL
LO
LS
MHD
姆欧
TL
TT
TW
第一学期
第二学期
第三学期
尺寸
英寸
MILLIMETERS
民
最大
民
最大
.535
.545
13.59
13.84
.249
.260
6.32
6.60
.035
.045
0.89
1.14
.510
.570
12.95
14.48
.150 BSC
3.81 BSC
.150 BSC
3.81 BSC
.139
.149
3.53
3.78
.665
.685
16.89
17.40
.790
.800
20.07
20.32
.040
.050
1.02
1.27
.535
.545
13.59
13.84
漏
来源
门
笔记
3, 4
注意事项：
1.尺寸以英寸。
2.毫米给出的只是一般信息。
3.突厚度陶瓷小孔中包含的尺寸LL 。
4.所有终端的情况下隔离。
5.根据ASME Y14.5M ，直径相当于
φx
符号。
图2中。
物理尺寸为2N6764T1 ， 2N6766T1 ， 2N6768T1和2N6770T1 （ TO- 254AA ） 。
T4 - LDS -0044版本2 （ 101484 ）
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