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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第617页 > 2N6371
2N6253 - 2N6254 - 2N6371
高功率硅NPN晶体管
该2N6253 ， 2N6254和2N6371是用于广泛的硅NPN晶体管
各种高功率应用。这些装置的构造使得它们
以在很宽范围的操作条件的第二击穿高度耐药。
这些器件在不同电压和功耗最大额定值。都是
在JEDEC TO-3密封钢包提供。
绝对最大额定值
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CBO
V
CER （ SUS）
集电极 - 发射极电压
评级
2N6253
2N6254
2N6371
2N6253
2N6254
2N6371
2N6253
2N6254
2N6371
2N6253
2N6254
2N6371
2N6253
2N6254
2N6371
2N6253
2N6254
2N6371
2N6253
2N6254
2N6371
价值
45
80
40
55
100
50
55
85
45
55
90
50
5
7
5
15
7
单位
V
V
集电极 - 基极电压（ * ）
集电极 - 发射极电压
R
BE
=100
集电极 - 发射极电压
V
BE
=-1.5V
发射极 - 基极电压
V
V
CEV （ SUS ）
V
V
EBO
I
C
I
B
V
A
A
集电极电流
基极电流
半导体COMSET
1/4
2N6253 - 2N6254 - 2N6371
符号
评级
< 25℃
2N6253
2N6254
2N6371
2N6253
2N6254
2N6371
2N6253
2N6254
2N6371
价值
115
150
117
单位
瓦
P
合计
功耗
> 25℃
线性降额到
200°C
-65到+200
°C
T
J
T
S
结温
储存温度
热特性
符号
R
THJ -C
评级
2N6253
热阻，结到外壳
2N6254
2N6371
价值
1.5
1.17
1.5
单位
° C / W
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
评级
测试条件（S ）
2N6253
2N6254
2N6371
2N6253
2N6371
2N6254
2N6253
2N6371
2N6254
最小典型单位的Mx
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1
4
0.5
4
1.5
4
1.5
1.0
10
0.5
mA
V
CE （ SAT ）
I
C
= 3 A，I
B
=0.3
I
C
= 15 A，I
B
=5
I
C
= 5 A，I
B
=0.5
集电极 - 发射极电压（ * ）
I
C
= 15 A，I
B
=3
I
C
= 8 A，I
B
=0.8
I
C
= 16 A，I
B
=4
V
I
首席执行官
I
EBO
集电极 - 发射极截止
当前
V
CE
=25 V
V
CE
=60 V
mA
发射基截止电流
V
EB
=-5 V
V
EB
=-7 V
半导体COMSET
2/4
2N6253 - 2N6254 - 2N6371
符号
评级
测试条件（S ）
V
CE
=40 V
V
BE
=-1.5 V
最小典型单位的Mx
-
-
-
-
-
-
45
80
40
55
85
45
55
90
50
-
-
-
20
3
20
5
15
4
10
-
-
800
2.55
1.87
2.9
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2N6371
2N6253
2N6254
2N6371
2N6253
2N6254
2N6253
2N6254
2N6371
2N6253
2N6254
2N6371
2N6253
2N6254
2N6371
2N6253
2N6254
2N6371
2N6253
2N6254
2N6371
2N6253
2N6254
2N6371
2N6253
2N6254
2N6371
2N6253
2N6254
2N6371
10
10
5.0
2.0
2.0
0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.7
1.5
4
70
-
70
-
60
-
-
-
-
-
-
-
-
V
mA
T
C
=150°C
V
CE
=50 V
V
BE
=-1.5 V
V
CE
=100 V
V
BE
=1.5 V
I
CEX
收藏家Cuto FF电流
V
CE
=45 V
V
BE
=-1.5 V
T
C
=25°C
V
CE
=55 V
V
BE
=-1.5 V
V
CE
=100 V
V
BE
=1.5 V
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极可持续
I
C
= 0.2 A，I
B
=0 A
电压（*）
集电极 - 发射极可持续
电压（*）
I
C
-0.2毫安
R
BE
=100
基射极电压（ * ）
I
C
= 0.1 A，V
BE
=-1.5
V
V
CE
= 4 V，I
C
=3 A
V
CE
= 2 V，I
C
=5 A
V
CE
= 4 V，I
C
=16 A
V
CE
= 4 V，I
C
=3 A
V
CE
= 4 V，I
C
=15 A
V
CE
= 2 V，I
C
=5 A
V
CE
= 4 V，I
C
=15 A
V
CE
= 4 V，I
C
=8 A
V
CE
= 4 V，I
C
=16 A
V
CE
= 4 V，I
C
=1 A,
F = 1千赫
V
V
CER （ SUS）
V
CEV （ SUS ）
V
BE
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
基射极电压（ * ）
V
h
FE
静态正向电流
传输比（ * ）
-
h
fe
小信号电流增益
-
f
T
I
S / B
跃迁频率
第二击穿
集电极电流
TP = 1秒，非代表。
V
CE
= 4 V，I
C
=1 A
V
CE
=45 V
V
CE
=40 V
千赫
A
（ * ）脉冲宽度
≈
300
s,
占空比
∠
2.0%
半导体COMSET
3/4
2N6253 - 2N6254 - 2N6371
机械数据案例TO- 3
尺寸
毫米英寸
A
25,45
1
B
38,8
1,52
C
30,09 1,184
D
17,11
0,67
E
9,78
0,38
G
11,09
0,43
H
8,33
0,32
L
1,62
0,06
M
19,43
0,76
N
1
0,04
P
4,08
0,16
引脚1 ：
引脚2 ：
案例：
BASE
辐射源
集热器
提供的资料被认为是准确和可靠。然而， CS不承担任何责任
使用该等信息造成的后果，也没有对可能出现的错误。
资料如有变更，恕不另行通知
半导体COMSET
4/4
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·采用TO-3封装
·低集电极饱和电压
·高散热能力
·卓越的安全工作区
应用
·串联和并联稳压器
·高保真放大器
·电源开关电路
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
2N6371
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
绝对最大额定值（Ta =
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
D
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
50
40
5
15
7
117
200
-65~200
单位
V
V
V
A
A
W
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.5
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
条件
民
2N6371
符号
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 0.2A ;我
B
=0
40
V
V
CEsat-1
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 8A ，我
B
=0.8A
1.5
V
V
CEsat-2
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 16A ;我
B
=4A
4.0
V
V
BE
基射极电压上
I
C
= 16A ; V
CE
=4V
4.0
V
I
首席执行官
集电极截止电流
V
CE
= 25V ;我
B
=0
V
CE
=45V;V
BE （OFF）的
=1.5V
V
CE
=40V;V
BE （OFF）的
=1.5V;T
C
=150
V
EB
= 5V ;我
C
=0
1.5
2.0
10.0
10
mA
I
CEX
集电极截止电流
mA
I
EBO
发射极截止电流
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 8A ; V
CE
=4V
15
60
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 16A ; V
CE
=4V
4
f
T
过渡freuqency
I
C
= 1A ; V
CE
=4V
0.8
兆赫
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6371
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的
3
功率晶体管
TO- 3案（续）
型号
IC
(A)
最大
10
10
10
10
15
15
PD
(W)
125
175
175
175
115
150
160
160
160
125
125
125
117
100
100
100
125
125
125
125
100
100
125
125
175
175
100
120
120
120
150
150
150
BVCBO
(V)
民
110
300
375
450
55
100
60
80
100
500
600
700
50
40
60
80
50
50
70
90
650
850
650
850
650
850
45
60
90
120
350
400
450
BVCEO
(V)
民
100
200
275
350
45
80
60
80
100
250
300
350
40
40
60
80
40
40
60
80
300
400
300
400
300
400
40
60
90
120
300
350
400
的hFE
* TYP
民
20
10
8.0
6.0
20
20
750
750
750
15
15
12
15
最大
100
50
50
50
70
70
@ IC VCE （ SAT ）
(A)
5.0
10
10
10
3.0
5.0
(V)
最大
3.5
1.5
1.5
1.5
4.0
4.0
3.0
3.0
3.0
5.0
5.0
5.0
4.0
3.0
3.0
3.0
3.5
3.5
3.5
3.5
1.0
1.0
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
4.0
4.0
4.0
2.0
2.0
2.0
@ IC
(A)
10
10
10
10
15
15
20
20
20
8.0
8.0
8.0
16
10
10
10
15
15
15
15
3.0
3.0
8.0
5.0
10
10
4.0
15
15
15
8.0
8.0
8.0
NPN
2N6249
2N6250
2N6251
2N6253
2N6254
2N6282
2N6283
2N6284
2N6306
2N6307
2N6308
2N6371
2N6383
2N6384
2N6385
2N6470
2N6471
2N6472
2N6542
2N6543
2N6544
2N6545
2N6546
2N6547
2N6569
2N6576
2N6577
2N6578
2N6671
2N6672
2N6673
PNP
2N6248
fT
* TYP
（兆赫）
民
4.0
2.5
2.5
2.5
4.0
--
4.0
4.0
4.0
5.0
5.0
5.0
4.0
6.0
6.0
6.0
4.0
4.0
4.0
4.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
2.5
6.0
6.0
6.0
15
15
15
2N6285
2N6286
2N6287
20
20
20
8.0
8.0
8.0
15
18,000 10
18,000 10
18,000 10
75
75
60
60
8.0
8.0
8.0
8.0
2N6648
2N6649
2N6650
2N6469
10
10
10
15
15
15
15
5.0
5.0
8.0
8.0
15
15
1,000 20,000 5.0
1,000 20,000 5.0
1,000 20,000 5.0
20
20
20
20
7.0
7.0
7.0
7.0
12
12
15
150
150
150
150
35
35
35
35
60
60
200
5.0
5.0
5.0
5.0
3.0
3.0
5.0
5.0
5.0
5.0
4.0
2N6594
12
15
15
15
8.0
8.0
8.0
2,000 20,000 4.0
2,000 20,000 4.0
2,000 20,000 4.0
10
10
10
40
40
40
--
--
--
阴影部分表示达林顿。
83
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 3封装
ULOW
集电极饱和电压
高
散热能力
优秀
安全工作区
应用
系列
和并联稳压器
·高保真
放大器器
·电源开关
电路
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
2N6371
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
D
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
50
40
5
15
7
117
200
-65~200
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.5
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2N6371
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 0.2A ;我
B
=0
40
V
V
CEsat-1
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 8A ，我
B
=0.8A
1.5
V
V
CEsat-2
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 16A ;我
B
=4A
4.0
V
V
BE
基射极电压上
I
C
= 16A ; V
CE
=4V
4.0
V
I
首席执行官
集电极截止电流
V
CE
= 25V ;我
B
=0
V
CE
=45V;V
BE （OFF）的
=1.5V
V
CE
=40V;V
BE （OFF）的
=1.5V;T
C
=150℃
V
EB
= 5V ;我
C
=0
1.5
2.0
10.0
10
mA
I
CEX
集电极截止电流
mA
I
EBO
发射极截止电流
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 8A ; V
CE
=4V
15
60
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 16A ; V
CE
=4V
4
f
T
过渡freuqency
I
C
= 1A ; V
CE
=4V
0.8
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6371
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的
3
功率晶体管
TO- 3案（续）
型号
IC
(A)
最大
10
10
10
10
15
15
PD
(W)
125
175
175
175
115
150
160
160
160
125
125
125
117
100
100
100
125
125
125
125
100
100
125
125
175
175
100
120
120
120
150
150
150
BVCBO
(V)
民
110
300
375
450
55
100
60
80
100
500
600
700
50
40
60
80
50
50
70
90
650
850
650
850
650
850
45
60
90
120
350
400
450
BVCEO
(V)
民
100
200
275
350
45
80
60
80
100
250
300
350
40
40
60
80
40
40
60
80
300
400
300
400
300
400
40
60
90
120
300
350
400
的hFE
* TYP
民
20
10
8.0
6.0
20
20
750
750
750
15
15
12
15
最大
100
50
50
50
70
70
@ IC VCE （ SAT ）
(A)
5.0
10
10
10
3.0
5.0
(V)
最大
3.5
1.5
1.5
1.5
4.0
4.0
3.0
3.0
3.0
5.0
5.0
5.0
4.0
3.0
3.0
3.0
3.5
3.5
3.5
3.5
1.0
1.0
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
4.0
4.0
4.0
2.0
2.0
2.0
@ IC
(A)
10
10
10
10
15
15
20
20
20
8.0
8.0
8.0
16
10
10
10
15
15
15
15
3.0
3.0
8.0
5.0
10
10
4.0
15
15
15
8.0
8.0
8.0
NPN
2N6249
2N6250
2N6251
2N6253
2N6254
2N6282
2N6283
2N6284
2N6306
2N6307
2N6308
2N6371
2N6383
2N6384
2N6385
2N6470
2N6471
2N6472
2N6542
2N6543
2N6544
2N6545
2N6546
2N6547
2N6569
2N6576
2N6577
2N6578
2N6671
2N6672
2N6673
PNP
2N6248
fT
* TYP
（兆赫）
民
4.0
2.5
2.5
2.5
4.0
--
4.0
4.0
4.0
5.0
5.0
5.0
4.0
6.0
6.0
6.0
4.0
4.0
4.0
4.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
2.5
6.0
6.0
6.0
15
15
15
2N6285
2N6286
2N6287
20
20
20
8.0
8.0
8.0
15
18,000 10
18,000 10
18,000 10
75
75
60
60
8.0
8.0
8.0
8.0
2N6648
2N6649
2N6650
2N6469
10
10
10
15
15
15
15
5.0
5.0
8.0
8.0
15
15
1,000 20,000 5.0
1,000 20,000 5.0
1,000 20,000 5.0
20
20
20
20
7.0
7.0
7.0
7.0
12
12
15
150
150
150
150
35
35
35
35
60
60
200
5.0
5.0
5.0
5.0
3.0
3.0
5.0
5.0
5.0
5.0
4.0
2N6594
12
15
15
15
8.0
8.0
8.0
2,000 20,000 4.0
2,000 20,000 4.0
2,000 20,000 4.0
10
10
10
40
40
40
--
--
--
阴影部分表示达林顿。
83
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 3封装
ULOW
集电极饱和电压
高
散热能力
优秀
安全工作区
应用
系列
和并联稳压器
·高保真
放大器器
·电源开关
电路
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
2N6371
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
D
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
50
40
5
15
7
117
200
-65~200
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.5
单位
℃/W
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2N6371
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 0.2A ;我
B
=0
40
V
V
CEsat-1
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 8A ，我
B
=0.8A
1.5
V
V
CEsat-2
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 16A ;我
B
=4A
4.0
V
V
BE
基射极电压上
I
C
= 16A ; V
CE
=4V
4.0
V
I
首席执行官
集电极截止电流
V
CE
= 25V ;我
B
=0
V
CE
=45V;V
BE （OFF）的
=1.5V
V
CE
=40V;V
BE （OFF）的
=1.5V;T
C
=150℃
V
EB
= 5V ;我
C
=0
1.5
2.0
10.0
10
mA
I
CEX
集电极截止电流
mA
I
EBO
发射极截止电流
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 8A ; V
CE
=4V
15
60
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 16A ; V
CE
=4V
4
f
T
过渡freuqency
I
C
= 1A ; V
CE
=4V
0.8
兆赫
2
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6371
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的
3
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2SK367Y
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2SK1380
2512-563K
2SB77
20KP80A
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252A503ATB
25LC160BT-I/SN
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259224
2SC1215
2SC2028
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