技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址：http ： //www.microsemi.com
N沟道MOSFET
每个合格的MIL -PRF-五百四十三分之一万九千五
器件
水平
2N6768
2N6768T1
JAN
JANTX
JANTXV
绝对最大额定值（T
C
= + 25 ° C除非另有说明）
参数/测试条件
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
连续漏电流
T
C
= +25°C
连续漏电流
T
C
= +100°C
马克斯。功耗
T
C
= +25°C
漏极至源极导通电阻
工作&储存温度
注意：
（ 1 ）由1.2 W /°C，对于T线性下降
C
> + 25°C
(2) V
GS
= 10Vdc的，我
D
= 9.0A
电气特性
(T
A
= + 25℃ ，除非另有说明）
参数/测试条件
漏源击穿电压
V
GS
= 0V时，我
D
= -1mAdc
栅源电压（阈值）
V
DS
≥
V
GS
, I
D
= 0.25毫安
V
DS
≥
V
GS
, I
D
= 0.25毫安，T
j
= +125°C
V
DS
≥
V
GS
, I
D
= 0.25毫安，T
j
= -55°C
栅电流
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V ，T
j
= +125°C
漏电流
V
GS
= 0V, V
DS
= 320V
V
GS
= 0V, V
DS
= 320V ，T
j
= +125°C
静态漏源导通电阻
V
GS
= 10V ，我
D
= 9A脉冲
V
GS
= 10V ，我
D
= 14A脉冲
T
j
= +125°C
V
GS
= 10V ，我
D
= 9A脉冲
二极管的正向电压
V
GS
= 0V时，我
D
= 14A脉冲
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS(th)1
V
GS(th)2
V
GS(th)3
I
GSS1
I
GSS2
I
DSS1
I
DSS2
r
DS(on)1
r
DS(on)2
r
DS(on)3
V
SD
分钟。
400
2.0
1.0
4.0
5.0
±100
±200
马克斯。
单位
VDC
符号
V
DS
V
GS
I
D1
I
D2
P
tl
R
DS （ ON）
T
op
, T
英镑
价值
400
± 20
14
9.0
150
(1)
0.3
(2)
-55到+150
单位
VDC
VDC
ADC
ADC
W
Ω
°C
TO-204AA
(TO-3)
2N6768
VDC
NADC
25
0.25
0.3
0.4
0.66
1.7
μAdc
MADC
Ω
Ω
Ω
VDC
TO-254AA
2N6768T1
T4 - LDS -0043修订版1（ 072798 ）
第1页2
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
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N沟道MOSFET
每个合格的MIL -PRF-五百四十三分之一万九千五
动态特性
参数/测试条件
栅极电荷：
导通状态的栅极电荷
门源费
栅漏电荷
开关特性
参数/测试条件
开关时间测试：
导通延迟时间
冲洗时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的反向恢复时间
I
D
= 14A ，V
GS
= 10V直流，
栅极驱动阻抗= 2.35Ω ，
V
DD
= 200V直流
的di / dt
≤
100A / μs的，V
DD
≤
30V,
I
F
= 14A
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
分钟。
马克斯。
35
190
170
130
1200
单位
符号
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
分钟。
马克斯。
110
18
65
单位
nC
V
GS
= 10V ，我
D
= 14A
V
DS
= 50V
ns
ns
T4 - LDS -0043修订版1（ 072798 ）
第2页2
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
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戈特路商业园，恩尼斯，公司克莱尔，爱尔兰
联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044传真： +353 （ 0 ） 65 6822298
N沟道MOSFET
每个合格的MIL -PRF-五百四十三分之一万九千五
器件
水平
2N6764
2N6764T1
JAN
JANTX
JANTXV
绝对最大额定值
(T
C
= + 25 ° C除非另有说明）
参数/测试条件
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
连续漏电流
T
C
= +25°C
连续漏电流
T
C
= +100°C
马克斯。功耗
T
C
= +25°C
漏极至源极导通电阻
工作&储存温度
注意：
（ 1 ）由1.2 W /°C，对于T线性下降
C
> + 25°C
(2) V
GS
= 10Vdc的，我
D
= 24A
电气特性
(T
A
= + 25℃ ，除非另有说明）
参数/测试条件
关CHARACTERTICS
漏源击穿电压
V
GS
= 0V时，我
D
= 1mAdc
栅源电压（阈值）
V
DS
≥
V
GS
, I
D
= 0.25毫安
V
DS
≥
V
GS
, I
D
= 0.25毫安，T
j
= +125°C
V
DS
≥
V
GS
, I
D
= 0.25毫安，T
j
= -55°C
栅电流
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V ，T
j
= +125°C
漏电流
V
GS
= 0V, V
DS
= 80V
V
GS
= 0V, V
DS
= 100V ，T
j
= +125°C
V
GS
= 0V, V
DS
= 80V ，T
j
= +125°C
静态漏源导通电阻
V
GS
= 10V ，我
D2
= 24A脉冲
V
GS
= 10V ，我
D1
= 38A脉冲
T
j
= +125°C
V
GS
= 10V ，我
D2
= 24A脉冲
二极管的正向电压
V
GS
= 0V时，我
D1
= 38A脉冲
T4 - LDS - 0101版本2 （ 101484 ）
符号
V
DS
V
GS
I
D1
I
D2
P
tl
R
DS （ ON）
T
op
, T
英镑
价值
100
± 20
38
24
150
(1)
0.055
(2)
-55到+150
单位
VDC
VDC
ADC
ADC
W
Ω
°C
2N6764
TO- 204AE （TO- 3）
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS(th)1
V
GS(th)2
V
GS(th)3
I
GSS1
I
GSS2
I
DSS1
I
DSS2
I
DSS3
r
DS(on)1
r
DS(on)2
r
DS(on)3
V
SD
分钟。
100
2.0
1.0
马克斯。
单位
VDC
4.0
5.0
±100
±200
25
1.0
0.25
0.055
0.065
0.094
1.9
VDC
2N6764T1 （TO- 254AA ）
NADC
μAdc
MADC
MADC
Ω
Ω
Ω
VDC
第1页5
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
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戈特路商业园，恩尼斯，公司克莱尔，爱尔兰
联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044传真： +353 （ 0 ） 65 6822298
动态特性
参数/测试条件
栅极电荷：
导通状态的栅极电荷
门源费
栅漏电荷
符号
V
GS
= 10V ，我
D
= 38A
V
DS
= 50V
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
分钟。
马克斯。
125
22
65
单位
nC
开关特性
参数/测试条件
开关时间测试：
导通延迟时间
冲洗时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的反向恢复时间
I
D
= 38A ，V
GS
= 10V直流，
栅极驱动阻抗= 2.35Ω ，
V
DD
= 50VDC
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
分钟。
马克斯。
35
190
170
130
500
单位
ns
的di / dt
≤
100A / μs的，V
DD
≤
30V ，我
F
= 38A
ns
T4 - LDS - 0101版本2 （ 101484 ）
页2的5
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
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包装尺寸
T4 - LDS - 0101版本2 （ 101484 ）
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技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
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包装尺寸
尺寸
英寸
MILLIMETERS
民
最大
民
最大
.875
22.23
.250
.360
6.35
9.15
.495
.525
12.57
13.3
.131
.188
3.33
4.78
.060
.135
1.52
3.43
.057
.063
1.45
1.60
.038
.043
0.97
1.10
.312
.500
7.92
12.70
.050
1.27
.151
.161
3.84
4.09
1.177
1.197
29.90
30.40
.420
.440
10.67
11.18
.205
.225
5.21
5.72
.655
.675
16.64
17.15
LTR
CD
CH
HR
HR
1
HT
LD
LL
L
1
MHD
讯息处理系统
PS
PS
1
S
笔记
5
6
3
7
注意事项：
1.尺寸以英寸。
2.毫米给出的只是一般信息。
3.这些尺寸应在点0.050英寸（1.27毫米）和0.055英寸（1.40 MM）低于飞机座位进行测量。当
计不使用时，测量将在底座面制成。
4.头的座位平面应在0.001英寸（ 0.03毫米）凹平面到0.004英寸（ 0.10毫米）凸内侧的
0.930英寸（ 23.62毫米）上的报头的中心和平面内0.001英寸（ 0.03毫米）凹到0.006英寸直径的圆
（ 0.15毫米）凸整体。
5.这些方面涉及到的2N6764和2N6766型。
6.这些方面涉及到的2N6768和2N6770型。
7.安装孔应去毛刺在飞机座位边。
8.漏极电连接的情况。
9.按照ASME Y14.5M ，直径相当于
φx
符号。
图1 。
晶体管类型2N6764和物理尺寸2N6766 TO- 204AE ;
对于类型2N6768和2N6770 ， TO- 204AA
T4 - LDS - 0101版本2 （ 101484 ）
第4 5
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1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
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联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044传真： +353 （ 0 ） 65 6822298
包装尺寸
LTR
BL
CH
LD
LL
LO
LS
MHD
姆欧
TL
TT
TW
第一学期
第二学期
第三学期
尺寸
英寸
MILLIMETERS
民
最大
民
最大
.535
.545
13.59
13.84
.249
.260
6.32
6.60
.035
.045
0.89
1.14
.510
.570
12.95
14.48
.150 BSC
3.81 BSC
.150 BSC
3.81 BSC
.139
.149
3.53
3.78
.665
.685
16.89
17.40
.790
.800
20.07
20.32
.040
.050
1.02
1.27
.535
.545
13.59
13.84
漏
来源
门
笔记
3, 4
注意事项：
1.尺寸以英寸。
2.毫米给出的只是一般信息。
3.突厚度陶瓷小孔中包含的尺寸LL 。
4.所有终端的情况下隔离。
5.根据ASME Y14.5M ，直径相当于
φx
符号。
图2中。
物理尺寸为2N6764T1 ， 2N6766T1 ， 2N6768T1和2N6770T1 （ TO- 254AA ） 。
T4 - LDS - 0101版本2 （ 101484 ）
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技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址： http://www.microsemi.com
戈特路商业园，恩尼斯，公司克莱尔，爱尔兰
联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044传真： +353 （ 0 ） 65 6822298
N沟道MOSFET
每个合格的MIL -PRF-五百四十三分之一万九千五
器件
水平
2N6764
2N6764T1
JAN
JANTX
JANTXV
绝对最大额定值
(T
C
= + 25 ° C除非另有说明）
参数/测试条件
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
连续漏电流
T
C
= +25°C
连续漏电流
T
C
= +100°C
马克斯。功耗
T
C
= +25°C
漏极至源极导通电阻
工作&储存温度
注意：
（ 1 ）由1.2 W /°C，对于T线性下降
C
> + 25°C
(2) V
GS
= 10Vdc的，我
D
= 24A
电气特性
(T
A
= + 25℃ ，除非另有说明）
参数/测试条件
关CHARACTERTICS
漏源击穿电压
V
GS
= 0V时，我
D
= 1mAdc
栅源电压（阈值）
V
DS
≥
V
GS
, I
D
= 0.25毫安
V
DS
≥
V
GS
, I
D
= 0.25毫安，T
j
= +125°C
V
DS
≥
V
GS
, I
D
= 0.25毫安，T
j
= -55°C
栅电流
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V ，T
j
= +125°C
漏电流
V
GS
= 0V, V
DS
= 80V
V
GS
= 0V, V
DS
= 100V ，T
j
= +125°C
V
GS
= 0V, V
DS
= 80V ，T
j
= +125°C
静态漏源导通电阻
V
GS
= 10V ，我
D2
= 24A脉冲
V
GS
= 10V ，我
D1
= 38A脉冲
T
j
= +125°C
V
GS
= 10V ，我
D2
= 24A脉冲
二极管的正向电压
V
GS
= 0V时，我
D1
= 38A脉冲
T4 - LDS - 0101版本2 （ 101484 ）
符号
V
DS
V
GS
I
D1
I
D2
P
tl
R
DS （ ON）
T
op
, T
英镑
价值
100
± 20
38
24
150
(1)
0.055
(2)
-55到+150
单位
VDC
VDC
ADC
ADC
W
Ω
°C
2N6764
TO- 204AE （TO- 3）
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS(th)1
V
GS(th)2
V
GS(th)3
I
GSS1
I
GSS2
I
DSS1
I
DSS2
I
DSS3
r
DS(on)1
r
DS(on)2
r
DS(on)3
V
SD
分钟。
100
2.0
1.0
马克斯。
单位
VDC
4.0
5.0
±100
±200
25
1.0
0.25
0.055
0.065
0.094
1.9
VDC
2N6764T1 （TO- 254AA ）
NADC
μAdc
MADC
MADC
Ω
Ω
Ω
VDC
第1页5
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址： http://www.microsemi.com
戈特路商业园，恩尼斯，公司克莱尔，爱尔兰
联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044传真： +353 （ 0 ） 65 6822298
动态特性
参数/测试条件
栅极电荷：
导通状态的栅极电荷
门源费
栅漏电荷
符号
V
GS
= 10V ，我
D
= 38A
V
DS
= 50V
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
分钟。
马克斯。
125
22
65
单位
nC
开关特性
参数/测试条件
开关时间测试：
导通延迟时间
冲洗时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的反向恢复时间
I
D
= 38A ，V
GS
= 10V直流，
栅极驱动阻抗= 2.35Ω ，
V
DD
= 50VDC
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
分钟。
马克斯。
35
190
170
130
500
单位
ns
的di / dt
≤
100A / μs的，V
DD
≤
30V ，我
F
= 38A
ns
T4 - LDS - 0101版本2 （ 101484 ）
页2的5
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址： http://www.microsemi.com
戈特路商业园，恩尼斯，公司克莱尔，爱尔兰
联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044传真： +353 （ 0 ） 65 6822298
包装尺寸
T4 - LDS - 0101版本2 （ 101484 ）
第3 5
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址： http://www.microsemi.com
戈特路商业园，恩尼斯，公司克莱尔，爱尔兰
联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044传真： +353 （ 0 ） 65 6822298
包装尺寸
尺寸
英寸
MILLIMETERS
民
最大
民
最大
.875
22.23
.250
.360
6.35
9.15
.495
.525
12.57
13.3
.131
.188
3.33
4.78
.060
.135
1.52
3.43
.057
.063
1.45
1.60
.038
.043
0.97
1.10
.312
.500
7.92
12.70
.050
1.27
.151
.161
3.84
4.09
1.177
1.197
29.90
30.40
.420
.440
10.67
11.18
.205
.225
5.21
5.72
.655
.675
16.64
17.15
LTR
CD
CH
HR
HR
1
HT
LD
LL
L
1
MHD
讯息处理系统
PS
PS
1
S
笔记
5
6
3
7
注意事项：
1.尺寸以英寸。
2.毫米给出的只是一般信息。
3.这些尺寸应在点0.050英寸（1.27毫米）和0.055英寸（1.40 MM）低于飞机座位进行测量。当
计不使用时，测量将在底座面制成。
4.头的座位平面应在0.001英寸（ 0.03毫米）凹平面到0.004英寸（ 0.10毫米）凸内侧的
0.930英寸（ 23.62毫米）上的报头的中心和平面内0.001英寸（ 0.03毫米）凹到0.006英寸直径的圆
（ 0.15毫米）凸整体。
5.这些方面涉及到的2N6764和2N6766型。
6.这些方面涉及到的2N6768和2N6770型。
7.安装孔应去毛刺在飞机座位边。
8.漏极电连接的情况。
9.按照ASME Y14.5M ，直径相当于
φx
符号。
图1 。
晶体管类型2N6764和物理尺寸2N6766 TO- 204AE ;
对于类型2N6768和2N6770 ， TO- 204AA
T4 - LDS - 0101版本2 （ 101484 ）
第4 5
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址： http://www.microsemi.com
戈特路商业园，恩尼斯，公司克莱尔，爱尔兰
联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044传真： +353 （ 0 ） 65 6822298
包装尺寸
LTR
BL
CH
LD
LL
LO
LS
MHD
姆欧
TL
TT
TW
第一学期
第二学期
第三学期
尺寸
英寸
MILLIMETERS
民
最大
民
最大
.535
.545
13.59
13.84
.249
.260
6.32
6.60
.035
.045
0.89
1.14
.510
.570
12.95
14.48
.150 BSC
3.81 BSC
.150 BSC
3.81 BSC
.139
.149
3.53
3.78
.665
.685
16.89
17.40
.790
.800
20.07
20.32
.040
.050
1.02
1.27
.535
.545
13.59
13.84
漏
来源
门
笔记
3, 4
注意事项：
1.尺寸以英寸。
2.毫米给出的只是一般信息。
3.突厚度陶瓷小孔中包含的尺寸LL 。
4.所有终端的情况下隔离。
5.根据ASME Y14.5M ，直径相当于
φx
符号。
图2中。
物理尺寸为2N6764T1 ， 2N6766T1 ， 2N6768T1和2N6770T1 （ TO- 254AA ） 。
T4 - LDS - 0101版本2 （ 101484 ）
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技术数据表
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N沟道MOSFET
每个合格的MIL -PRF-五百四十三分之一万九千五
器件
水平
2N6770
2N6770T1
JAN
JANTX
JANTXV
绝对最大额定值
(T
C
= + 25 ° C除非另有说明）
参数/测试条件
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
连续漏电流
T
C
= +25°C
连续漏电流
T
C
= +100°C
马克斯。功耗
T
C
= +25°C
漏极至源极导通电阻
工作&储存温度
注意：
（ 1 ）由1.2 W /°C，对于T线性下降
C
> + 25°C
(2) V
GS
= 10Vdc的，我
D
= 7.75A
电气特性
(T
A
= + 25℃ ，除非另有说明）
参数/测试条件
关CHARACTERTICS
漏源击穿电压
V
GS
= 0V时，我
D
= 1mAdc
栅源电压（阈值）
V
DS
≥
V
GS
, I
D
= 0.25毫安
V
DS
≥
V
GS
, I
D
= 0.25毫安，T
j
= +125°C
V
DS
≥
V
GS
, I
D
= 0.25毫安，T
j
= -55°C
栅电流
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V ，T
j
= +125°C
漏电流
V
GS
= 0V, V
DS
= 400V
V
GS
= 0V, V
DS
= 500V ，T
j
= +125°C
V
GS
= 0V, V
DS
= 400V ，T
j
= +125°C
静态漏源导通电阻
V
GS
= 10V ，我
D2
= 7.75A脉冲
V
GS
= 10V ，我
D1
= 12A脉冲
T
j
= +125°C
V
GS
= 10V ，我
D2
= 7.75A脉冲
二极管的正向电压
V
GS
= 0V时，我
D1
= 12A脉冲
T4 - LDS -0044版本2 （ 101484 ）
符号
V
DS
V
GS
I
D1
I
D2
P
tl
R
DS （ ON）
T
op
, T
英镑
价值
500
± 20
12
7.75
150
(1)
0.4
(2)
-55到+150
单位
VDC
VDC
ADC
ADC
W
Ω
°C
2N6770
TO- 204AA （TO- 3）
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS(th)1
V
GS(th)2
V
GS(th)3
I
GSS1
I
GSS2
I
DSS1
I
DSS2
I
DSS3
r
DS(on)1
r
DS(on)2
r
DS(on)3
V
SD
分钟。
500
2.0
1.0
马克斯。
单位
VDC
4.0
5.0
±100
±200
25
1.0
0.25
0.4
0.5
0.88
1.7
VDC
2N6770T1 （TO- 254AA ）
NADC
μAdc
MADC
MADC
Ω
Ω
Ω
VDC
第1页5
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址： http://www.microsemi.com
戈特路商业园，恩尼斯，公司克莱尔，爱尔兰
联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044传真： +353 （ 0 ） 65 6822298
动态特性
参数/测试条件
栅极电荷：
导通状态的栅极电荷
门源费
栅漏电荷
符号
V
GS
= 10V ，我
D
= 12A
V
DS
= 50V
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
分钟。
马克斯。
120
19
70
单位
nC
开关特性
参数/测试条件
开关时间测试：
导通延迟时间
冲洗时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的反向恢复时间
I
D
= 12A ，V
GS
= 10V直流，
栅极驱动阻抗= 2.35Ω ，
V
DD
= 250V直流
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
分钟。
马克斯。
35
190
170
130
1600
单位
ns
的di / dt
≤
100A / μs的，V
DD
≤
30V ，我
F
= 12A
ns
T4 - LDS -0044版本2 （ 101484 ）
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技术数据表
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包装尺寸
T4 - LDS -0044版本2 （ 101484 ）
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包装尺寸
尺寸
英寸
MILLIMETERS
民
最大
民
最大
.875
22.23
.250
.360
6.35
9.15
.495
.525
12.57
13.3
.131
.188
3.33
4.78
.060
.135
1.52
3.43
.057
.063
1.45
1.60
.038
.043
0.97
1.10
.312
.500
7.92
12.70
.050
1.27
.151
.161
3.84
4.09
1.177
1.197
29.90
30.40
.420
.440
10.67
11.18
.205
.225
5.21
5.72
.655
.675
16.64
17.15
LTR
CD
CH
HR
HR
1
HT
LD
LL
L
1
MHD
讯息处理系统
PS
PS
1
S
笔记
5
6
3
7
注意事项：
1.尺寸以英寸。
2.毫米给出的只是一般信息。
3.这些尺寸应在点0.050英寸（1.27毫米）和0.055英寸（1.40 MM）低于飞机座位进行测量。当
计不使用时，测量将在底座面制成。
4.头的座位平面应在0.001英寸（ 0.03毫米）凹平面到0.004英寸（ 0.10毫米）凸内侧的
0.930英寸（ 23.62毫米）上的报头的中心和平面内0.001英寸（ 0.03毫米）凹到0.006英寸直径的圆
（ 0.15毫米）凸整体。
5.这些方面涉及到的2N6764和2N6766型。
6.这些方面涉及到的2N6768和2N6770型。
7.安装孔应去毛刺在飞机座位边。
8.漏极电连接的情况。
9.按照ASME Y14.5M ，直径相当于
φx
符号。
图1 。
晶体管类型2N6764和物理尺寸2N6766 TO- 204AE ;
对于类型2N6768和2N6770 ， TO- 204AA
T4 - LDS -0044版本2 （ 101484 ）
第4 5
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联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044传真： +353 （ 0 ） 65 6822298
包装尺寸
LTR
BL
CH
LD
LL
LO
LS
MHD
姆欧
TL
TT
TW
第一学期
第二学期
第三学期
尺寸
英寸
MILLIMETERS
民
最大
民
最大
.535
.545
13.59
13.84
.249
.260
6.32
6.60
.035
.045
0.89
1.14
.510
.570
12.95
14.48
.150 BSC
3.81 BSC
.150 BSC
3.81 BSC
.139
.149
3.53
3.78
.665
.685
16.89
17.40
.790
.800
20.07
20.32
.040
.050
1.02
1.27
.535
.545
13.59
13.84
漏
来源
门
笔记
3, 4
注意事项：
1.尺寸以英寸。
2.毫米给出的只是一般信息。
3.突厚度陶瓷小孔中包含的尺寸LL 。
4.所有终端的情况下隔离。
5.根据ASME Y14.5M ，直径相当于
φx
符号。
图2中。
物理尺寸为2N6764T1 ， 2N6766T1 ， 2N6768T1和2N6770T1 （ TO- 254AA ） 。
T4 - LDS -0044版本2 （ 101484 ）
页5
IRF350
2N6768
机械数据
尺寸mm （英寸）
39.95 (1.573)
马克斯。
30.40 (1.197)
30.15 (1.187)
17.15 (0.675)
16.64 (0.655)
N沟道
功率MOSFET
V
DSS
I
D（续）
R
DS （ ON）
特点
重复性雪崩额定值
动态的dv / dt额定值
1
20.32 (0.800)
18.80 (0.740)
DIA 。
7.87 (0.310)
6.99 (0.275)
1.78 (0.070)
1.52 (0.060)
11.18 (0.440)
10.67 (0.420)
26.67 (1.050)
马克斯。
4.09 (0.161)
3.84 (0.151)
DIA 。
2 plc的。
2
400V
14A
Ω
0.300Ω
HERMETICALL密封
简单的驱动要求
易于并联的
1.09 (0.043)
0.97 (0.038)
DIA 。
2 plc的。
TO-3 （TO- 204AA ）金属包
PIN 1 - 源
2脚 - 门
案例 - 漏
绝对最大额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
V
GS
I
D
I
DM
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
, T
英镑
栅 - 源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
1
功率耗散@ T
例
= 25°C
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
3
雪崩电流
1
重复性雪崩能量
1
峰值二极管恢复
4
工作和存储温度范围
(V
GS
= 0 , T
例
= 25°C)
(V
GS
= 0 , T
例
= 100°C)
±20V
14A
9.0A
56A
150W
1.2W/°C
11.3mJ
14A
15mJ
4.0V/ns
-55到+ 150°C
笔记
1 ）脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
2 ）重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。
3 ） VDD = 50V ，峰值IL = 14A ，开始TJ = 25°C
4 ） ISD
≤
图14A中， di / dt的
≤
145A / μs的， VDD
≤
400V ， TJ
≤
150 ° C，建议RG = 2.35Ω
Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab鼓励客户以验证数据表是在下订单之前电流。
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网址：
http://www.semelab.co.uk
12.07 (0.475)
11.30 (0.445)
文档编号6252
第1期
IRF350
2N6768
电气特性
（温度上限= 25 ° C除非另有说明）
参数
BV
DSS
ΔBV
DSS
温度COEF网络cient
ΔT
J
击穿电压
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
I
GSS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
L
D +
L
S
阻力
栅极阈值电压
正向跨导
零栅极电压漏极电流
栅 - 源漏进
栅 - 源漏反向
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅 - 源电荷
门 - 漏极（ “米勒” ）费
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
静电额定值
漏极 - 源极击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V
I
D
= 1毫安
参考至25℃
I
D
= 1毫安
V
GS
= 10V
V
GS
= 10V
V
DS
= V
GS
V
DS
≥
15V
V
GS
= 0V
V
GS
= +20V
V
GS
= –20V
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1MHz的
V
GS
= 10V
I
D
= 14A
V
DS
= 200V
V
DD
= 200V
I
D
= 14A
R
G
= 2.35Ω
I
D
= 9.0A
I
D
= 14A
I
D
= 250μA
I
DS
= 9.0A
V
DS
= 320V
T
J
= 125°C
分钟。
400
典型值。
马克斯。
单位
V
0.46
0.300
0.400
2.0
6.0
25
250
+100
–100
2660
680
250
52
5.0
25
110
18
65
35
190
170
130
14
56
1.7
1200
250
微不足道
6.1
0.83
30
4.0
V /°C的
Ω
V
S
(Ω)
静态漏 - 源极导通状态
μA
nA
pF
nC
ns
源 - 漏极二极管的特性
连续源电流
脉冲源电流
2
I
S
= 28A
T
J
= 25°C
二极管的正向电压
1
V
GS
= 0
反向恢复时间
I
F
= 28A
T
J
= 25°C
反向恢复电荷
1
d
i
/ d
t
≤
100A / μs的V
DD
≤
50V
向前开启时间
封装特性
总电感
（从漏极焊盘的中心测量到源极焊盘的中心）
热特性
热阻结 - 壳
热阻结 - 环境（典型的插座安装）
A
V
ns
μC
nH
R
thJC
RTH
JA
° C / W
Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
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Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
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sales@semelab.co.uk
网址：
http://www.semelab.co.uk
文档编号6252
第1期
QQ：2880707522 复制
