可控硅
（续）
IT （ AMPS ）
@ TC （
o
C)
ITSM （ AMPS ）
1.6
4.0
55
6.0
90
35
85
30
85
30
30
20
例
VRRM （伏）
TO-18
TO-39
TO-202
TO-202-2
TO-202
50
60
100
200
300
400
500
600
800
IGT
VGT
IH
2N6605
2N6606
2N6607
2N6608
CS39-4B
CS202-4B
CS202-4B-2
C106A1
C106B1
C106C1
CS39-4D
CS39-4M
CS39-4N
200A
200A
200A
200A
200A
CS202-4D
CS202-4M
CS202-4D-2
CS202-4M-2
C106D1
C106E1
C106M1
0.8V
5.0mA
0.8V
5.0mA
0.8V
5.0mA
181
0.8V
5.0mA
0.8V
5.0mA
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
2N6605
2N6606
2N6607
2N6608
可控硅整流器
0.35 AMP ， 30 THRU 200伏
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述：
中央SEMICONDUCTOR 2N6605系列
类型是密封的硅可控
在TO- 18的情况下制造整流器，专为
控制系统和传感电路应用。
标记：全部型号
TO- 18 CASE
最大额定值：
(TC=25°C)
重复峰值断态电压
平均通态电流
峰值一个周期浪涌电流（ T = 8.3ms的）
峰值栅极电压
工作结温
储存温度
符号
VDRM ， VRRM
IO
ITSM
VGM
TJ
TSTG
2N6605
30
2N6606
60
2N6607
100
2N6608单位
200
V
A
A
V
°C
°C
0.35
6.0
8.0
-40到+125
-40到+150
电气特性：
（ TC = 25° C除非另有说明）
符号
测试条件
民
IDRM
IRRM
IGT
VGT
VTM
IH
额定VDRM ， RGK = 1.0KΩ
额定VRRM
VD = 6.0V ， RL = 100Ω
VD = 6.0V ， RL = 100Ω
IT=2.0A
RGK=1.0KΩ
最大
120
250
200
0.8
2.0
5.0
单位
nA
nA
μA
V
V
mA
R0 （ 2011年30月）
2N6605
2N6606
2N6607
2N6608
可控硅整流器
0.35 AMP ， 30 THRU 200伏
TO- 18案例 - 机械外形
前导码：
1 ）阴极
2 ） GATE
3 ）阳极
标记：全部型号
R0 （ 2011年30月）
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
可控硅
（续）
IT （ AMPS ）
@ TC （
o
C)
ITSM （ AMPS ）
1.6
4.0
55
6.0
90
35
85
30
85
30
30
20
例
VRRM （伏）
TO-18
TO-39
TO-202
TO-202-2
TO-202
50
60
100
200
300
400
500
600
800
IGT
VGT
IH
2N6605
2N6606
2N6607
2N6608
CS39-4B
CS202-4B
CS202-4B-2
C106A1
C106B1
C106C1
CS39-4D
CS39-4M
CS39-4N
200A
200A
200A
200A
200A
CS202-4D
CS202-4M
CS202-4D-2
CS202-4M-2
C106D1
C106E1
C106M1
0.8V
5.0mA
0.8V
5.0mA
0.8V
5.0mA
181
0.8V
5.0mA
0.8V
5.0mA
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
QQ：2880707522 复制
