NPN - 2N6515 , 2N6517 ; PNP - 2N6520
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压(注1 )
(I
C
= 1.0 MADC ,我
B
= 0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 100
MADC ,
I
E
= 0 )
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 10
MADC ,
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 150伏,我
E
= 0)
(V
CB
= 250 VDC ,我
E
= 0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 5.0伏,我
C
= 0)
(V
EB
= 4.0伏,我
C
= 0)
基本特征
(注1 )
直流电流增益
(I
C
= 1.0 MADC ,V
CE
= 10 VDC )
(I
C
= 10 MADC ,V
CE
= 10 VDC )
(I
C
= 30 MADC ,V
CE
= 10 VDC )
(I
C
= 50 MADC ,V
CE
= 10 VDC )
(I
C
= 100 MADC ,V
CE
= 10 VDC )
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10 MADC ,我
B
= 1.0 MADC )
(I
C
= 20 MADC ,我
B
= 2.0 MADC )
(I
C
= 30 MADC ,我
B
= 3.0 MADC )
(I
C
= 50 MADC ,我
B
= 5.0 MADC )
基射极饱和电压
(I
C
= 10 MADC ,我
B
= 1.0 MADC )
(I
C
= 20 MADC ,我
B
= 2.0 MADC )
(I
C
= 30 MADC ,我
B
= 3.0 MADC )
基射极电压ON
(I
C
= 100 MADC ,V
CE
= 10 VDC )
小信号特性
电流增益 - 带宽积(注1 )
(I
C
= 10 MADC ,V
CE
= 20伏, F = 20兆赫)
集电极 - 基极电容
(V
CB
= 20伏直流,我
E
= 0中,f = 1.0 MHz)的
发射极 - 基极电容
(V
EB
= 0.5伏,我
C
= 0中,f = 1.0 MHz)的
开关特性
开启时间
(V
CC
= 100伏,V
BE (OFF)的
= 2.0伏,我
C
= 50 MADC ,我
B1
= 10 MADC )
关断时间
(V
CC
= 100伏,我
C
= 50 MADC ,我
B1
= I
B2
= 10 MADC )
1.脉冲测试:脉冲宽度
≤
300
女士,
占空比
≤
2.0%.
t
on
t
关闭
200
3.5
ms
ms
2N6515, 2N6517
2N6520
f
T
C
cb
C
eb
80
100
40
200
6.0
兆赫
pF
pF
h
FE
2N6515
2N6517, 2N6520
2N6515
2N6517, 2N6520
2N6515
2N6517, 2N6520
2N6515
2N6517, 2N6520
2N6515
2N6517, 2N6520
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
BE(上)
0.75
0.85
0.90
2.0
VDC
0.30
0.35
0.50
1.0
VDC
35
20
50
30
50
30
45
20
25
15
300
200
220
200
VDC
V
( BR ) CEO
2N6515
2N6517, 2N6520
V
( BR ) CBO
2N6515
2N6517, 2N6520
V
( BR ) EBO
2N6515, 2N6517
2N6520
I
CBO
2N6515
2N6517, 2N6520
I
EBO
2N6515, 2N6517
2N6520
50
50
50
50
NADC
6.0
5.0
NADC
250
350
VDC
250
350
VDC
VDC
符号
民
最大
单位
http://onsemi.com
2
NPN - 2N6515 , 2N6517 ; PNP - 2N6520
200
V
CE
= 10 V
T
J
= 125°C
的hFE , DC电流增益
100
70
25°C
55°C
50
30
20
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20 30
I
C
,集电极电流(毫安)
50
70 100
图1.直流电流增益
NPN 2N6515
200
V
CE
= 10 V
的hFE , DC电流增益
100
70
50
30
20
T
J
= 125°C
的hFE , DC电流增益
200
V
CE
= 10 V
100
70
50
30
20
55°C
T
J
= 125°C
25°C
25°C
55°C
10
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20 30
I
C
,集电极电流(毫安)
50 70 100
10
1.0
2.0 3.0 5.0 7.0 10
20 30
I
C
,集电极电流(毫安)
50 70 100
图2.直流电流增益
NPN 2N6517
带宽积(兆赫)
带宽积(兆赫)
图3.直流电流增益
PNP 2N6520
100
70
50
T
J
= 25°C
V
CE
= 20 V
F = 20MHz的
100
70
50
T
J
= 25°C
V
CE
= 20 V
F = 20MHz的
30
20
30
20
F T ,电流增益
10
1.0
F T ,电流增益
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20 30
I
C
,集电极电流(毫安)
50 70
100
10
1.0
2.0 3.0 5.0 7.0 10
20 30
I
C
,集电极电流(毫安)
50 70 100
图4.电流增益 - 带宽积
NPN 2N6515 , 2N6517
图5.电流增益 - 带宽积
PNP 2N6520
http://onsemi.com
3
NPN - 2N6515 , 2N6517 ; PNP - 2N6520
1.4
T
J
= 25°C
V,电压(V )
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
V
CE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 5.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20 30
I
C
,集电极电流(毫安)
50
70 100
0
1.0
V
CE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 10
V
CE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 5.0
2.0 3.0 5.0 7.0 10
20 30
I
C
,集电极电流(毫安)
50 70 100
V
BE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE(上)
@ V
CE
= 10 V
T
J
= 25°C
1.4
1.2
V,电压(V )
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
1.0
V
CE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE(上)
@ V
CE
= 10 V
图6. “开”电压
NPN 2N6515 , 2N6517
图7. “开”电压
PNP 2N6520
R
θ
V,温度系数(MV /
°
C)
R
θ
V,温度系数(MV /
°
C)
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
1.0
R
QVC
对于V
CE ( SAT )
-55 ° C至125°C
50 70 100
R
QVB
对于V
BE
IC
+
10
IB
25 ° C至125°C
-55℃
25°C
IC
+
10
IB
25 ° C至125°C
R
QVC
对于V
CE ( SAT )
-55℃
25°C
-55 ° C至125°C
R
QVB
对于V
BE
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20 30
I
C
,集电极电流(毫安)
50
70
100
2.0 3.0 5.0 7.0 10
20 30
I
C
,集电极电流(毫安)
图8.温度系数
NPN 2N6515 , 2N6517
图9.温度系数
PNP 2N6520
100
70
50
C,电容(pF )
30
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.2
100
70
50
C,电容(pF )
30
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.2
C
eb
T
J
= 25°C
C
eb
T
J
= 25°C
C
cb
C
cb
0.5
1.0 2.0
5.0
10
20
V
R
,反向电压(伏)
50 100 200
0.5 1.0 2.0
5.0 10 20
50
V
R
,反向电压(伏)
10
0
20
0
图10.电容
NPN 2N6515 , 2N6517
图11.电容
PNP 2N6520
http://onsemi.com
4
NPN - 2N6515 , 2N6517 ; PNP - 2N6520
1.0 k
700
500
300
T, TIME ( NS )
200
t
r
100
70
50
30
20
10
1.0
1.0 k
700
500
300
T, TIME ( NS )
200
100
70
50
30
20
10
1.0
t
r
t
d
@ V
BE (OFF)的
= 2.0 V
V
CE (关闭)
= 100 V
I
C
/I
B
= 5.0
T
J
= 25°C
t
d
@ V
BE (OFF)的
= 2.0 V
V
CE (关闭)
= 100 V
I
C
/I
B
= 5.0
T
J
= 25°C
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20 30
I
C
,集电极电流(毫安)
50
70 100
2.0 3.0 5.0 7.0 10
20 30
I
C
,集电极电流(毫安)
50 70 100
图12.开启时间
NPN 2N6515 , 2N6517
图13.开启时间
PNP 2N6520
10 k
7.0 k
5.0 k
3.0 k
T, TIME ( NS )
2.0 k
1.0 k
700
500
300
200
100
1.0
t
f
2.0 k
t
s
t
s
1.0 k
700
500
V
CE (关闭)
= 100 V
I
C
/I
B
= 5.0
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
300
200
100
70
50
30
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30
I
C
,集电极电流(毫安)
50
70 100
20
1.0
2.0 3.0 5.0 7.0 10
20 30
I
C
,集电极电流(毫安)
50 70 100
t
f
V
CE (关闭)
= 100 V
I
C
/I
B
= 5.0
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
图14.开启,关闭时间
NPN 2N6515 , 2N6517
图15.开启,关闭时间
PNP 2N6520
+V
CC
V
CC
调整
对于V
CE (关闭)
= 100 V
1.0 k
50
9.2 V
脉冲宽度
≈
100
ms
t
r
, t
f
≤
5.0纳秒
占空比
≤
1.0%
适用于PNP测试电路,
翻转所有电压极性
1/2MSD7000
2.2 k
+10.8 V
20 k
50
W
采样示波器
约
1.35 V
(调整V
( BE )关闭
= 2.0 V)
图16.开关时间测试电路
http://onsemi.com
5