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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第39页 > 2N6386
标准
可选
功率晶体管
TO- 220 CASE
TO-220
型号
IC
(A)
最大
4.0
4.0
4.0
7.0
7.0
7.0
7.0
2N6040
2N6041
2N6042
10
10
10
10
10
16
2N6124
2N6125
2N6126
2N6132
2N6133
2N6134
2N6111
2N6109
2N6107
2N6666
2N6667
2N6668
2N6475
2N6476
2N6489
2N6490
2N6491
4.0
4.0
4.0
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
8.0
10
10
4.0
4.0
15
15
15
PD
(W)
36
36
36
50
50
50
50
75
75
75
75
75
75
40
40
40
50
50
50
40
40
40
65
65
65
40
40
75
75
75
BVCBO BVCEO
(V)
80
60
80
60
75
60
90
60
80
100
70
80
45
45
60
80
40
60
80
40
60
80
40
60
80
110
130
50
70
90
(V)
70
40
60
40
55
40
70
60
80
100
60
70
40
45
60
80
40
60
80
30
50
70
40
60
80
100
120
40
60
80
30
30
20
20
20
20
20
1,000
1,000
1,000
20
20
15
25
25
20
20
20
20
30
30
30
1,000
1,000
1,000
15
15
20
20
20
的hFE
最大
120
120
80
100
100
100
100
20,000
20,000
20,000
80
80
80
100
100
80
100
100
100
150
150
150
20,000
20,000
20,000
150
150
150
150
150
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.0
3.0
4.0
5.0
8.0
1.5
1.5
1.5
2.5
2.5
2.5
2.0
2.5
3.0
3.0
5.0
5.0
1.5
1.5
5.0
5.0
5.0
TO- 220FP全白
fT
(兆赫)
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
4.0
4.0
4.0
5.0
5.0
5.0
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
4.0
4.0
4.0
20
20
20
4.0
4.0
5.0
5.0
5.0
@ IC VCE ( SAT ) @ IC
(A)
(V)
最大
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
2.5
2.5
2.5
0.6
0.6
0.6
1.4
1.4
1.8
3.5
3.5
3.5
2.0
2.0
2.0
1.2
1.2
1.3
1.3
1.3
(A)
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
35
4.0
4.0
3.0
10
10
16
1.5
1.5
1.5
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
3.0
5.0
5.0
1.5
1.5
5.0
5.0
5.0
NPN
2N5294
2N5296
2N5298
2N5490
2N5492
2N5494
2N5496
2N6043
2N6044
2N6045
2N6099
2N6101
2N6103
2N6121
2N6122
2N6123
2N6129
2N6130
2N6131
2N6288
2N6290
2N6292
2N6386
2N6387
2N6388
2N6473
2N6474
2N6486
2N6487
2N6488
PNP
92
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
阴影部分表示达林顿。
可在TO- 220FP全乐要求。
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 220封装
.Complement
键入2N6666 /六千六百六十八分之六千六百六十七
·达林顿
直流电流增益
ULOW
集电极饱和电压
应用
·设计
对于通用放大器
和低速切换应用
钉扎
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
2N6386 2N6387 2N6388
绝对最大额定值( TC = 25
)
符号
参数
2N6386
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N6387
2N6388
2N6386
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N6387
2N6388
V
EBO
I
C
发射极 - 基极电压
2N6386
集电极电流DC
2N6387/6388
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
集电极电流脉冲
基极电流DC
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
10
15
0.25
65
150
-65~150
A
A
W
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
40
60
80
40
60
80
5
8
A
V
V
V
单位
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
2N6386
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极
维持电压
2N6387
2N6388
集电极 - 发射极
饱和电压
2N6386
2N6387/6388
2N6386
2N6387/6388
2N6386
2N6387/6388
2N6386
2N6387/6388
2N6386
I
CBO
集热器
截止电流
2N6387
2N6388
2N6386
I
首席执行官
集热器
截止电流
2N6387
2N6388
I
EBO
发射极截止电流
2N6386
h
FE-1
直流电流增益
2N6387/6388
2N6386
h
FE-2
直流电流增益
2N6387/6388
C
ob
输出电容
I
C
= 10A ; V
CE
=3V
I
C
= 5A ; V
CE
=3V
I
C
= 8A ; V
CE
=3V
I
C
= 3A ,我
B
=6mA
I
C
= 0.2A ,我
B
=0
2N6386 2N6387 2N6388
条件
40
60
80
典型值。
最大
单位
V
V
CEsat-1
2.0
I
C
= 5A ,我
B
=10mA
I
C
= 8A ,我
B
=80mA
3.0
I
C
= 10A ,我
B
=100mA
I
C
= 3A ; V
CE
=3V
2.8
I
C
= 5A ; V
CE
=3V
I
C
= 8A ; V
CE
=3V
4.5
I
C
= 10A ; V
CE
=3V
V
CB
=40V, V
BE
=-1.5V
T
C
=125℃
V
CB
=60V, V
BE
=-1.5V
T
C
=125℃
V
CB
=80V, V
BE
=-1.5V
T
C
=125℃
V
CE
= 40V ,我
B
=0
V
CE
= 60V ,我
B
=0
V
CE
= 80V ,我
B
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 3A ; V
CE
=3V
1000
20000
5.0
1.0
0.3
3.0
0.3
3.0
0.3
3.0
V
V
CEsat-2
集电极 - 发射极
饱和电压
V
V
BE-1
基射
ON电压
V
V
BE-2
基射
ON电压
V
mA
mA
mA
100
I
E
=0 ; V
CB
=10V,f=0.1MHz
200
pF
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.92
单位
℃/W
2
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6386 2N6387 2N6388
图2外形尺寸
3
标准
可选
功率晶体管
TO- 220 CASE
TO-220
型号
IC
(A)
最大
4.0
4.0
4.0
7.0
7.0
7.0
7.0
2N6040
2N6041
2N6042
10
10
10
10
10
16
2N6124
2N6125
2N6126
2N6132
2N6133
2N6134
2N6111
2N6109
2N6107
2N6666
2N6667
2N6668
2N6475
2N6476
2N6489
2N6490
2N6491
4.0
4.0
4.0
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
8.0
10
10
4.0
4.0
15
15
15
PD
(W)
36
36
36
50
50
50
50
75
75
75
75
75
75
40
40
40
50
50
50
40
40
40
65
65
65
40
40
75
75
75
BVCBO BVCEO
(V)
80
60
80
60
75
60
90
60
80
100
70
80
45
45
60
80
40
60
80
40
60
80
40
60
80
110
130
50
70
90
(V)
70
40
60
40
55
40
70
60
80
100
60
70
40
45
60
80
40
60
80
30
50
70
40
60
80
100
120
40
60
80
30
30
20
20
20
20
20
1,000
1,000
1,000
20
20
15
25
25
20
20
20
20
30
30
30
1,000
1,000
1,000
15
15
20
20
20
的hFE
最大
120
120
80
100
100
100
100
20,000
20,000
20,000
80
80
80
100
100
80
100
100
100
150
150
150
20,000
20,000
20,000
150
150
150
150
150
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.0
3.0
4.0
5.0
8.0
1.5
1.5
1.5
2.5
2.5
2.5
2.0
2.5
3.0
3.0
5.0
5.0
1.5
1.5
5.0
5.0
5.0
TO- 220FP全白
fT
(兆赫)
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
4.0
4.0
4.0
5.0
5.0
5.0
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
4.0
4.0
4.0
20
20
20
4.0
4.0
5.0
5.0
5.0
@ IC VCE ( SAT ) @ IC
(A)
(V)
最大
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
2.5
2.5
2.5
0.6
0.6
0.6
1.4
1.4
1.8
3.5
3.5
3.5
2.0
2.0
2.0
1.2
1.2
1.3
1.3
1.3
(A)
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
35
4.0
4.0
3.0
10
10
16
1.5
1.5
1.5
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
3.0
5.0
5.0
1.5
1.5
5.0
5.0
5.0
NPN
2N5294
2N5296
2N5298
2N5490
2N5492
2N5494
2N5496
2N6043
2N6044
2N6045
2N6099
2N6101
2N6103
2N6121
2N6122
2N6123
2N6129
2N6130
2N6131
2N6288
2N6290
2N6292
2N6386
2N6387
2N6388
2N6473
2N6474
2N6486
2N6487
2N6488
PNP
92
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
阴影部分表示达林顿。
可在TO- 220FP全乐要求。
B
O
C
A
S
E
M
I
C
O
N
D
U
C
T
O
R
C
O
R
P
A
博卡半导体公司
BSC
http://www.bocasemi.com
A
博卡半导体公司
BSC
http://www.bocasemi.com
A
A
A
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·采用TO- 220封装
·补键入2N6666 / 6668分之6667
·达林顿
·高直流电流增益
·低集电极饱和电压
应用
·专为通用放大器
和低速切换应用
钉扎
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
2N6386 2N6387 2N6388
绝对最大额定值( TC = 25 )
符号
参数
2N6386
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N6387
2N6388
2N6386
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N6387
2N6388
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
2N6386
集电极电流DC
2N6387/6388
集电极电流脉冲
基极电流DC
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
10
15
0.25
65
150
-65~150
A
A
W
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
40
60
80
40
60
80
5
8
A
V
V
V
单位
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
2N6386
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极
维持电压
2N6387
2N6388
集电极 - 发射极
饱和电压
2N6386
2N6387/6388
2N6386
2N6387/6388
2N6386
2N6387/6388
2N6386
2N6387/6388
2N6386
I
CBO
集热器
截止电流
2N6387
2N6388
2N6386
I
首席执行官
集热器
截止电流
2N6387
2N6388
I
EBO
发射极截止电流
2N6386
h
FE-1
直流电流增益
2N6387/6388
2N6386
h
FE-2
直流电流增益
2N6387/6388
C
ob
输出电容
I
C
= 10A ; V
CE
=3V
I
C
= 5A ; V
CE
=3V
I
C
= 8A ; V
CE
=3V
I
C
= 3A ,我
B
=6mA
I
C
= 0.2A ,我
B
=0
符号
2N6386 2N6387 2N6388
条件
40
60
80
典型值。
最大
单位
V
V
CEsat-1
2.0
I
C
= 5A ,我
B
=10mA
I
C
= 8A ,我
B
=80mA
3.0
I
C
= 10A ,我
B
=100mA
I
C
= 3A ; V
CE
=3V
2.8
I
C
= 5A ; V
CE
=3V
I
C
= 8A ; V
CE
=3V
4.5
I
C
= 10A ; V
CE
=3V
V
CB
=40V, V
BE
=-1.5V
T
C
=125
V
CB
=60V, V
BE
=-1.5V
T
C
=125
V
CB
=80V, V
BE
=-1.5V
T
C
=125
V
CE
= 40V ,我
B
=0
V
CE
= 60V ,我
B
=0
V
CE
= 80V ,我
B
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 3A ; V
CE
=3V
1000
20000
5.0
1.0
0.3
3.0
0.3
3.0
0.3
3.0
V
V
CEsat-2
集电极 - 发射极
饱和电压
V
V
BE-1
基射
ON电压
V
V
BE-2
基射
ON电压
V
mA
mA
mA
100
I
E
=0 ; V
CB
=10V,f=0.1MHz
200
pF
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.92
单位
/W
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6386 2N6387 2N6388
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 220封装
.Complement
键入2N6666 /六千六百六十八分之六千六百六十七
·达林顿
直流电流增益
ULOW
集电极饱和电压
应用
·设计
对于通用放大器
和低速切换应用
钉扎
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
2N6386 2N6387 2N6388
绝对最大额定值( TC = 25
)
符号
参数
固电
IN
导½
V
CBO
集电极 - 基极电压
的HAn
C
ES
G
2N6387
2N6388
2N6386
2N6387
2N6388
2N6386
ND
ICO
EM
条件
发射极开路
开基
OR
UCT
价值
40
60
80
40
60
80
单位
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
V
EBO
I
C
发射极 - 基极电压
2N6386
集电极电流DC
2N6387/6388
集电极开路
5
8
V
A
10
15
0.25
T
C
=25℃
65
150
-65~150
A
A
W
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
集电极电流脉冲
基极电流DC
集电极耗散功率
结温
储存温度
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
2N6386
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极
维持电压
2N6387
2N6388
集电极 - 发射极
饱和电压
2N6386
2N6387/6388
2N6386
2N6387/6388
2N6386
2N6387/6388
2N6386
I
C
= 3A ,我
B
=6mA
I
C
= 0.2A ,我
B
=0
2N6386 2N6387 2N6388
条件
40
60
80
典型值。
最大
单位
V
V
CEsat-1
2.0
I
C
= 5A ,我
B
=10mA
I
C
= 8A ,我
B
=80mA
3.0
I
C
= 10A ,我
B
=100mA
I
C
= 3A ; V
CE
=3V
2.8
I
C
= 5A ; V
CE
=3V
I
C
= 8A ; V
CE
=3V
I
C
= 10A ; V
CE
=3V
V
CB
=40V, V
BE
=-1.5V
T
C
=125℃
V
CB
=60V, V
BE
=-1.5V
T
C
=125℃
V
CB
=80V, V
BE
=-1.5V
T
C
=125℃
V
V
CEsat-2
集电极 - 发射极
饱和电压
V
V
BE-1
基射
ON电压
V
V
BE-2
I
CBO
固电
IN
基射
ON电压
导½
2N6387/6388
2N6386
2N6387
2N6388
集热器
截止电流
I
首席执行官
集热器
截止电流
ES
CH
2N6386
2N6387
2N6388
2N6386
ND
ICO
EM
OR
UCT
0.3
3.0
0.3
3.0
0.3
3.0
1.0
4.5
V
mA
V
CE
= 40V ,我
B
=0
V
CE
= 60V ,我
B
=0
V
CE
= 80V ,我
B
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 3A ; V
CE
=3V
1000
20000
5.0
mA
mA
I
EBO
发射极截止电流
h
FE-1
直流电流增益
2N6387/6388
2N6386
I
C
= 5A ; V
CE
=3V
I
C
= 8A ; V
CE
=3V
h
FE-2
直流电流增益
2N6387/6388
I
C
= 10A ; V
CE
=3V
I
E
=0 ; V
CB
=10V,f=0.1MHz
100
C
ob
输出电容
200
pF
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.92
单位
℃/W
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6386 2N6387 2N6388
固电
IN
导½
ES
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸
3
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