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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2N6704
描述
-collector极 - 发射极
维持电压 -
: V
CEO （ SUS ）
= 130V （最小值）
高
开关速度
ULOW
饱和电压
应用
·设计
对于转换器，逆变器，脉冲宽度调制
调节器和各种功率开关电路。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃
)
符号
V
CEV
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
参数
集电极 - 发射极电压V
BE
= -1.5V
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流连续
集电极耗散功率
T
C
=25℃
结温
存储Ttemperature范围
价值
180
130
7
7
10
5
50
150
-65~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
℃
℃
P
C
T
j
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻，结到外壳
最大
2.5
单位
℃/W
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CE
(sat)-1
V
CE
(sat)-2
V
BE
（SAT）
I
CEV
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
C
OB
f
T
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
电流增益带宽积
条件
I
C
= 10毫安;我
B
= 0
I
C
= 4A ;我
B
= 0.4A
B
2N6704
民
130
最大
单位
V
0.7
1.5
1.4
0.1
1.0
0.1
30
20
50
50
150
200
V
V
V
mA
mA
I
C
= 7A ;我
B
= 0.7A
B
I
C
= 4A ;我
B
= 0.4A
B
V
CEV
= 180V;V
BE
=-1.5V
V
CEV
= 180V;V
BE
=-1.5V;T
J
= 125℃
V
EB
= 7V ;我
C
= 0
I
C
= 0.2A ; V
CE
= 2V
I
C
= 4A ; V
CE
= 2V
I
E
= 0; V
CB
= 10V ，女
TEST
=为0.1MHz
I
C
= 0.5A ; V
CE
= 10V ，女
TEST
= 1MHz的
pF
兆赫
开关时间
t
d
t
r
t
s
t
f
延迟时间
上升时间
I
C
= 4A ;我
B1
= -I
B2
= 0.4A ，V
BE
= -4V
贮存时间
下降时间
1
0.5
μs
μs
0.1
0.25
μs
μs
ISC的网站： www.iscsemi.cn
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253C154A60NB
2531WHI
20KPA30A
2SC4958-T1
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操作
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    2N6704
    -
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    -
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