2N6660X
机械数据
尺寸mm （英寸）
8.89 (0.35)
9.40 (0.37)
7.75 (0.305)
8.51 (0.335)
N沟道
增强型
MOS晶体管
特点
4.19 (0.165)
4.95 (0.195)
12.70
(0.500)
分钟。
0.89最大。
(0.035)
7.75 (0.305)
8.51 (0.335)
DIA 。
开关稳压器
转换器
电机驱动器
5.08 (0.200)
典型值。
2
1
0.66 (0.026)
1.14 (0.045)
0.71 (0.028)
0.86 (0.034)
2.54
(0.100)
3
45
TO- 39金属封装
仰视图
PIN 1 - 源
2脚 - 门
3脚 - 漏
案例 - 漏
绝对最大额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
P
D
T
j
T
英镑
T
L
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲*
功耗
功耗
存储温度范围
焊接温度（
1
/
16
“从案例10秒。 ）
@ T
例
= 25°C
@ T
例
= 100°C
@ T
例
= 25°C
@ T
例
= 100°C
60V
±40V
±1.1A
±0.8A
±3A
6.25W
2.5W
-55 ℃150℃
-55 ℃150℃
300°C
工作结温范围
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网址：
http://www.semelab.co.uk
商务部： 7083国际空间站1
2N6660X
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
参数
静态特性
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
漏极 - 源极击穿电压
栅极阈值电压
门 - 体泄漏电流
V
GS
= 0V
V
DS
= V
GS
V
GS
= ±15V
V
DS
= 0V
T
例
= 125°C
V
DS
=最大。等级V
GS
= 0V
I
DSS
I
D（上） *
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
V
DS
=0.8VMax.Ratings
V
GS
= 0V
V
GS
= 5V
R
DS （ ON） *
漏 - 源极导通电阻
V
GS
= 10V
I
D
= 1A
V
GS
= 5V
V
DS （ ON） *
g
FS *
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
ON
t
关闭
I
S
I
SM
V
SD
漏 - 源极电压上
动态特性
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
开启时间
关断时间
连续源电流
（体二极管）
源当前第（体二极管）
二极管的正向电压1
V
DD
= 25V
R
L
= 23Ω
I
D
= 1A
R
G
= 25Ω
,
测试条件
I
D
= 10μA
I
D
= 1毫安
分钟。
60
0.8
典型值。
100
1.5
1
5
1
50
马克斯。
单位
V
nA
2.2
±100
±500
10
500
μA
A
T
例
= 125°C
1.5
I
D
= 0.3A
T
例
= 125°C
I
D
= 0.3A
I
D
= 1A
I
D
= 0.5A
V
DS
= 25V
170
V
DS
=
≥2V
DS （ ON）
V
GS
= 10V
1.7
4.7
2.7
3.9
1.4
2.7
195
35
33
2
8
8
50
40
10
10
10
5
3
4.2
1.5
3
Ω
V
GS
= 10V
V
DS
= 25V
V
GS
= 0V
F = 1MHz的
V
mS
pF
ns
体漏二极管额定值和特性
修改MOSPOWER
符号表现
积分
PN Juncion整流器
V
GS
= 0V
I
S
= -1.1A
/
-1.1
5
A
-3
-0.9
V
T
例
= 125°C
1脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
μs
，占空比
≤
2%
参数
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境（自由空气操作）
热阻，结到外壳
分钟。
典型值。
马克斯。
170
20
单位
C / W
C / W
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网址：
http://www.semelab.co.uk
商务部： 7083国际空间站1
QQ：2881677436 复制
