PNP硅平面
中功率晶体管
第1期？ MARCH 94
特点
* 100伏V
首席执行官
20在我*增益
C
= 0.5安培
* P
合计
= 1瓦
2N6728
2N6729
2N6730
C
B
E
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
在T功耗
AMB
= 25°C
SYMBOL 2N6728
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
-60
-60
2N6729
-80
-80
-5
-2
-1
1
电子线
TO92兼容
2N6730
-100
-100
单位
V
V
V
A
A
W
°C
工作和存储温度范围T
j
:T
英镑
-55到+200
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
符号
2N6728
2N6729
2N6730
单位条件。
MIN 。 MAX MIN 。 MAX MIN 。 MAX
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止
当前
发射极截止
当前
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
导通电压
静态前进
电流传输
比
过渡
频率
集电极和基
电容
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
f
T
C
CB
80
50
20
50
-60
-60
-5
-1
-1
-0.5
-0.35
-1.2
250
500
30
3-9
80
50
20
50
-80
-80
-5
-1
-1
-0.5
-0.35
-1.2
250
500
30
80
50
20
50
-100
-100
-5
V
V
V
A
A
A
A
I
C
= -0.1mA ，我
E
=0
I
C
= -1mA ，我
B
=0*
I
E
= -1mA ，我
C
=0
V
CB
= -60V ，我
E
=0
V
CB
= -80V ，我
E
=0
V
CB
= -100V ，我
E
=0
V
EB
= -5V ，我
C
=0
I
C
=-250mA,I
B
=-10mA*
I
C
=-250mA,I
B
=-25mA*
IC = -250mA ，V
CE
=-1V*
I
C
= -50mA ，V
CE
=-1V*
I
C
= -250mA ，V
CE
=-1V*
I
C
= -500mA ，V
CE
=-1V*
-1
-1
-0.5 V
-0.35
-1.2
250
500
30
V
兆赫我
C
= -50mA ，V
CE
=-10V
pF
V
CE
= -10V ， F = 1MHz的
PNP硅平面
中功率晶体管
第1期？ MARCH 94
特点
* 100伏V
首席执行官
20在我*增益
C
= 0.5安培
* P
合计
= 1瓦
2N6728
2N6729
2N6730
C
B
E
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
在T功耗
AMB
= 25°C
SYMBOL 2N6728
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
-60
-60
2N6729
-80
-80
-5
-2
-1
1
电子线
TO92兼容
2N6730
-100
-100
单位
V
V
V
A
A
W
°C
工作和存储温度范围T
j
:T
英镑
-55到+200
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
符号
2N6728
2N6729
2N6730
单位条件。
MIN 。 MAX MIN 。 MAX MIN 。 MAX
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止
当前
发射极截止
当前
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
导通电压
静态前进
电流传输
比
过渡
频率
集电极和基
电容
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
f
T
C
CB
80
50
20
50
-60
-60
-5
-1
-1
-0.5
-0.35
-1.2
250
500
30
3-9
80
50
20
50
-80
-80
-5
-1
-1
-0.5
-0.35
-1.2
250
500
30
80
50
20
50
-100
-100
-5
V
V
V
A
A
A
A
I
C
= -0.1mA ，我
E
=0
I
C
= -1mA ，我
B
=0*
I
E
= -1mA ，我
C
=0
V
CB
= -60V ，我
E
=0
V
CB
= -80V ，我
E
=0
V
CB
= -100V ，我
E
=0
V
EB
= -5V ，我
C
=0
I
C
=-250mA,I
B
=-10mA*
I
C
=-250mA,I
B
=-25mA*
IC = -250mA ，V
CE
=-1V*
I
C
= -50mA ，V
CE
=-1V*
I
C
= -250mA ，V
CE
=-1V*
I
C
= -500mA ，V
CE
=-1V*
-1
-1
-0.5 V
-0.35
-1.2
250
500
30
V
兆赫我
C
= -50mA ，V
CE
=-10V
pF
V
CE
= -10V ， F = 1MHz的
PNP硅平面
中功率晶体管
第1期？ MARCH 94
特点
* 100伏V
首席执行官
20在我*增益
C
= 0.5安培
* P
合计
= 1瓦
2N6728
2N6729
2N6730
C
B
E
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
在T功耗
AMB
= 25°C
SYMBOL 2N6728
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
-60
-60
2N6729
-80
-80
-5
-2
-1
1
电子线
TO92兼容
2N6730
-100
-100
单位
V
V
V
A
A
W
°C
工作和存储温度范围T
j
:T
英镑
-55到+200
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
符号
2N6728
2N6729
2N6730
单位条件。
MIN 。 MAX MIN 。 MAX MIN 。 MAX
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止
当前
发射极截止
当前
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
导通电压
静态前进
电流传输
比
过渡
频率
集电极和基
电容
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
f
T
C
CB
80
50
20
50
-60
-60
-5
-1
-1
-0.5
-0.35
-1.2
250
500
30
3-9
80
50
20
50
-80
-80
-5
-1
-1
-0.5
-0.35
-1.2
250
500
30
80
50
20
50
-100
-100
-5
V
V
V
A
A
A
A
I
C
= -0.1mA ，我
E
=0
I
C
= -1mA ，我
B
=0*
I
E
= -1mA ，我
C
=0
V
CB
= -60V ，我
E
=0
V
CB
= -80V ，我
E
=0
V
CB
= -100V ，我
E
=0
V
EB
= -5V ，我
C
=0
I
C
=-250mA,I
B
=-10mA*
I
C
=-250mA,I
B
=-25mA*
IC = -250mA ，V
CE
=-1V*
I
C
= -50mA ，V
CE
=-1V*
I
C
= -250mA ，V
CE
=-1V*
I
C
= -500mA ，V
CE
=-1V*
-1
-1
-0.5 V
-0.35
-1.2
250
500
30
V
兆赫我
C
= -50mA ，V
CE
=-10V
pF
V
CE
= -10V ， F = 1MHz的
QQ：2880707522 复制
