【功率晶体管TO- 66案例型号NPN2N30542N3054A2N35832N35842N35852】,IC型号2N6374,2N6374 PDF资料,2N6374经销商,ic,电子元器件-51电子网

功率晶体管

TO- 66案例

型号

NPN

2N3054

2N3054A

2N3583

2N3584

2N3585

2N3738

2N3739

PNP

2N6049

2N6420

2N6421

2N6422

IC

(A)

最大

4.0

2.0

1.0

4.0

3.0

5.0

3.0

5.0

3.0

5.0

2.0

1.0

7.0

1.0

4.0

3.0

4.0

8.0

7.0

6.0

1.0

4.0

3.0

PD

(W)

25

75

35

20

25

20

35

75

35

75

35

75

35

20

25

40

35

29

50

20

50

75

90

40

20

40

29

25

BVCBO

(V)

民

90

250

375

500

250

325

60

80

100

50

40

70

60

90

80

500

350

500

40

60

80

100

275

350

400

50

90

140

60

80

60

80

60

80

90

70

50

250

325

110

130

60

160

BVCEO

(V)

民

55

175

250

300

225

300

60

80

60

80

40

60

80

300

250

350

40

60

80

100

225

300

350

40

80

120

60

80

60

80

60

80

60

40

225

300

100

120

60

120

的hFE

民

25

40

30

40

25

40

50

25

50

20

30

60

30

60

10

20

25

20

750

20

40

15

20

25

最大

150

- -

200

150

160

100

- -

150

75

150

120

240

120

240

100

150

18,000

100

200

150

120

150

@ IC VCE （ SAT ） @ IC

(A)

(V)

(A)

最大

0.5

0.1

0.25

0.5

1.5

0.1

0.05

0.5

2.0

1.0

1.5

0.5

2.0

4.0

2.5

2.0

2.5

3.0

0.1

1.5

1.0

0.5

1.0

0.5

5.0

0.75

2.5

0.6

1.0

2.0

4.0

2.0

4.0

2.0

4.0

1.0

0.9

0.75

0.6

0.7

1.4

1.6

2.0

1.5

0.5

1.2

2.0

1.0

2.5

1.2

1.0

0.5

1.0

0.25

1.0

0.5

3.0

5.0

3.0

5.0

3.0

5.0

0.75

0.05

1.0

2.0

0.125

1.5

0.5

2.0

4.0

2.0

2.5

3.0

0.25

1.5

0.5

fT

（兆赫）

民

0.8

10

3.0

10

4.0

15

20

3.0

30

20

0.8

4.0

10

5.0

0.75

0.2

2N3740

2N3740A

2N3741

2N3741A

2N3766

2N3767

2N4231

2N4231A

2N4232

2N4232A

2N4233

2N4233A

2N4240

2N4296

2N4298

2N4299

2N4910

2N4911

2N4912

2N5427

2N5428

2N5429

2N5430

2N6312

2N6313

2N6314

2N6423

2N4898

2N4899

2N4900

2N6211

2N6212

2N6213

2N6260

2N6261

2N6263

2N6294

2N6295

2N6300

2N6301

2N6315

2N6316

2N6372

2N6373

2N6374

2N6465

2N6466

40312

CM3441

2N6296

2N6297

2N6298

2N6299

2N6317

2N6318

2N5954

2N5955

2N5956

2N6424

2N6425

2N6467

2N6468

86

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

阴影部分表示达林顿。

中央

TM

半导体公司

145亚当斯大街

Hauppauge的，纽约州11788美国

联系电话：（ 631 ） 435-1110 传真：（ 631 ） 435-1824

www.centralsemi.com

中央

TM

半导体公司

145亚当斯大街

Hauppauge的，纽约州11788美国

联系电话：（ 631 ） 435-1110 传真：（ 631 ） 435-1824

www.centralsemi.com

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

描述

·采用TO- 66封装

·低集电极饱和电压

·卓越的安全工作区

应用

·专为交换和宽带

扩增fi er应用

钉扎

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

描述

2N6372 2N6373 2N6374

Fig.1简化外形（ TO- 66 ）和符号

绝对最大额定值（Ta =

)

符号

参数

2N6372

V

CBO

集电极 - 基极电压

2N6373

2N6374

2N6372

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

2N6373

2N6374

V

EBO

I

C

P

D

T

j

T

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25

集电极开路

开基

发射极开路

条件

价值

90

70

50

80

60

40

6

40

150

-65~200

V

A

W

V

单位

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结到外壳

价值

4.37

单位

/W

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

2N6372

V

CEO （ SUS ）

集电极 - 发射极

维持电压

2N6373

2N6374

V

CEsat-1

V

CEsat-2

V

BEsat-1

V

BEsat-2

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

2N6372

I

首席执行官

集电极截止电流

2N6373

2N6374

I

CBO

I

EBO

集电极截止电流

发射极截止电流

2N6372

h

FE

直流电流增益

2N6373

2N6374

f

T

跃迁频率

I

C

= 2A ;我

B

=0.2A

I

C

= 6A ;我

B

=0.6A

I

C

= 2A ;我

B

=0.2A

I

C

= 6A ;我

B

=0.6A

V

CE

= 80V ;我

B

=0

V

CE

= 60V ;我

B

=0

V

CE

= 40V ;我

B

=0

I

C

= 0.1A ;我

B

=0

2N6372 2N6373 2N6374

符号

条件

民

80

60

40

典型值。

最大

单位

V

0.7

1.2

2.0

V

0.1

mA

V

CB

=额定V

CB

; I

E

=0

V

EB

= 6V ;我

C

=0

I

C

= 2A ; V

CE

=2V

I

C

= 2.5A ; V

CE

=2V

I

C

= 3A ; V

CE

=2V

I

C

=0.5A;V

CE

=10V;f=1MHz

4

20

10

0.1

A

mA

100

兆赫

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2N6372 2N6373 2N6374

图2外形尺寸

3

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

描述

·带

TO- 66封装

ULOW

集电极饱和电压

优秀

安全工作区

应用

·设计

用于切换和宽带

扩增fi er应用

钉扎

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

描述

2N6372 2N6373 2N6374

Fig.1简化外形（ TO- 66 ）和符号

绝对最大额定值（Ta =

℃)

符号

固电

IN

导½

半

参数

条件

2N6372

2N6373

V

CBO

集电极 - 基极电压

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

的HAn

C

ES

G

2N6374

2N6372

2N6373

2N6374

发射极开路

ICO

EM

OR

UCT

ND

价值

90

70

50

80

60

40

单位

V

开基

V

EBO

I

C

P

D

T

j

T

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流

总功耗

结温

储存温度

集电极开路

6

V

A

W

℃

T

C

=25℃

40

150

-65~200

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结到外壳

价值

4.37

单位

℃/W

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

2N6372

V

CEO （ SUS ）

集电极 - 发射极

维持电压

2N6373

2N6374

V

CEsat-1

V

CEsat-2

V

BEsat-1

V

BEsat-2

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

I

C

= 2A ;我

B

=0.2A

I

C

= 6A ;我

B

=0.6A

I

C

= 2A ;我

B

=0.2A

I

C

= 6A ;我

B

=0.6A

V

CE

= 80V ;我

B

=0

V

CE

= 60V ;我

B

=0

V

CE

= 40V ;我

B

=0

I

C

= 0.1A ;我

B

=0

2N6372 2N6373 2N6374

条件

民

80

60

40

典型值。

最大

单位

V

0.7

1.2

2.0

V

I

首席执行官

固电

IN

集电极截止电流

导½

半

2N6372

2N6373

I

CBO

I

EBO

集电极截止电流

发射极截止电流

ES

昂

CH

2N6372

2N6373

2N6374

V

CB

=额定V

CB

; I

E

=0

V

EB

= 6V ;我

C

=0

ND

ICO

EM

OR

UCT

0.1

10

0.1

mA

μA

mA

I

C

= 2A ; V

CE

=2V

I

C

= 2.5A ; V

CE

=2V

I

C

= 3A ; V

CE

=2V

I

C

=0.5A;V

CE

=10V;f=1MHz

4

兆赫

20

100

h

FE

直流电流增益

f

T

跃迁频率

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2N6372 2N6373 2N6374

固电

IN

导½

半

ES

昂

CH

ND

ICO

EM

OR

UCT

图2外形尺寸

3

2N5954 2N5955 2N5956

2N6372 2N6373 2N6374

PNP

NPN

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

其他芯片

功率晶体管

描述：

中央SEMICONDUCTOR 2N5954和

2N6372系列类型是互补硅

由外延基地制造功率晶体管

过程中，安装在一个密封的金属盒

专为通用放大器和开关

应用程序。

标记：全部型号

TO- 66案例

最大额定值：

(TC=25°C)

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流

连续基极电流

功耗

工作和存储结温

热阻

符号

VCBO

VCEV

VCER

VCEO

VEBO

IC

IB

PD

TJ ， TSTG

Θ

JC

2N5954

2N6372

90

85

80

2N5955

2N6373

70

65

60

5.0

6.0

2.0

40

-65到+200

4.3

2N5956

2N6374

50

45

40

单位

V

A

W

°C

° C / W

电气特性：

（ TC = 25° C除非另有说明）

2N5954

2N5955

2N6372

2N6373

符号

测试条件

最小值最大值最小值最大值

ICEV

VCE = 85V ， VBE = 1.5V ， RBE = 100Ω

-

100

-

ICEV

VCE = 65V ， VBE = 1.5V ， RBE = 100Ω

-

100

ICEV

ICER

ICEO

IEBO

BVCEV

BVcer

BVCEO

VCE=45V,

VCE=85V,

VCE=65V,

VBE = 1.5V ， RBE = 100Ω

VBE = 1.5V ， RBE = 100Ω ， TC = 150℃

VCE = 45V ， VBE = 1.5V ， RBE = 100Ω ， TC = 150℃

VCE=75V

VCE=55V

VCE=35V

VCE=65V

VCE=45V

VCE=25V

VBE=5.0V

IC = 100mA时VBE = 1.5V ， RBE = 100Ω

IC = 100mA时RBE = 100Ω

IC=100mA

-

90

85

80

-

2.0

-

100

-

1.0

-

0.1

-

70

65

60

-

2.0

-

100

-

1.0

-

0.1

-

2N5956

2N6374

最小最大

-

50

45

40

100

-

2.0

-

100

-

1.0

0.1

-

单位

μA

mA

μA

mA

V

R1 （2010年24月）

2N5954 2N5955 2N5956

2N6372 2N6373 2N6374

PNP

NPN

其他芯片

功率晶体管

电气特性 - 续：

（ TC = 25° C除非另有说明）

2N5954

2N5955

2N5956

2N6372

2N6373

2N6374

符号

测试条件

最小值最大值最小值最大值

最小最大

VCE （ SAT ） IC = 2.0A ， IB = 200毫安

-

1.0

-

VCE （ SAT ） IC = 2.5A ， IB = 250毫安

-

1.0

-

VCE （ SAT ）

VBE （ON）的

的hFE

fT

IC = 3.0A ， IB = 300毫安

IC = 6.0A ， IB = 1.2A （ PNP型）

VCE = 4.0V ， IC = 2.0A

VCE = 4.0V ， IC = 2.5A

VCE = 4.0V ， IC = 3.0A

VCE = 4.0V ， IC = 6.0A （ NPN型）

VCE = 4.0V ， IC = 2.0A

VCE = 4.0V ， IC = 2.5A

VCE = 4.0V ， IC = 3.0A

VCE = 4.0V ， IC = 6.0A

VCE = 4.0V ， IC = 0.5A ， F = 1.0kHz

VCE = 4.0V ， IC = 1.0A ， F = 1.0MHz的（ NPN型）

VCE = 4.0V ， IC = 1.0A ， F = 1.0MHz的（ PNP型）

-

20

-

5.0

25

4.0

5.0

-

2.0

-

3.0

100

-

20

-

5.0

25

4.0

5.0

-

2.0

-

2.0

-

3.0

-

100

-

20

5.0

25

4.0

5.0

1.0

2.0

-

2.0

3.0

-

100

-

兆赫

单位

V

TO- 66案例 - 机械外形

标记：

全部型号

R1 （2010年24月）

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

描述

·带

TO- 66封装

ULOW

集电极饱和电压

优秀

安全工作区

应用

·设计

用于切换和宽带

扩增fi er应用

钉扎

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

描述

2N6372 2N6373 2N6374

Fig.1简化外形（ TO- 66 ）和符号

绝对最大额定值（Ta =

℃)

符号

参数

2N6372

V

CBO

集电极 - 基极电压

2N6373

2N6374

2N6372

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

2N6373

2N6374

V

EBO

I

C

P

D

T

j

T

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25℃

集电极开路

开基

发射极开路

条件

价值

90

70

50

80

60

40

6

40

150

-65~200

V

A

W

℃

V

单位

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结到外壳

价值

4.37

单位

℃/W

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

2N6372

V

CEO （ SUS ）

集电极 - 发射极

维持电压

2N6373

2N6374

V

CEsat-1

V

CEsat-2

V

BEsat-1

V

BEsat-2

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

2N6372

I

首席执行官

集电极截止电流

2N6373

2N6374

I

CBO

I

EBO

集电极截止电流

发射极截止电流

2N6372

h

FE

直流电流增益

2N6373

2N6374

f

T

跃迁频率

I

C

= 2A ;我

B

=0.2A

I

C

= 6A ;我

B

=0.6A

I

C

= 2A ;我

B

=0.2A

I

C

= 6A ;我

B

=0.6A

V

CE

= 80V ;我

B

=0

V

CE

= 60V ;我

B

=0

V

CE

= 40V ;我

B

=0

V

CB

=额定V

CB

; I

E

=0

V

EB

= 6V ;我

C

=0

I

C

= 2A ; V

CE

=2V

I

C

= 2.5A ; V

CE

=2V

I

C

= 3A ; V

CE

=2V

I

C

= 0.1A ;我

B

=0

2N6372 2N6373 2N6374

条件

民

80

60

40

典型值。

最大

单位

V

0.7

1.2

2.0

V

0.1

mA

10

0.1

μA

mA

20

100

I

C

=0.5A;V

CE

=10V;f=1MHz

4

兆赫

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2N6372 2N6373 2N6374

图2外形尺寸

3

2N6374

尺寸以毫米（英寸）。

3.68

（ 0.145 ）弧度。

马克斯。

6.35 (0.250)

8.64 (0.340)

3.61 (0.142)

4.08(0.161)

弧度。

在一个双极NPN器件

密封TO66

金属包装。

11.94 (0.470)

12.70 (0.500)

24.13 (0.95)

24.63 (0.97)

1

14.48 (0.570)

14.99 (0.590)

2

0.71 (0.028)

0.86 (0.034)

双极NPN装置。

V

首席执行官

= 50V

I

C

= 6A

所有Semelab密封产品

可根据被处理

BS ， CECC和JAN的要求，

JANTX ， JANTXV和JANS规格

4.83 (0.190)

5.33 (0.210)

9.14 (0.360)

分钟。

1.27 (0.050)

1.91 (0.750)

TO66 （ TO213AA ）

引脚配置

1 - 基地

2 - 发射极

案例 - 集电极

参数

V

首席执行官

*

I

C（ CONT ）

h

FE

f

t

P

D

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

50

6

单位

V

A

-

Hz

@ 4/3 (V

CE

/ I

C

)

20

4M

100

22

W

*最大工作电压

这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表，请联系

sales@semelab.co.uk 。

Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信

是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。

Semelab PLC 。

电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。

电子信箱：

sales@semelab.co.uk

网址：

http://www.semelab.co.uk

产生

1-Aug-02

JMnic

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

描述

·带

TO- 66封装

ULOW

集电极饱和电压

优秀

安全工作区

应用

·设计

用于切换和宽带

扩增fi er应用

钉扎

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

描述

2N6372 2N6373 2N6374

Fig.1简化外形（ TO- 66 ）和符号

绝对最大额定值（Ta =

℃)

符号

参数

2N6372

V

CBO

集电极 - 基极电压

2N6373

2N6374

2N6372

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

2N6373

2N6374

V

EBO

I

C

P

D

T

j

T

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25℃

集电极开路

开基

发射极开路

条件

价值

90

70

50

80

60

40

6

40

150

-65~200

V

A

W

℃

V

单位

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结到外壳

价值

4.37

单位

℃/W

JMnic

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

2N6372

V

CEO （ SUS ）

集电极 - 发射极

维持电压

2N6373

2N6374

V

CEsat-1

V

CEsat-2

V

BEsat-1

V

BEsat-2

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

2N6372

I

首席执行官

集电极截止电流

2N6373

2N6374

I

CBO

I

EBO

集电极截止电流

发射极截止电流

2N6372

h

FE

直流电流增益

2N6373

2N6374

f

T

跃迁频率

I

C

= 2A ;我

B

=0.2A

I

C

= 6A ;我

B

=0.6A

I

C

= 2A ;我

B

=0.2A

I

C

= 6A ;我

B

=0.6A

V

CE

= 80V ;我

B

=0

V

CE

= 60V ;我

B

=0

V

CE

= 40V ;我

B

=0

V

CB

=额定V

CB

; I

E

=0

V

EB

= 6V ;我

C

=0

I

C

= 2A ; V

CE

=2V

I

C

= 2.5A ; V

CE

=2V

I

C

= 3A ; V

CE

=2V

I

C

= 0.1A ;我

B

=0

2N6372 2N6373 2N6374

条件

民

80

60

40

典型值。

最大

单位

V

0.7

1.2

2.0

V

0.1

mA

10

0.1

μA

mA

20

100

I

C

=0.5A;V

CE

=10V;f=1MHz

4

兆赫

2

JMnic

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2N6372 2N6373 2N6374

图2外形尺寸

3