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JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 3封装
电压,高速
应用
切换
稳压器
PWM
逆变器和电机控制
·电磁阀
和继电器驱动器
·偏转
电路
钉扎
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
2N6542 2N6543
Fig.1简化外形( TO- 3 )和符号
绝对最大额定值(Ta =
℃)
符号
参数
2N6542
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N6543
2N6542
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N6543
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
E
I
EM
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
发射极电流
发射极电流峰值
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
400
8
5
10
5
10
20
100
200
-65~200
V
A
A
A
A
A
W
发射极开路
850
300
V
条件
价值
650
V
单位
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2N6542 2N6543
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
2N6542
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
2N6543
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BESAT
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
2N6542
I
CEV
集电极截止电流
2N6543
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
Trainsistion频率
I
C
= 3A ;我
B
=0.6A
I
C
= 5A ;我
B
=1.0A
I
C
= 3A ;我
B
=0.6A
V
CE
=650V; V
BE (OFF)的
=1.5V
T
C
=100℃
V
CE
=850V; V
BE (OFF)的
=1.5V
T
C
=100℃
V
EB
= 8V ;我
C
=0
I
C
= 1.5A ; V
CE
=2V
I
C
= 3A ; V
CE
=2V
I
C
= 0.2A ; V
CE
=10V;f=1MHz
12
7
6
400
1.0
5.0
1.4
0.5
3.0
0.5
3.0
1.0
60
35
35
兆赫
mA
V
V
V
条件
300
V
典型值。
最大
单位
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极
维持电压
mA
开关时间
t
d
t
r
t
英镑
t
f
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
0.05
0.7
4.0
0.8
μs
μs
μs
μs
V
CC
= 250V ;我
C
=3.0A
I
B1
=-I
B2
=0.6A;t
p
=0.1ms
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.75
单位
℃/W
2
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6542 2N6543
图2外形尺寸( unindicated公差: ± 0.10mm)的
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 3封装
电压,高速
应用
切换
稳压器
PWM
逆变器和电机控制
·电磁阀
和继电器驱动器
·偏转
电路
钉扎
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
2N6542 2N6543
Fig.1简化外形( TO- 3 )和符号
绝对最大额定值(Ta =
℃)
符号
V
CBO
固电
IN
导½
参数
2N6542
2N6543
2N6542
2N6543
条件
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
ES
CH
发射极开路
ICO
EM
OR
UCT
ND
价值
650
850
300
400
8
5
10
5
10
20
单位
V
开基
V
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
E
I
EM
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极开路
V
A
A
A
A
A
W
基极电流
发射极电流
发射极电流峰值
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
100
200
-65~200
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2N6542 2N6543
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
2N6542
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
2N6543
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BESAT
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
2N6542
I
CEV
集电极截止电流
2N6543
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
发射极截止电流
I
C
= 3A ;我
B
=0.6A
I
C
= 5A ;我
B
=1.0A
I
C
= 3A ;我
B
=0.6A
V
CE
=650V; V
BE (OFF)的
=1.5V
T
C
=100℃
V
CE
=850V; V
BE (OFF)的
=1.5V
T
C
=100℃
V
EB
= 8V ;我
C
=0
I
C
= 1.5A ; V
CE
=2V
12
400
1.0
5.0
1.4
0.5
3.0
0.5
3.0
1.0
mA
V
V
V
条件
300
V
典型值。
最大
单位
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极
维持电压
mA
固电
IN
直流电流增益
直流电流增益
导½
Trainsistion频率
开关时间
t
d
t
r
t
英镑
t
f
延迟时间
上升时间
CH
MIC
ê SE
I
C
= 3A ; V
CE
=2V
I
C
= 0.2A ; V
CE
=10V;f=1MHz
ND
O
7
6
OR
UCT
60
35
35
兆赫
0.05
0.7
4.0
0.8
μs
μs
μs
μs
贮存时间
下降时间
V
CC
= 250V ;我
C
=3.0A
I
B1
=-I
B2
=0.6A;t
p
=0.1ms
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.75
单位
℃/W
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6542 2N6543
固电
IN
导½
ES
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸( unindicated公差: ± 0.10mm)的
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·采用TO-3封装
·高电压,高转速
应用
开关稳压器
· PWM逆变器和电机控制
·电磁阀和继电器驱动器
·偏转电路
钉扎
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
2N6542 2N6543
Fig.1简化外形( TO- 3 )和符号
绝对最大额定值(Ta =
)
符号
参数
2N6542
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N6543
2N6542
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N6543
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
E
I
EM
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
发射极电流
发射极电流峰值
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
集电极开路
开基
400
8
5
10
5
10
20
100
200
-65~200
V
A
A
A
A
A
W
发射极开路
850
300
V
条件
价值
650
V
单位
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2N6542 2N6543
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
2N6542
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
2N6543
I
C
= 3A ;我
B
=0.6A
I
C
= 5A ;我
B
=1.0A
I
C
= 3A ;我
B
=0.6A
V
CE
=650V; V
BE (OFF)的
=1.5V
T
C
=100
V
CE
=850V; V
BE (OFF)的
=1.5V
T
C
=100
V
EB
= 8V ;我
C
=0
I
C
= 1.5A ; V
CE
=2V
I
C
= 3A ; V
CE
=2V
I
C
= 0.2A ; V
CE
=10V;f=1MHz
12
7
6
400
1.0
5.0
1.4
0.5
3.0
0.5
3.0
1.0
60
35
35
兆赫
V
V
V
条件
300
V
典型值。
最大
单位
符号
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极
维持电压
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BESAT
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
2N6542
I
CEV
集电极截止电流
2N6543
mA
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
Trainsistion频率
mA
开关时间
t
d
t
r
t
英镑
t
f
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
0.05
0.7
4.0
0.8
s
s
s
s
V
CC
= 250V ;我
C
=3.0A
I
B1
=-I
B2
=0.6A;t
p
=0.1ms
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.75
单位
/W
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6542 2N6543
图2外形尺寸( unindicated公差: ± 0.10mm)的
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 3封装
电压,高速
应用
切换
稳压器
PWM
逆变器和电机控制
·电磁阀
和继电器驱动器
·偏转
电路
钉扎
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
2N6542 2N6543
Fig.1简化外形( TO- 3 )和符号
绝对最大额定值(Ta =
℃)
符号
参数
2N6542
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N6543
2N6542
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N6543
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
E
I
EM
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
发射极电流
发射极电流峰值
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
400
8
5
10
5
10
20
100
200
-65~200
V
A
A
A
A
A
W
发射极开路
850
300
V
条件
价值
650
V
单位
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2N6542 2N6543
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
2N6542
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
2N6543
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BESAT
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
2N6542
I
CEV
集电极截止电流
2N6543
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
Trainsistion频率
I
C
= 3A ;我
B
=0.6A
I
C
= 5A ;我
B
=1.0A
I
C
= 3A ;我
B
=0.6A
V
CE
=650V; V
BE (OFF)的
=1.5V
T
C
=100℃
V
CE
=850V; V
BE (OFF)的
=1.5V
T
C
=100℃
V
EB
= 8V ;我
C
=0
I
C
= 1.5A ; V
CE
=2V
I
C
= 3A ; V
CE
=2V
I
C
= 0.2A ; V
CE
=10V;f=1MHz
12
7
6
400
1.0
5.0
1.4
0.5
3.0
0.5
3.0
1.0
60
35
35
兆赫
mA
V
V
V
条件
300
V
典型值。
最大
单位
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极
维持电压
mA
开关时间
t
d
t
r
t
英镑
t
f
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
0.05
0.7
4.0
0.8
μs
μs
μs
μs
V
CC
= 250V ;我
C
=3.0A
I
B1
=-I
B2
=0.6A;t
p
=0.1ms
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.75
单位
℃/W
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6542 2N6543
图2外形尺寸( unindicated公差: ± 0.10mm)的
3
2N6542
尺寸以毫米(英寸) 。
25.15 (0.99)
26.67 (1.05)
10.67 (0.42)
11.18 (0.44)
1.52 (0.06)
3.43 (0.135)
6.35 (0.25)
9.15 (0.36)
在一个双极NPN器件
密封TO3
金属包装。
38.61 (1.52)
39.12 (1.54)
0.97 (0.060)
1.10 (0.043)
29.9 (1.177)
30.4 (1.197)
22.23
(0.875)
马克斯。
16.64 (0.655)
17.15 (0.675)
1
2
双极NPN装置。
V
首席执行官
= 300V
3
(案例)
3.84 (0.151)
4.09 (0.161)
7.92 (0.312)
12.70 (0.50)
I
C
= 5A
所有Semelab密封产品
可根据被处理
BS , CECC和JAN的要求,
JANTX , JANTXV和JANS规范。
TO3 ( TO204AA )
引脚配置
1 - 基地
2 - 发射极
案例 - 集电极
参数
V
首席执行官
*
I
C( CONT )
h
FE
f
t
P
D
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
300
5
单位
V
A
-
Hz
@ 2/3 (V
CE
/ I
C
)
7
6M
35
100
W
*最大工作电压
这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表,请联系
sales@semelab.co.uk 。
Semelab Plc的保留改变试验条件,参数限制和封装尺寸,恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠,在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab PLC 。
电话:+44( 0 ) 1455 556565.传真:+44( 0 ) 1455 552612 。
电子信箱:
sales@semelab.co.uk
网址:
http://www.semelab.co.uk
产生
31-Jul-02
功率晶体管
TO- 3案(续)
型号
IC
(A)
最大
10
10
10
10
15
15
PD
(W)
125
175
175
175
115
150
160
160
160
125
125
125
117
100
100
100
125
125
125
125
100
100
125
125
175
175
100
120
120
120
150
150
150
BVCBO
(V)
110
300
375
450
55
100
60
80
100
500
600
700
50
40
60
80
50
50
70
90
650
850
650
850
650
850
45
60
90
120
350
400
450
BVCEO
(V)
100
200
275
350
45
80
60
80
100
250
300
350
40
40
60
80
40
40
60
80
300
400
300
400
300
400
40
60
90
120
300
350
400
的hFE
* TYP
20
10
8.0
6.0
20
20
750
750
750
15
15
12
15
最大
100
50
50
50
70
70
@ IC VCE ( SAT )
(A)
5.0
10
10
10
3.0
5.0
(V)
最大
3.5
1.5
1.5
1.5
4.0
4.0
3.0
3.0
3.0
5.0
5.0
5.0
4.0
3.0
3.0
3.0
3.5
3.5
3.5
3.5
1.0
1.0
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
4.0
4.0
4.0
2.0
2.0
2.0
@ IC
(A)
10
10
10
10
15
15
20
20
20
8.0
8.0
8.0
16
10
10
10
15
15
15
15
3.0
3.0
8.0
5.0
10
10
4.0
15
15
15
8.0
8.0
8.0
NPN
2N6249
2N6250
2N6251
2N6253
2N6254
2N6282
2N6283
2N6284
2N6306
2N6307
2N6308
2N6371
2N6383
2N6384
2N6385
2N6470
2N6471
2N6472
2N6542
2N6543
2N6544
2N6545
2N6546
2N6547
2N6569
2N6576
2N6577
2N6578
2N6671
2N6672
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