2N6344A , 2N6348A ,
2N6349A
首选设备
双向可控硅
硅双向晶闸管
主要设计用于全波交流控制应用中,如
调光器,马达控制,加热控制和电源;或
只要全波硅栅极控制固态器件
需要的。三端双向可控硅类型晶闸管从阻断切换到导通
国家对任一极性施加阳极电压与正向或
负门极触发。
阻断电压为800伏特
所有的扩散和玻璃钝化结大中华区参数
均匀性和稳定性
体积小,坚固耐用, Thermowatt建设低热
性,高散热性和耐用性
门极触发保证在所有四个象限
对于400赫兹运行,请向厂家咨询
可作为2N6344 2N6349直通8安培设备
器件标识:标识,设备类型,例如, 2N6344A ,日期代码
最大额定值
( TJ = 25° C除非另有说明)
等级
*重复峰值断态电压( 1 )
(门打开, TJ = -40至+ 110 ° C,
正弦波50到60赫兹,门打开)
2N6344A , 2N6348A
2N6349A
*开启状态RMS电流
(完整周期的正弦波50到60 Hz )
( TC = + 80 ° C)
( TC = + 95 ° C)
*峰值不重复浪涌电流
(一个完整周期, 60赫兹, TC = + 80 ° C)
前面和后面的额定电流
电路熔断思考( T = 8.3毫秒)
*峰值功率门控( TC = + 80 ° C,
脉冲宽度= 2.0
s)
*平均栅极电源
(TC = + 80°C ,吨= 8.3毫秒)
*栅极峰值电流
(脉冲宽度= 2.0
s;
TC = + 80 ° C)
*峰值栅极电压
(脉冲宽度= 2.0
s;
TC = + 80 ° C)
*工作结温范围
*存储温度范围
符号
VDRM ,
VRRM
600
800
IT ( RMS )
12
6.0
ITSM
100
A
1
I2t
PGM
PG (AV)
IGM
VGM
TJ
TSTG
59
20
0.5
2.0
A2s
瓦
瓦
A
伏
°C
°C
2
3
4
A
价值
单位
伏
1
http://onsemi.com
双向可控硅
12安培RMS
600 THRU 800伏
MT2
G
MT1
4
2
3
TO–220AB
CASE 221A
方式4
引脚分配
主终端1
主终端2
门
主终端2
订购信息
设备
2N6344A
2N6348A
2N6349A
包
TO220AB
TO220AB
TO220AB
航运
500/Box
500/Box
500/Box
& QUOT ;
10
- 40
+125
- 40
+150
*表示JEDEC注册的数据。
(1)在VDRM和VRRM所有类型可以在一个连续的基础上被应用。闭塞
电压不得与恒定电流源,使得测试
该器件的额定电压都超标。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司1999年
1
2000年2月 - 第1版
出版订单号:
2N6344A/D
2N6344A , 2N6348A , 2N6349A
热特性
特征
*热阻,结到外壳
最大的铅焊接温度的目的1/8“案件从10秒
符号
R
θJC
TL
最大
2.0
260
单位
° C / W
°C
电气特性
(TC = 25℃ ,除非另有说明; ELECTRICALS应用在任一方向)
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
*重复峰值电流阻断
( VD =额定VDRM , VRRM ;门开)
TJ = 25°C
TJ = 110℃
IDRM ,
IRRM
—
—
—
—
10
2.0
A
mA
基本特征
*峰值通态电压
( ITM = 17 A峰值,脉冲宽度为1至2毫秒,占空比
& QUOT ;
p
2%)
VTM
IGT
—
1.3
1.75
伏
mA
门极触发电流(连续直流)
( VD = 12 VDC, RL = 100欧姆)
MT2 ( + )中,G (+)
MT2 ( + )中,G ( - )
MT2 ( - )中,G ( - )
MT2 ( - )中,G (+)
* MT2 ( + )中,G (+) ; MT2 ( - ) ,G ( - ) TC = -40°C
* MT2 ( + )中,G ( - ) ; MT2 ( - ) ,G ( + ) TC = -40°C
门极触发电压(连续直流)
( VD = 12 VDC, RL = 100欧姆)
MT2 ( + )中,G (+)
MT2 ( + )中,G ( - )
MT2 ( - )中,G ( - )
MT2 ( - )中,G (+)
* MT2 ( + )中,G (+) ; MT2 ( - ) ,G ( - ) TC = -40°C
* MT2 ( + )中,G ( - ) ; MT2 ( - ) ,G ( + ) TC = -40°C
GATE非触发电压
( VD =额定VDRM , RL = 10千欧, TJ = 110 ° C)
* MT2 ( + )中,G (+) ; MT2 ( - )中,G ( - ) ; MT2 ( + )中,G ( - ) ; MT2 ( - )中,G (+)
保持电流
( VD = 12 VDC,门打开)
启动电流= 200毫安
—
—
—
—
—
—
VGT
—
—
—
—
—
—
VGD
0.2
IH
TC = 25°C
* TC = -40°C
TGT
—
—
—
6.0
6.0
10
25
—
—
50
75
50
75
100
125
伏
0.9
0.9
1.1
1.4
—
—
2.0
2.5
2.0
2.5
2.5
3.0
伏
—
6.0
—
1.5
—
mA
40
75
2.0
s
& QUOT ;
*开启时间
( VD =额定VDRM , ITM = 17 A, IGT = 120 mA时,
上升时间= 0.1
s,
脉冲宽度= 2
s)
动态特性
换相电压临界上升率
( VD =额定VDRM , ITM = 17 A,整流的di / dt = 6.1 A / MS ,
门未激励, TC = 80 ° C)
*表示JEDEC注册的数据。
dv / dt的(C )
—
5.0
—
V / μs的
http://onsemi.com
2
2N6344A , 2N6348A , 2N6349A
双向晶闸管电压电流特性
(双向设备)
+电流
1象限
MainTerminal 2 +
符号
VDRM
IDRM
VRRM
IRRM
VTM
IH
参数
重复峰值正向关闭状态电压
峰值正向阻断电流
反向重复峰值断态电压
峰值反向电流阻断
最大通态电压
保持电流
IH
象限3
VTM
MainTerminal 2 -
IRRM在VRRM
在国家
VTM
IH
关国
+电压
IDRM在VDRM
象限定义的三端双向可控硅
MT2正
(正半周)
+
(+), MT2
(+), MT2
第二象限
( - )的IGT
门
MT1
REF
(+), IGT
门
MT1
REF
我象限
IGT -
( - ) MT2
( - ) MT2
+ IGT
第三象限
( - )的IGT
门
MT1
REF
(+), IGT
门
MT1
REF
第四象限
–
MT2负
(负半周)
所有极性引用给MT1 。
与同相的信号(使用标准的AC线)象限I和III被使用。
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3
2N6344A , 2N6348A , 2N6349A
110
30°
PAV ,平均功率(瓦)
TC ,外壳温度(
°
C)
60°
100
90°
120°
90
α
80
α
α
=导通角
70
0
2.0
dc
0
4.0
6.0
8.0
10
12
IT ( RMS ) , RMS通态电流( AMP )
14
0
2.0
6.0
8.0
10
12
IT ( RMS ) , RMS通态电流( AMP )
4.0
14
180°
16
α
12
α
=导通角
TJ = 110℃
90°
4.0
60
α
= 30°
°
180°
120°
α
20
dc
8.0
图1. RMS电流降额
图2.开启状态功耗
1.8
VGT ,门极触发电压(伏)
1.6
1.4
4象限
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
–60
–40
–20
1
象限2
3
0
20
40
60
80 100
TJ ,结温( ° C)
120 140
I GT ,门极触发电流(mA)
VD = 12 V
50
VD = 12 V
30
20
1
2
象限
3
4
7.0
10
5.0
–60
–40
–20
0
20
40
60
80 100
TJ ,结温( ° C)
120 140
图3.典型栅极触发电压
图4.典型栅极触发电流
http://onsemi.com
4
2N6344A , 2N6348A , 2N6349A
100
70
50
30
20
我TM ,瞬时通态电流( AMP )
TJ = 100℃
10
7.0
5.0
3.0
2.0
100
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
I TSM ,峰值浪涌电流( AMP )
80
I H ,保持电流(毫安)
10
7.0
5.0
主终端# 2
积极
3.0
2.0
–60
20
门打开
主终端# 1
积极
25°C
–40
–20
0
20
40
60
80
100
TJ ,结温( ° C)
120
140
图6.典型的保持电流
60
周期
TJ = 100℃
F = 60赫兹
激增的前面和后面的额定电流
1.0
2.0
3.0
5.0
周期数
7.0
10
40
20
0
0.1
0.4
0.8 1.2
1.6
2.0
2.4 2.8
3.2
3.6 4.0 4.4
VTM ,最大瞬时导通电压(伏)
图5.开启状态特性
图7.最大不重复
浪涌电流
R(T ) ,瞬态热阻(标准化)
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
Z
θJC (T )
= R (t)的
R
θJC
0.02
0.01
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
20
50
吨,时间( ms)的
100
200
500
1.0 k
2.0 k
5.0 k
10 k
图8.典型的热响应
http://onsemi.com
5
2N6344A , 2N6348A ,
2N6349A
首选设备
双向可控硅
硅双向晶闸管
主要设计用于全波交流控制应用中,如
调光器,马达控制,加热控制和电源;或
只要全波硅栅极控制固态器件
需要的。三端双向可控硅类型晶闸管从阻断切换到导通
国家对任一极性施加阳极电压与正向或
负门极触发。
特点
http://onsemi.com
双向可控硅
12安培RMS
600 THRU 800伏
阻断电压为800 V
所有的扩散和玻璃钝化结大中华区参数
均匀性和稳定性
体积小,坚固耐用, Thermowatt建设低热
性,高散热性和耐用性
门极触发保证在所有四个象限
对于400赫兹运行,请向厂家咨询
8.0 A设备可作为2N6344 2N6349直通
无铅包可用*
MT2
G
MT1
记号
图
4
TO220AB
CASE 221A
方式4
1
2
3
2N634xAG
AYWW
2N634xA =器件代码
X = 4,8或9的
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
引脚分配
1
2
3
4
主终端1
主终端2
门
主终端2
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
1
2006年5月 - 第4版
出版订单号:
2N6344A/D
2N6344A , 2N6348A , 2N6349A
最大额定值
特征
*重复峰值断态电压(注1 )
(门打开,T
J
= -40+ 110℃ ,正弦波50到60赫兹,门打开)
2N6344A , 2N6348A
2N6349A
*开启状态RMS电流(完整周期的正弦波50到60 Hz )
(T
C
= +80°C)
(T
C
= +95°C)
*峰值不重复浪涌电流(一个完整周期, 60赫兹,T
C
= +80°C)
前面和后面的额定电流
电路熔断思考( T = 8.3毫秒)
*峰值功率门控(T
C
= + 80 ° C,脉冲宽度= 2.0
女士)
*平均栅极电源(T
C
= + 80℃, t为8.3毫秒)
*栅极峰值电流(脉冲宽度= 2.0
女士;
T
C
= +80°C)
*峰值栅极电压(脉冲宽度= 2.0
女士;
T
C
= +80°C)
*工作结温范围
*存储温度范围
I
TSM
I
2
t
P
GM
P
G( AV )
I
GM
V
GM
T
J
T
英镑
I
T( RMS )
12
6.0
100
59
20
0.5
2.0
"10
-40到+125
-40到+150
A
A
2
s
W
W
A
V
°C
°C
符号
V
DRM ,
V
RRM
600
800
A
价值
单位
V
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
*表示JEDEC注册的数据。
1. V
DRM
和V
RRM
对于所有类型的可以在一个连续的基础上被应用。阻断电压不得用恒定电流源,例如测试
该器件的电压额定值被超过。
热特性
特征
*热阻,结到外壳
最大的铅焊接温度的目的1/8“案件从10秒
符号
R
QJC
T
L
最大
2.0
260
单位
° C / W
°C
订购信息
设备
2N6344A
2N6344AG
2N6348A
2N6348AG
2N6349A
2N6349AG
包
TO220AB
TO220AB
(无铅)
TO220AB
TO220AB
(无铅)
TO220AB
TO220AB
(无铅)
500单位/箱
航运
http://onsemi.com
2
2N6344A , 2N6348A , 2N6349A
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明; ELECTRICALS应用在任一方向)
特征
开关特性
*重复峰值电流阻断
(V
D
=额定V
DRM
, V
RRM
;门打开)
基本特征
*峰值通态电压
(I
TM
=
"17
A峰值;脉冲宽度= 1 2毫秒,占空比
p
2%)
门极触发电流(连续直流)
(V
D
= 12伏,R
L
= 100
W)
象限I: MT2 ( + )中,G (+)
象限II : MT2 ( + ) ,G ( - )
第三象限: MT2 ( - ) ,G ( - )
第四象限: MT2 ( - ) ,G ( + )
* MT2 ( + )中,G (+) ; MT2 ( - ) ,G ( - )T
C
= 40°C
* MT2 ( + )中,G ( - ) ; MT2 ( - ) ,G ( + )T
C
= 40°C
门极触发电压(连续直流)
(V
D
= 12伏,R
L
= 100
W)
象限I: MT2 ( + )中,G (+)
象限II : MT2 ( + ) ,G ( - )
第三象限: MT2 ( - ) ,G ( - )
第四象限: MT2 ( - ) ,G ( + )
* MT2 ( + )中,G (+) ; MT2 ( - ) ,G ( - )T
C
= 40°C
* MT2 ( + )中,G ( - ) ; MT2 ( - ) ,G ( + )T
C
= 40°C
V
TM
I
GT
所有
2N6348A和2N6349A只
所有
2N6348A和2N6349A只
V
GT
所有
2N6348A和2N6349A只
所有
2N6348A和2N6349A只
V
GD
I
H
T
C
= 25°C
*T
C
= 40°C
t
gt
6.0
1.5
40
75
2.0
ms
0.2
0.9
0.9
1.1
1.4
2.0
2.5
2.0
2.5
2.5
3.0
V
mA
6.0
6.0
10
25
50
75
50
75
100
125
V
1.3
1.75
V
mA
T
J
= 25°C
T
J
= 110°C
I
DRM
,
I
RRM
10
2.0
mA
mA
符号
民
典型值
最大
单位
门非触发电压(V
D
=额定V
DRM
, R
L
= 10 k
W,
T
J
= 110°C)
* MT2 ( + )中,G (+) ; MT2 ( - )中,G ( - ) ; MT2 ( + )中,G ( - ) ; MT2 ( - )中,G (+)
保持电流
(V
D
= 12 VDC,门打开)
启动电流=
"200
mA
*开启时间
(V
D
=额定V
DRM
, I
TM
= 17 A,I
GT
= 120毫安,
上升时间= 0.1
女士,
脉冲宽度= 2
女士)
动态特性
换相电压临界上升率
(V
D
=额定V
DRM
, I
TM
= 17 A,整流的di / dt = 6.1 A / MS ,
门未通电,T
C
= 80°C)
*表示JEDEC注册的数据。
dv / dt的(C )
5.0
V / ms的
http://onsemi.com
3
2N6344A , 2N6348A , 2N6349A
双向晶闸管电压电流特性
(双向设备)
+电流
1象限
MainTerminal 2 +
符号
V
DRM
I
DRM
V
RRM
I
RRM
V
TM
I
H
参数
重复峰值正向关闭状态电压
峰值正向阻断电流
反向重复峰值断态电压
峰值反向电流阻断
最大通态电压
保持电流
象限3
MainTerminal 2 -
I
H
V
TM
I
RRM
在V
RRM
在国家
I
H
V
TM
关国
+电压
I
DRM
在V
DRM
象限定义的三端双向可控硅
MT2正
(正半周)
+
(+), MT2
(+), MT2
第二象限
2N6348A
2N6349A
() I
GT
门
MT1
REF
(+) I
GT
门
MT1
REF
我象限
所有
I
GT
( - ) MT2
( - ) MT2
+ I
GT
第三象限
所有
() I
GT
门
MT1
REF
(+) I
GT
门
MT1
REF
第四象限
2N6348A
2N6349A
MT2负
(负半周)
所有极性引用给MT1 。
与同相的信号(使用标准的AC线)象限I和III被使用。
http://onsemi.com
4
2N6344A , 2N6348A , 2N6349A
110
30°
60°
100
90°
120°
90
α
80
α
α
=导通角
70
0
2.0
dc
4.0
6.0
8.0
10
12
I
T( RMS )
, RMS通态电流( AMP )
14
0
0
2.0
4.0
6.0
8.0
10
I
T( RMS )
, RMS通态电流( AMP )
12
14
180°
PAV ,平均功率(瓦)
TC ,外壳温度(
°
C)
16
α
12
α
=导通角
T
J
= 110°C
90°
4.0
60
α
= 30°
°
180°
120°
α
20
dc
8.0
图1. RMS电流降额
图2.开启状态功耗
1.8
VGT ,门极触发电压(伏)
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
60
40
20
1
象限2
3
0
20
40
60
80 100
T
J
,结温( ° C)
120 140
4象限
I GT ,门极触发电流(mA)
V
D
= 12 V
50
V
D
= 12 V
30
20
1
2
象限
3
4
7.0
10
5.0
60
40
20
0
20
40
60
80 100
T
J
,结温( ° C)
120 140
图3.典型栅极触发电压
图4.典型栅极触发电流
http://onsemi.com
5