【JMnic产品speci fi cation硅NPN功率晶体管描述·带TO- 3封装ULOW集电极饱】,IC型号2N6359,2N6359 PDF资料,2N6359经销商,ic,电子元器件-51电子网

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JMnic

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

描述

·带

TO- 3封装

ULOW

集电极饱和电压

高

直流电流增益

优秀

安全工作区

应用

·设计

对于高功率应用

和开关电路，如继电器

或螺线管驱动器，直流 - 直流转换器

或逆变器。

钉扎

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

描述

2N6359

Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号

绝对最大额定值（Ta =

℃)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

D

T

j

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25℃

条件

发射极开路

开基

集电极开路

价值

100

80

7

16

30

4

150

150

-65~200

单位

V

V

V

A

A

A

W

℃

℃

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结到外壳

价值

1.17

单位

℃/W

JMnic

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

条件

民

典型值。

2N6359

最大

单位

V

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极电压breakdwon

I

C

= 0.2A ;我

B

=0

80

V

V

CEsat-1

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= 8A ，我

B

=0.8A

1.4

V

V

CEsat-2

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= 16A ;我

B

=3.2A

4.0

V

V

BE

基射极电压上

I

C

= 8A ; V

CE

=4V

2.2

V

I

首席执行官

集电极截止电流

V

CE

= 80V ;我

B

=0

V

CE

=100V; V

BE （OFF）的

=1.5V

T

C

=150℃

V

EB

= 7V ;我

C

=0

2.0

2.0

10.0

5.0

mA

I

CEX

集电极截止电流

mA

I

EBO

发射极截止电流

mA

h

FE-1

直流电流增益

I

C

= 8A ; V

CE

=4V

15

60

h

FE-2

直流电流增益

I

C

= 16A ; V

CE

=4V

5

f

T

过渡freuqency

I

C

= 1A ; V

CE

=4V

0.2

兆赫

2

JMnic

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2N6359

图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的

3

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

描述

·带

TO- 3封装

ULOW

集电极饱和电压

高

直流电流增益

优秀

安全工作区

应用

·设计

对于高功率应用

和开关电路，如继电器

或螺线管驱动器，直流 - 直流转换器

或逆变器。

钉扎

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

描述

2N6359

Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号

绝对最大额定值（Ta =

℃)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

D

T

j

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25℃

条件

发射极开路

开基

集电极开路

价值

100

80

7

16

30

4

150

150

-65~200

单位

V

V

V

A

A

A

W

℃

℃

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结到外壳

价值

1.17

单位

℃/W

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

条件

民

典型值。

2N6359

最大

单位

V

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极电压breakdwon

I

C

= 0.2A ;我

B

=0

80

V

V

CEsat-1

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= 8A ，我

B

=0.8A

1.4

V

V

CEsat-2

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= 16A ;我

B

=3.2A

4.0

V

V

BE

基射极电压上

I

C

= 8A ; V

CE

=4V

2.2

V

I

首席执行官

集电极截止电流

V

CE

= 80V ;我

B

=0

V

CE

=100V; V

BE （OFF）的

=1.5V

T

C

=150℃

V

EB

= 7V ;我

C

=0

2.0

2.0

10.0

5.0

mA

I

CEX

集电极截止电流

mA

I

EBO

发射极截止电流

mA

h

FE-1

直流电流增益

I

C

= 8A ; V

CE

=4V

15

60

h

FE-2

直流电流增益

I

C

= 16A ; V

CE

=4V

5

f

T

过渡freuqency

I

C

= 1A ; V

CE

=4V

0.2

兆赫

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2N6359

图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的

3

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

描述

·采用TO-3封装

·低集电极饱和电压

·高直流电流增益

·卓越的安全工作区

应用

·专为高功率应用

和开关电路，如继电器

或螺线管驱动器，直流 - 直流转换器

或逆变器。

钉扎

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

描述

2N6359

Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号

绝对最大额定值（Ta =

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

D

T

j

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25

条件

发射极开路

开基

集电极开路

价值

100

80

7

16

30

4

150

150

-65~200

单位

V

V

V

A

A

A

W

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结到外壳

价值

1.17

单位

/W

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

集电极 - 发射极电压breakdwon

集电极 - 发射极饱和电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压上

集电极截止电流

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

过渡freuqency

条件

I

C

= 0.2A ;我

B

=0

I

C

= 8A ，我

B

=0.8A

I

C

= 16A ;我

B

=3.2A

I

C

= 8A ; V

CE

=4V

V

CE

= 80V ;我

B

=0

V

CE

=100V; V

BE （OFF）的

=1.5V

T

C

=150

V

EB

= 7V ;我

C

=0

I

C

= 8A ; V

CE

=4V

I

C

= 16A ; V

CE

=4V

I

C

= 1A ; V

CE

=4V

15

5

0.2

民

80

典型值。

2N6359

符号

V

（ BR ） CEO

V

CEsat-1

V

CEsat-2

V

BE

I

首席执行官

I

CEX

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

f

T

最大

单位

V

1.4

4.0

2.2

2.0

2.0

10.0

5.0

60

V

V

V

mA

mA

mA

兆赫

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2N6359

图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的

3

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