2N6577
尺寸以毫米（英寸） 。
25.15 (0.99)
26.67 (1.05)
10.67 (0.42)
11.18 (0.44)
1.52 (0.06)
3.43 (0.135)
6.35 (0.25)
9.15 (0.36)
在一个双极NPN器件
密封TO3
金属包装。
38.61 (1.52)
39.12 (1.54)
0.97 (0.060)
1.10 (0.043)
29.9 (1.177)
30.4 (1.197)
22.23
(0.875)
马克斯。
16.64 (0.655)
17.15 (0.675)
1
2
双极NPN装置。
V
首席执行官
= 90V
3
（案例）
3.84 (0.151)
4.09 (0.161)
7.92 (0.312)
12.70 (0.50)
I
C
= 15A
所有Semelab密封产品
可根据被处理
BS ， CECC和JAN的要求，
JANTX ， JANTXV和JANS规范。
TO3 （ TO204AA ）
引脚配置
1 - 基地
2 - 发射极
案例 - 集电极
参数
V
首席执行官
*
I
C（ CONT ）
h
FE
f
t
P
D
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
90
15
单位
V
A
-
Hz
@ 3/10 (V
CE
/ I
C
)
500
200M
5000
120
W
*最大工作电压
这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表，请联系
sales@semelab.co.uk 。
Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网址：
http://www.semelab.co.uk
产生
31-Jul-02
2H6576
2H6577
2N6578
I
NPN硅达林顿功率
通用
EpiBase
动力
DARL亨廷顿
晶体管
晶体管，
适宜
线性和开关
更换
应用程序。
和驱动程序
为2N3055
高增益达灵顿
内建的
性能
为反接
逻辑
保护
二极管保护
可以从驱动
热门电压
操作
低电平
范围
以T200 ℃，
范围 - -65
I
总功耗
减免上述25℃
@ TC = 25°C
—120—
A
~-65
0.685
—
~
瓦
Wloc
LFA ' L * C
~ _;
STYLEi ：
1. PIN BASE
2.辐射源
案例： OLLECTOR
C
Q
H
B
暗淡
T
??? >
座位
飞机
＆放大器;
!
Y
工作和存储结， + { I'3 * < ： ！ ， * ！ > TJ ， T TG
~.,
,.,
' ：P ！ ， Y，
,
温度范围
以T200
OC “
4
F
J
热
特性，端子， @ LS * CS
T \\ >U ...
:
Character& l& .S $ S “
到案
焊接
符号
RθJC
TL
最大
1.46
265
单位
热
最大
,
flesistang + ~~~ $离子
LEA @ T ~~ &ature
oclw
‘c
Purposq ＃ N4 $ '
} ROM案例10秒。
MILLIMETERS
I
英寸
MIN I MAX I MIN MAX
I
I
I
DAR LINGTON
概要
集热器
~-----
BASE
！它
1
CASE 11-03
TO-3
‘4’
=150’
Lz4
k__
~
J
辐射源
外延基地是一个Trademerk
,...,,,,
Motorole的
公司
I
.
MOTOROLAINC 。 ， 197A
u> 6JD3
（ AD取代我327 ）
-- ----
*电气
特征
特征
（ TC =
25°c
除非另有
注意）。
符号
民
I
最大
I
单位
I
I
开关特性
集电极 - 发射极
([c=
200mAdc,
维持
IB = 0）的
电压（升）
2N6576
2N6577
A.，网络连接---
VCEO （ $“符号）
60
VDC
1
I I
v-
I
I
， LCU
I
—
集热器
（ VCER
集热器
VCEX
集热器
截止
当前
值，
RBE = 10千欧，
TC = 150 ° C）
ICEV
V'alue ， VGE （关闭）
= 1.5伏）
ICBO
—
.~~,,+
~~ ,,,吨~~ ,, < R 1， ， -U-
。 ， 1，... ： >
.
>. + ..
,
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MADC
‘\:?i=-
“' I $ ,,
~.~’~
%*,.,,,
..
@ ie> ;,
，S ; TI 。
\~~ ., ,.,
i< ,,。 ， 。 ， ..
—
–
“.”
=额定VCEO （ SUS）
截止
当前
=额定VCEO （ SUS）
截止
当前
（ VCB =
额定值）
基本特征
直流电流增益
{ IC = 15 ADC ， VCE = 4.0 V直流）
（ ！ C = 10位ADC ， VCE = 3.0 V直流）
的hFE
1@’!”z’ ‘% ~’
$ ％S ; > “
..3 $$ '' ％ TI 2
， .i<r 。 ， $
+, .!,:!:$.
.
'C E（ SA ~~ Y $ <
* :: 。 \\ * > \\ ._
5,000
20,000
–
VDC
(1C = 4.0
ADC ， VCE = 3.0的VdCl
（ IC = 0.4
ADC ， VCE = 3.0 V直流）
集电极 - 发射极
([c=
饱和
电压
（ IC = 15 ADC ， IB =
0.15 ADC）
ADC）
电压
ADC）
降
10位ADC ， IB = O.l
饱和
,-.J
\,.t. ,$$.
~.,.’
~
， ： SV ; G重量）
~~ ： >
<h
,,
~.i.i,
{,~$,,; k:.
~
， Y' I { ，
\$$\w :
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.
\,,\\?,
VF ，
“.’jJ, ‘
,
。 + f&&T< Q，
.,. .,,
比
‘::*,,,,
,, ： 。 } > ， :: $
—
—
—
4.0
2.8
VDC
4.5
3.5
4.5
VDC
基射
（ IT =
（ IC扒
15 ADC ， LG = 0.15Adc ）
10位ADC ， IB = O.I
集电极 - 发射极
（ I EC = 15Adc ）
动态
大小
二极管电压
—
特征
的commo ，正发射极的
小信号
短路
.
‘i~,
.\ ‘
Curre ＃茶＃ sfer
S： “ Q { + C ） ，
.:$” ‘ “
： ？ ？ ？ > ; \\ .>,& ： * ： I T +
中，a， L，S，
,.,,
*t:.
***,,
, , .;,? .,
ADC ，
Ihfel
10
200
—
（ IC = 3.0 ADC ， VCE = 3.0伏; F， = 1.0兆赫）
开关
电阻
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
*表示JEDEC
特征
负载
（图2）
（VCC
= 30伏直流电， IC = '10广告$ ， $ 8.1 ~~
CVCl$a*3~@~+
td
tr
—
—
—
—
0.15
1.0
~
#s
Ps
Ps
ps
TP = 300 PS ，
Dutv
（VCC
= 30伏直流电， IC '我~~~~ “ YIBl
= IB2 =
0.1 ADC ，
t~
tf
TP = 300 PS ，鸭$ v'c & @ + 2.0 ％ ）
$i
,i~
..， & $ & ： ＃ :: “
注册资料$'
Cvcle <
2.0%.
2.0
7.0
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度< 30 ， Q， 4 / $ &&&
.:?. ,
,,\\ ~:\t;\:
-%?.
,;$
l\:)~?
， > ？
,:.,/ ,.,
科幻gure
1 - ' FIJ @ ORWARD
SA ， @ ; & '％阿婷
区域
那里
两
限制
对
动力
处理
abilitv
of
偏见
晶体管：
平均结
温度
IC- VCE
和二次击穿。
该晶体管的极限
即，晶体管
比
TJ （ PK）
曲线
是可变的
是
安全工作
必须
不
面积曲线表明
to
更大
器必须be'observed
受到
表示。
为可靠的操作;
耗散
图1中的数据是基于锝= 25 ℃;
I
%
1.o~-”-
B ndingwirsLimit
JUwll
!-
根据
TJ （ PK）
ON电源
的水平。
第二
击穿
脉冲I imits
有效的占空比为10％。
可以计算
热
以价值观
从图7中的数据。在高
会降低功率
限制
征收
by
外壳温度
可以被处理
二次击穿。
限制
少于
,.
‘L
VCE ，集电极 - 发射极
电压
（伏）
~
摩托罗拉
半导体产品/ NC 。
科幻gure
2–
直流电流
收益
FIGURE”3
- 集电极饱和
地区
5UU
-
-JUQL-
1
\
200
1
I
0.2
I
I
I
I
I
I II
I
0.5
T,0
I
.2.0
I
I
[ I I I II
5:0
“ LO
\l
15
集成电路， COLLECTORCURRENT （ AMPS）的
科幻gure
4 =集热器
饱和
电压
1
~
‘i”’
I
I
I
I
U.UL
----
..
---,-.
I
,,.L
@jc （T ）
R（T ） EJC
OJC = 1.46
m
ti
DcuRvESAPPLYFORPOWER
=
‘
0.01
0,2
0,3
0,5
0.7
1,0
2.0
3,0
,
I
I
1
I
I
1
I
I
I
1 1 11
I
I
I I
I
5.0
11111!
ti
iii
0.01
0.1
I
7.0
10
T，时间
（ MSL
20
30
I
I
50
I
I
70
生病
100
I
[
I
200
I
300
I
I I
生病]
500 700 1000
m
摩托罗拉
SemiconductorProductsInc 。
145亚当斯大街Hauppauge的，纽约州11788美国
联系电话： （ 631 ） 435-1110 传真： （ 631 ） 435-1824
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6576 2N6577 2N6578
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的
3
2N6576 2N6577 2N6578
*表示JEDEC注册的数据
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
300
s,
占空比
*电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
开关特性
电阻性负载（图2）
动态特性
基本特征
开关特性
下降时间
贮存时间
上升时间
延迟时间
的共发射极小信号短路电流传输比大小
（ IC = 3.0 ADC ， VCE = 3.0伏， F = 1.0兆赫）
集电极 - 发射极二极管的压降
（ IEC = 15 ADC）
基射极饱和电压
（ IC = 15 ADC ， IB = 0.15 ADC ）
（ IC = 10位ADC ， IB = 0.1 ADC ）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 15 ADC ， IB = 0.15 ADC ）
（ IC = 10位ADC ， IB = 0.1 ADC ）
直流电流增益
（ IC = 15 ADC ， VCE = 4.0 V直流）
（ IC = 10位ADC ， VCE = 3.0 V直流）
（ IC = 4.0 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
（ IC = 0.4 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
集电极截止电流（ VCB =额定值）
收藏家Cuto FF电流
VCEX =额定VCEO （ SUS）值， VBE （关闭） = 1.5伏）
收藏家Cuto FF电流
（ VCER =额定VCEO （ SUS）值， RBE = 10 kΩ的， TC = 150
_
C)
集电极截止电流（ VCE =额定值）
集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）
（ IC = 200 MADC ， IB = 0 ）
2
0.05
IC ，集电极电流（ AMP ）
1.0
0.1
0.2
0.5
2.0
5.0
10
20
40
2.0
5.0
40 60
100 150
10
20
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
图1.额定正向偏置
安全工作区
TJ = 200℃
键合丝有限公司
热限制，单脉冲，
TC = 25°C
第二击穿极限
v
dc
（ VCC = 30 V直流， IC = 10位ADC ， IB1 = IB2 = 0.1 ADC ，
TP = 300
s,
占空比
2.0%)
（ VCC = 30 V直流， IC = 10位ADC ， IB1 = 0.1 ADC ，
TP = 300
s,
占空比
2.0%)
特征
2N6576
2N6577
2N6578
v
2.0%.
1.0毫秒
100
s
5.0毫秒
v
v
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二突破性
下来。安全工作区曲线表明IC - VCE的限制
必须可靠运行被观察的晶体管;
即，晶体管不能承受较大的耗散
灰比的曲线表示。
图1中的数据是基于TC = 25
_
℃; TJ （ PK）是
变量取决于功率电平。其次，脉细数
限制是有效的占空比为10％。
TJ （ pk）的可从数据计算在图6中。在高
外壳温度热限制将降低电源
可处理到值小于限制im-
通过二次击穿造成。
2N6576
2N6577
2N6578
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
VCEO （ SUS）
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
符号
ICBO
ICEO
ICER
ICEV
| HFE |
的hFE
VF
td
ts
tr
tf
100
500
2000
200
民
60
90
120
10
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
5,000
20,000
—
0.15
最大
200
7.0
2.0
1.0
4.5
4.5
3.5
4.0
2.8
0.5
5.0
5.0
1.0
—
—
—
MADC
MADC
MADC
MADC
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
s
s
s
s
—
—
2N6576 2N6577 2N6578
5
+ 150°C
的hFE ， DC电流增益
5k
VCE = 3伏直流
VCE ，集电极 - 发射极（伏）
10 k
4
15 A
3
10 A
2
5A
1
0.5
0.0001
0.0003
0.001 0.002 0.005 0.01 0.02
IB ，基极电流（ AMPS ）
0.05
0.1
1A
2k
1k
500
25°C
– 30°C
200
0.2
1.0
2.0
0.5
5.0
IC ，集电极电流（ AMPS ）
10
15
图2.直流电流增益
图3.集电极饱和区
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
5
IC / IB = 100
V，电压（V ）
VBE （星期六） @ IC / IB = 100
VBE （ ON） @ VCE = 3V ，25°C
TJ = + 150°C
+ 25°C
2
1.5
1
0.5
0.2
0.5
1
5
2
IC ，集电极电流（ AMPS ）
10 15
0.2
0.5
1
2
5
IC ，集电极电流（ AMPS ）
10
15
– 30°C
4
4
3
– 30°C
2
1.5
1
0.5
+ 25°C
+150°C
3
图4.集电极饱和电压
图5.基射极电压
R（T ）有效的瞬变
热电阻（标准化）
0.1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7
1.0
2.0
3.0
θ
JC （ T） = R（T ）
θ
JC
θ
JC = 1.46
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ （ PK） - TC = P （ PK）
θ
JC （T ）
5.0 7.0 10
吨，时间（ ms）的
20
30
50
70
100
P（ PK）
t1
t2
占空比D = T1 / T2
200 300
500 700 1000
图6.热响应
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
2N6576 2N6577 2N6578
包装尺寸
A
N
C
–T–
E
D
U
V
2
2 PL
座位
飞机
K
M
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.所有规则和注意事项与相关的
参考- 204AA外形为准。
0.13 (0.005)
L
G
1
Q
M
Y
M
–Y–
H
B
–Q–
0.13 (0.005)
M
牛逼
M
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
K
L
N
Q
U
V
英寸
民
最大
1.550 REF
–––
1.050
0.250
0.335
0.038
0.043
0.055
0.070
0.430 BSC
0.215 BSC
0.440
0.480
0.665 BSC
–––
0.830
0.151
0.165
1.187 BSC
0.131
0.188
MILLIMETERS
民
最大
39.37 REF
–––
26.67
6.35
8.51
0.97
1.09
1.40
1.77
10.92 BSC
5.46 BSC
11.18
12.19
16.89 BSC
–––
21.08
3.84
4.19
30.15 BSC
3.33
4.77
风格1 ：
1. PIN BASE
2.辐射源
案例：收藏家
案例1-07
TO- 204AA （TO- 3）
ISSUE
摩托罗拉保留更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保，声明或保证
其产品适用于任何特定用途，也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，
并明确拒绝承担任何责任，包括但不限于间接或附带损失。 “典型”参数，并会根据不同的
应用程序。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并
不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。摩托罗拉产品不是设计，意，或授权用作组件
旨在系统通过外科手术移植到体内，或其他应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的故障
摩托罗拉的产品可能会造成这样一种情况人身伤害或死亡可能会发生。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何此类
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有摩托罗拉和其职员，雇员，子公司，联营公司及分销商无害
对所有索赔，费用，损失，费用，以及直接或间接引起的，合理的律师费，人身伤害或死亡的任何索赔
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称，摩托罗拉对零件的设计或制造疏忽造成的。
摩托罗拉
注册摩托罗拉公司，摩托罗拉公司的商标是一个平等机会/ AF连接rmative行动雇主。
如何找到我们：
美国/欧洲：
摩托罗拉文学分布;
P.O. 20912盒;亚利桑那州凤凰城85036. 1-800-441-2447
M传真：
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互联网：
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日本：
日本摩托罗拉有限公司;巽SPD- JLDC ，利胜乙木，
6F西武Butsuryu中心， 3-14-2巽江东区，东京135 ，日本。 03-3521-8315
香港：
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园，
51汀角路，大埔，新界，香港。 852-26629298
4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
*2N6576/D*
2N6576/D
功率晶体管
TO- 3案（续）
型号
IC
(A)
最大
10
10
10
10
15
15
PD
(W)
125
175
175
175
115
150
160
160
160
125
125
125
117
100
100
100
125
125
125
125
100
100
125
125
175
175
100
120
120
120
150
150
150
BVCBO
(V)
民
110
300
375
450
55
100
60
80
100
500
600
700
50
40
60
80
50
50
70
90
650
850
650
850
650
850
45
60
90
120
350
400
450
BVCEO
(V)
民
100
200
275
350
45
80
60
80
100
250
300
350
40
40
60
80
40
40
60
80
300
400
300
400
300
400
40
60
90
120
300
350
400
的hFE
* TYP
民
20
10
8.0
6.0
20
20
750
750
750
15
15
12
15
最大
100
50
50
50
70
70
@ IC VCE （ SAT ）
(A)
5.0
10
10
10
3.0
5.0
(V)
最大
3.5
1.5
1.5
1.5
4.0
4.0
3.0
3.0
3.0
5.0
5.0
5.0
4.0
3.0
3.0
3.0
3.5
3.5
3.5
3.5
1.0
1.0
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
4.0
4.0
4.0
2.0
2.0
2.0
@ IC
(A)
10
10
10
10
15
15
20
20
20
8.0
8.0
8.0
16
10
10
10
15
15
15
15
3.0
3.0
8.0
5.0
10
10
4.0
15
15
15
8.0
8.0
8.0
NPN
2N6249
2N6250
2N6251
2N6253
2N6254
2N6282
2N6283
2N6284
2N6306
2N6307
2N6308
2N6371
2N6383
2N6384
2N6385
2N6470
2N6471
2N6472
2N6542
2N6543
2N6544
2N6545
2N6546
2N6547
2N6569
2N6576
2N6577
2N6578
2N6671
2N6672
2N6673
PNP
2N6248
fT
* TYP
（兆赫）
民
4.0
2.5
2.5
2.5
4.0
--
4.0
4.0
4.0
5.0
5.0
5.0
4.0
6.0
6.0
6.0
4.0
4.0
4.0
4.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
2.5
6.0
6.0
6.0
15
15
15
2N6285
2N6286
2N6287
20
20
20
8.0
8.0
8.0
15
18,000 10
18,000 10
18,000 10
75
75
60
60
8.0
8.0
8.0
8.0
2N6648
2N6649
2N6650
2N6469
10
10
10
15
15
15
15
5.0
5.0
8.0
8.0
15
15
1,000 20,000 5.0
1,000 20,000 5.0
1,000 20,000 5.0
20
20
20
20
7.0
7.0
7.0
7.0
12
12
15
150
150
150
150
35
35
35
35
60
60
200
5.0
5.0
5.0
5.0
3.0
3.0
5.0
5.0
5.0
5.0
4.0
2N6594
12
15
15
15
8.0
8.0
8.0
2,000 20,000 4.0
2,000 20,000 4.0
2,000 20,000 4.0
10
10
10
40
40
40
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--
--
阴影部分表示达林顿。
83
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