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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·采用TO-3封装
·高直流电流增益
·达林顿
应用
·对于通用放大器和
低频开关应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
2N6355
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
绝对最大额定值（Ta =
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
D
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
50
40
5
20
0.5
150
200
-65~200
单位
V
V
V
A
A
W
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.09
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
条件
民
典型值。
2N6355
符号
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极电压breakdwon
I
C
= 0.2A ;我
B
=0
40
V
V
CEsat-1
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 10A ;我
B
=40mA
2.0
V
V
CEsat-2
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 20A ;我
B
=1A
4.0
V
V
BE坐
基射极饱和电压
I
C
= 20A ;我
B
=1A
4.0
V
V
BE
基射极电压上
I
C
= 10A ; V
CE
=4V
2.8
V
I
首席执行官
集电极截止电流
V
CE
=40V;I
B
=0
1.0
mA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 50V ;我
E
=0
0.5
mA
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 5V ;我
C
=0
5.0
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 4A ; V
CE
=5V
500
5000
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 20A ; V
CE
=5V
100
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6355
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 3封装
高
直流电流增益
·达林顿
应用
For
通用放大器和
低频开关应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
2N6355
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
D
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
50
40
5
20
0.5
150
200
-65~200
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.09
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2N6355
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极电压breakdwon
I
C
= 0.2A ;我
B
=0
40
V
V
CEsat-1
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 10A ;我
B
=40mA
2.0
V
V
CEsat-2
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 20A ;我
B
=1A
4.0
V
V
BE坐
基射极饱和电压
I
C
= 20A ;我
B
=1A
4.0
V
V
BE
基射极电压上
I
C
= 10A ; V
CE
=4V
2.8
V
I
首席执行官
集电极截止电流
V
CE
=40V;I
B
=0
1.0
mA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 50V ;我
E
=0
0.5
mA
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 5V ;我
C
=0
5.0
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 4A ; V
CE
=5V
500
5000
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 20A ; V
CE
=5V
100
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6355
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的
3
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 3封装
高
直流电流增益
·达林顿
应用
For
通用放大器和
低频开关应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
2N6355
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
D
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
50
40
5
20
0.5
150
200
-65~200
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.09
单位
℃/W
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2N6355
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极电压breakdwon
I
C
= 0.2A ;我
B
=0
40
V
V
CEsat-1
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 10A ;我
B
=40mA
2.0
V
V
CEsat-2
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 20A ;我
B
=1A
4.0
V
V
BE坐
基射极饱和电压
I
C
= 20A ;我
B
=1A
4.0
V
V
BE
基射极电压上
I
C
= 10A ; V
CE
=4V
2.8
V
I
首席执行官
集电极截止电流
V
CE
=40V;I
B
=0
1.0
mA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 50V ;我
E
=0
0.5
mA
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 5V ;我
C
=0
5.0
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 4A ; V
CE
=5V
500
5000
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 20A ; V
CE
=5V
100
2
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6355
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的
3
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