摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过2N6342 / D
双向可控硅
硅双向晶闸管
。 。 。主要为全波交流控制应用中,如调光器的设计,
马达控制,加热控制和电源;或是其他地方,全波硅
需要栅极控制的固态器件。三端双向可控硅晶闸管型从切换
堵为导通状态用于施加阳极电压与正的任一极性
或负门极触发。
阻断电压为800伏特
所有的扩散和玻璃钝化结大中华区参数均匀性
和稳定性
体积小,坚固耐用, Thermowatt建设实现低热阻,高耐热
散热和耐用性
门极触发保证在两种模式( 2N6342 , 2N6343 , 2N6344 , 2N6345 )
或四种模式( 2N6346 , 2N6347 , 2N6348 , 2N6349 )
对于400赫兹运行,请向厂家咨询
可作为2N6342A通2N6349A 12安培设备
2N6342
THRU
2N6349
双向可控硅
8 RMS安培
200通800伏
MT1
MT2
G
CASE 221A -04
(TO-220AB)
方式4
最大额定值
( TJ = 25 ° C除非另有说明。 )
等级
*重复峰值断态电压( 1 )
(门打开, TJ = -40至+ 110 ° C)
1/2正弦波50到60赫兹,门打开
符号
VDRM
2N6342, 2N6346
2N6343, 2N6347
2N6344, 2N6348
2N6345, 2N6349
( TC = + 80 ° C)
(TC = + 90 ℃)的
IT ( RMS )
ITSM
200
400
600
800
8
4
100
安培
安培
价值
单位
伏
* RMS通态电流
完整周期的正弦波50到60赫兹
*峰值不重复浪涌电流
(一个完整周期, 60赫兹, TC = + 80 ° C)
前面和后面的额定电流
电路熔断
(T = 8.3毫秒)
I2t
PGM
PG (AV)
IGM
VGM
TJ
TSTG
40
20
0.5
2
10
-40到+125
-40到+150
A2s
瓦
瓦
安培
伏
°C
°C
*峰值功率门控( TC = + 80 ° C,脉冲宽度= 2
s)
*平均栅极电( TC = + 80 ° C,T = 8.3毫秒)
*栅极峰值电流
*峰值栅极电压
*工作结温范围
*存储温度范围
1. VDRM所有类型可以在一个连续的基础上被应用。阻断电压不得与恒定电流源,使得测试
该器件的额定电压都超标。
REV 1
摩托罗拉晶闸管设备数据
摩托罗拉公司1995年
1
2N6342 2N6349直通
热特性
特征
*热阻,结到外壳
符号
R
θJC
最大
2.2
单位
° C / W
电气特性
(TC = 25 ℃,和MT2的任一极性给MT1的电压,除非另有说明。 )
特征
*峰值电流阻断
( VD =额定VDRM ,门敞开着) TJ = 25°C
TJ = 100℃
*峰值通态电压
( ITM = 11 A峰值,脉冲宽度为1至2毫秒,占空比
门极触发电流(连续直流)
( VD = 12 VDC, RL = 100欧姆)
(最小栅极脉冲宽度= 2
s)
MT2 ( + )中,G (+),所有类型
MT2 ( + )中,G ( - ) 2N6346直通49
MT2 ( - )中,G ( - )的所有类型
MT2 ( - )中,G (+), 2N6346直通49
* MT2 ( + )中,G (+) ; MT2 ( - ) ,G ( - ) TC = -40 °C所有类型
* MT2 ( + )中,G ( - ) ; MT2 ( - ) ,G ( + ) TC = -40°C 2N6346直通49
门极触发电压(连续直流)
( VD = 12 VDC, RL = 100欧姆)
(最小栅极脉冲宽度= 2
s)
MT2 ( + )中,G (+),所有类型
MT2 ( + )中,G ( - ) 2N6346直通49
MT2 ( - )中,G ( - )的所有类型
MT2 ( - )中,G (+), 2N6346直通49
* MT2 ( + )中,G (+) ; MT2 ( - ) ,G ( - ) TC = -40 °C所有类型
* MT2 ( + )中,G ( - ) ; MT2 ( - ) ,G ( + ) TC = -40°C 2N6346直通49
( VD =额定VDRM , RL = 10千欧, TJ = 100 ° C)
* MT2 ( + )中,G (+) ; MT2 ( - )中,G ( - )的所有类型
* MT2 ( + )中,G ( - ) ; MT2 ( - )中,G ( - ) 2N6346直通49
*保持电流
( VD = 12 VDC,门打开)
( IT = 200 mA)的
TC = 25°C
* TC = -40°C
TGT
符号
IDRM
—
—
—
—
1.3
10
2
1.55
民
典型值
最大
单位
A
mA
伏
mA
p
2%)
VTM
IGT
—
—
—
—
—
—
—
VGT
12
12
20
35
—
—
50
75
50
75
100
125
伏
—
—
—
—
—
—
0.2
0.2
IH
—
—
—
0.9
0.9
1.1
1.4
—
—
—
—
6
—
1.5
2
2.5
2
2.5
2.5
3
—
—
mA
40
75
2
s
*开启时间
( VD =额定VDRM , ITM = 11 A, IGT = 120 mA时,
上升时间= 0.1
s,
脉冲宽度= 2
s)
换相电压临界上升率
( VD =额定VDRM , ITM = 11 A,整流的di / dt = 4.0 A / MS ,
门未激励, TC = 80 ° C)
*表示JEDEC注册的数据。
dv / dt的(C )
—
5
—
V / μs的
图1 - RMS电流降额
100
P( AV ) ,平均功率(瓦)
TC ,外壳温度(
°
C)
α
= 30°
60°
90°
92
120°
180°
α
α
84
80
0
1.0
3.0
4.0
5.0
6.0
IT ( RMS ) , RMS通态电流( AMP )
2.0
7.0
8.0
α
=导通角
dc
10
图2 - 通态功耗
dc
α
α
6.0
α
=导通角60 °
30°
TJ 100℃
α
= 180°
120°
90°
96
8.0
88
4.0
[
2.0
0
0
1.0
3.0
4.0
5.0
6.0
IT ( RMS ) , RMS通态电流( AMP )
2.0
7.0
8.0
2
摩托罗拉晶闸管设备数据
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双向可控硅
硅双向晶闸管
。 。 。主要为全波交流控制应用中,如调光器的设计,
马达控制,加热控制和电源;或是其他地方,全波硅
需要栅极控制的固态器件。三端双向可控硅晶闸管型从切换
堵为导通状态用于施加阳极电压与正的任一极性
或负门极触发。
阻断电压为800伏特
所有的扩散和玻璃钝化结大中华区参数均匀性
和稳定性
体积小,坚固耐用, Thermowatt建设实现低热阻,高耐热
散热和耐用性
门极触发保证在两种模式( 2N6342 , 2N6343 , 2N6344 , 2N6345 )
或四种模式( 2N6346 , 2N6347 , 2N6348 , 2N6349 )
对于400赫兹运行,请向厂家咨询
可作为2N6342A通2N6349A 12安培设备
2N6342
THRU
2N6349
双向可控硅
8 RMS安培
200通800伏
MT1
MT2
G
CASE 221A -04
(TO-220AB)
方式4
最大额定值
( TJ = 25 ° C除非另有说明。 )
等级
*重复峰值断态电压( 1 )
(门打开, TJ = -40至+ 110 ° C)
1/2正弦波50到60赫兹,门打开
符号
VDRM
2N6342, 2N6346
2N6343, 2N6347
2N6344, 2N6348
2N6345, 2N6349
( TC = + 80 ° C)
(TC = + 90 ℃)的
IT ( RMS )
ITSM
200
400
600
800
8
4
100
安培
安培
价值
单位
伏
* RMS通态电流
完整周期的正弦波50到60赫兹
*峰值不重复浪涌电流
(一个完整周期, 60赫兹, TC = + 80 ° C)
前面和后面的额定电流
电路熔断
(T = 8.3毫秒)
I2t
PGM
PG (AV)
IGM
VGM
TJ
TSTG
40
20
0.5
2
10
-40到+125
-40到+150
A2s
瓦
瓦
安培
伏
°C
°C
*峰值功率门控( TC = + 80 ° C,脉冲宽度= 2
s)
*平均栅极电( TC = + 80 ° C,T = 8.3毫秒)
*栅极峰值电流
*峰值栅极电压
*工作结温范围
*存储温度范围
1. VDRM所有类型可以在一个连续的基础上被应用。阻断电压不得与恒定电流源,使得测试
该器件的额定电压都超标。
REV 1
摩托罗拉晶闸管设备数据
摩托罗拉公司1995年
1
2N6342 2N6349直通
热特性
特征
*热阻,结到外壳
符号
R
θJC
最大
2.2
单位
° C / W
电气特性
(TC = 25 ℃,和MT2的任一极性给MT1的电压,除非另有说明。 )
特征
*峰值电流阻断
( VD =额定VDRM ,门敞开着) TJ = 25°C
TJ = 100℃
*峰值通态电压
( ITM = 11 A峰值,脉冲宽度为1至2毫秒,占空比
门极触发电流(连续直流)
( VD = 12 VDC, RL = 100欧姆)
(最小栅极脉冲宽度= 2
s)
MT2 ( + )中,G (+),所有类型
MT2 ( + )中,G ( - ) 2N6346直通49
MT2 ( - )中,G ( - )的所有类型
MT2 ( - )中,G (+), 2N6346直通49
* MT2 ( + )中,G (+) ; MT2 ( - ) ,G ( - ) TC = -40 °C所有类型
* MT2 ( + )中,G ( - ) ; MT2 ( - ) ,G ( + ) TC = -40°C 2N6346直通49
门极触发电压(连续直流)
( VD = 12 VDC, RL = 100欧姆)
(最小栅极脉冲宽度= 2
s)
MT2 ( + )中,G (+),所有类型
MT2 ( + )中,G ( - ) 2N6346直通49
MT2 ( - )中,G ( - )的所有类型
MT2 ( - )中,G (+), 2N6346直通49
* MT2 ( + )中,G (+) ; MT2 ( - ) ,G ( - ) TC = -40 °C所有类型
* MT2 ( + )中,G ( - ) ; MT2 ( - ) ,G ( + ) TC = -40°C 2N6346直通49
( VD =额定VDRM , RL = 10千欧, TJ = 100 ° C)
* MT2 ( + )中,G (+) ; MT2 ( - )中,G ( - )的所有类型
* MT2 ( + )中,G ( - ) ; MT2 ( - )中,G ( - ) 2N6346直通49
*保持电流
( VD = 12 VDC,门打开)
( IT = 200 mA)的
TC = 25°C
* TC = -40°C
TGT
符号
IDRM
—
—
—
—
1.3
10
2
1.55
民
典型值
最大
单位
A
mA
伏
mA
p
2%)
VTM
IGT
—
—
—
—
—
—
—
VGT
12
12
20
35
—
—
50
75
50
75
100
125
伏
—
—
—
—
—
—
0.2
0.2
IH
—
—
—
0.9
0.9
1.1
1.4
—
—
—
—
6
—
1.5
2
2.5
2
2.5
2.5
3
—
—
mA
40
75
2
s
*开启时间
( VD =额定VDRM , ITM = 11 A, IGT = 120 mA时,
上升时间= 0.1
s,
脉冲宽度= 2
s)
换相电压临界上升率
( VD =额定VDRM , ITM = 11 A,整流的di / dt = 4.0 A / MS ,
门未激励, TC = 80 ° C)
*表示JEDEC注册的数据。
dv / dt的(C )
—
5
—
V / μs的
图1 - RMS电流降额
100
P( AV ) ,平均功率(瓦)
TC ,外壳温度(
°
C)
α
= 30°
60°
90°
92
120°
180°
α
α
84
80
0
1.0
3.0
4.0
5.0
6.0
IT ( RMS ) , RMS通态电流( AMP )
2.0
7.0
8.0
α
=导通角
dc
10
图2 - 通态功耗
dc
α
α
6.0
α
=导通角60 °
30°
TJ 100℃
α
= 180°
120°
90°
96
8.0
88
4.0
[
2.0
0
0
1.0
3.0
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5.0
6.0
IT ( RMS ) , RMS通态电流( AMP )
2.0
7.0
8.0
2
摩托罗拉晶闸管设备数据