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ON Semiconductort
高功率NPN硅
晶体管
。 。 。在工业，军用功率放大器，专为使用，
开关电路应用。
高集电极发射极耐受电压 -
V
CEO （ SUS ）
= 100伏直流（最小值） - 2N6338
= 150伏直流（最小值） - 2N6341
高直流电流增益 -
h
FE
= 30 – 120 @ I
C
= 10位ADC
= 12 （分） @我
C
= 25 ADC
低集电极 - 发射极饱和电压 -
V
CE （ SAT ）
= 1.0伏（最大） @我
C
= 10位ADC
快速开关时间@我
C
= 10位ADC
t
r
= 0.3毫秒（最大值）
t
s
= 1.0毫秒（最大值）
t
f
= 0.25毫秒（最大值）
*最大额定值
等级
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
连续
PEAK
基极电流
符号
V
CB
V
EB
I
C
V
首席执行官
2N6338
120
100
2N6338
2N6341*
·安森美半导体首选设备
25安培
功率晶体管
NPN硅
100 ，120， 140 ， 150伏
200瓦
PD ，功耗（瓦）
2N6341
180
150
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
集电极 - 发射极电压
6.0
25
50
10
I
B
ADC
器件总功耗
@ T
C
= 25_C
减免上述25℃
P
D
200
1.14
瓦
W / ℃，
_C
工作和存储结
温度范围
T
J
, T
英镑
-65到+200
案例1-07
TO–204AA
(TO–3)
热特性
特征
符号
θ
JC
最大
单位
热阻，结到外壳
*表示JEDEC注册的数据。
200
175
150
125
100
75
50
25
0
0
0.875
° C / W
25
50
75
100
125
150
175
200
T
C
，外壳温度（ ° C）
图1.功率降额
首选
设备是安森美半导体建议以供将来使用和最佳的整体价值选择。
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年5月 - 10牧师
出版订单号：
2N6338/D
2N6338 2N6341
+ 11 V
0
- 9.0 V
t
r
, t
f
v
10纳秒
占空比= 1.0 ％
T， TIME （ NS ）
*电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
符号
民
最大
单位
集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）
(I
C
= 50 MADC ，我
B
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 50伏直流，我
B
= 0)
(V
CE
= 75 VDC ，我
B
= 0)
2N6338
2N6341
V
CEO （ SUS ）
I
首席执行官
100
150
–
–
–
–
–
–
–
–
VDC
μAdc
2N6338
2N6341
50
50
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
=额定V
首席执行官
, V
EB （O FF ）
= 1.5伏）
(V
CE
=额定V
首席执行官
, V
EB （O FF ）
= 1.5伏，T
C
= 150_C)
集电极截止电流（V
CB
=额定V
CB
, I
E
= 0)
发射极截止电流（V
BE
= 6.0伏，我
C
= 0)
直流电流增益）
(I
C
= 0.5 ADC ，V
CE
= 2.0伏）
(I
C
= 10位ADC ，V
CE
= 2.0伏）
(I
C
= 25个ADC ，V
CE
= 2.0伏）
I
CEX
10
1.0
10
μAdc
MADC
μAdc
μAdc
–
I
CBO
I
EBO
h
FE
100
基本特征（ 1 ）
50
30
12
–
–
–
–
–
–
120
–
1.0
1.8
1.8
2.5
1.8
–
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10位ADC ，我
B
= 1.0 ADC）
(I
C
= 25个ADC ，我
B
= 2.5 ADC）
基射极饱和电压
(I
C
= 10位ADC ，我
B
= 1.0 ADC）
(I
C
= 25个ADC ，我
B
= 2.5 ADC）
V
CE （ SAT ）
VDC
V
BE （ SAT ）
VDC
基射极电压上（我
C
= 10位ADC ，V
CE
= 2.0伏）
V
BE（上）
f
T
VDC
动态特性
电流增益 - 带宽积（ 2 ）（Ⅰ
C
= 1.0 ADC ，V
CE
= 10 VDC ，女
TEST
= 10兆赫）
输出电容（V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0 ， F = 0.1兆赫）
上升时间（V
CC
≈
80伏直流，我
C
= 10ADC ，我
B1
= 1.0 ADC ，V
BE （OFF）的
= 6.0伏）
存储时间（V
CC
≈
80伏直流，我
C
= 10位ADC ，我
B1
= I
B2
= 1.0 ADC）
下降时间（V
CC
≈
80伏直流，我
C
= 10位ADC ，我
B1
= I
B2
= 1.0 ADC）
40
–
–
–
–
兆赫
pF
s
s
s
C
ob
t
r
t
f
300
0.3
1.0
开关特性
t
s
0.25
*表示JEDEC注册的数据。
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
v
300
s,
占空比
v
2.0%.
(2) f
T
= |h
fe
|
f
TEST
.
V
CC
+ 80 V
R
C
8.0欧姆
10
s
R
B
10欧姆
1N4933
- 5.0 V
范围
1000
700
500
300
200
100
70
50
30
20
10
0.3
5.0 7.0 10
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
20
30
t
r
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 6.0 V
V
CC
= 80 V
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
注：有关图3和图6，R信息
B
和R
C
为
变化以获得所需的测试条件。
图2.开关时间测试电路
图3.开启时间
http://onsemi.com
2
2N6338 2N6341
R（T ） ，有效的瞬变
热电阻（标准化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0 3.0 5.0
吨，时间（ ms）的
t
1
t
2
P
（ PK）
θ
JC
= R （t）的
θ
JC
θ
JC
= 0.875 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
- T
C
= P
（ PK）
θ
JC
(t)
50
100
200 300
500
1000
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
占空比D = T
1
/t
2
10
20
30
图4.热响应
100
50
IC集电极电流（ AMP ）
,
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5
T
J
= 200°C
键合丝有限公司
限热@
T
C
= 25°C （单脉冲）
第二击穿
LIMITED曲线适用
以下为V
首席执行官
3.0 5.0
7.0 10
20
30
dc
200
s
1.0毫秒
5.0毫秒
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
2.0
2N6338
2N6341
50
70
100
200
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
–V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图5的数据是基于T
J（下PK）
= 200_C ;牛逼
C
is
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
v
200_C 。牛逼
J（下PK）
可以从在数据计算
图4.在高温情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图5.活动区的安全工作区
5.0
3.0
2.0
1.0
T， TIME （
s)
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.3
0.5 0.7
1.0
2.0 3.0
5.0
10
I
C
，集电极电流（ AMP ）
20
30
t
f
t
s
V
CC
= 80 V
I
B1
= I
B2
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
5000
3000
2000
C，电容（pF ）
1000
700
500
300
200
100
70
50
0.1
C
ob
C
ib
T
J
= 25°C
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0 10
20
V
R
，反向电压（伏）
50
100
图6.开启，关闭时间
图7.电容
http://onsemi.com
3
2N6338 2N6341
包装尺寸
案例1-07
TO- 204AA （TO- 3）
ISSUE
A
N
C
–T–
E
D
U
V
2
2 PL
座位
飞机
K
M
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.所有规则和注意事项与相关的
参考- 204AA外形为准。
0.13 (0.005)
L
G
1
Q
M
Y
M
–Y–
H
B
–Q–
0.13 (0.005)
M
牛逼
M
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
K
L
N
Q
U
V
英寸
民
最大
1.550 REF
---
1.050
0.250
0.335
0.038
0.043
0.055
0.070
0.430 BSC
0.215 BSC
0.440
0.480
0.665 BSC
---
0.830
0.151
0.165
1.187 BSC
0.131
0.188
MILLIMETERS
民
最大
39.37 REF
---
26.67
6.35
8.51
0.97
1.09
1.40
1.77
10.92 BSC
5.46 BSC
11.18
12.19
16.89 BSC
---
21.08
3.84
4.19
30.15 BSC
3.33
4.77
风格1 ：
1. PIN BASE
2.辐射源
案例：收藏家
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留修改的权利
恕不另行通知这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定的任何保证，声明或担保
目的，也不SCILLC承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并明确拒绝承担任何责任，
包括但不限于特殊，间接或附带损失。这可能SCILLC数据表提供“典型”参数和/或
规格可以做不同在不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数，包括“典型”必须是
验证每个客户的客户应用的技术专家。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。
SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况或
可能会出现死亡。如果买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有
SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的
直接或间接引起的，律师费，人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，即使此类索赔
称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是一个机会均等/肯定行动雇主。
出版物订货信息
北美文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
电话：
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
ONlit@hibbertco.com
传真响应行： 303-675-2167或800-344-3810免费电话美国/加拿大
N.美国技术支持：
800-282-9855免费电话美国/加拿大
欧洲：
最不发达国家的安森美半导体 - 欧洲支持
德国电话：
（ +1 ） 303-308-7140 （周一至周五下午2:30至下午7:00 CET）
电子邮件：
ONlit-german@hibbertco.com
法国电话：
（ +1 ） 303-308-7141 （周一至周五下午2时00分至晚上7时CET）
电子邮件：
ONlit-french@hibbertco.com
英语电话：
（ +1 ） 303-308-7142 （周一至周五下午12时00分至下午5:00 GMT ）
电子邮件：
ONlit@hibbertco.com
欧洲免费接入* ： 00-800-4422-3781
*有来自德国，法国，意大利，英国，爱尔兰
中/南美洲：
西班牙电话：
303-308-7143 （周一至周五上午8:00至下午5:00 ）
电子邮件：
ONlit-spanish@hibbertco.com
免费电话，来自墨西哥：
拨打01-800-288-2872的访问 -
然后拨打866-297-9322
亚洲/太平洋网络C：
最不发达国家的安森美半导体 - 亚洲支持
电话：
1-303-675-2121 （周二至周五上午9:00至下午1:00 ，香港时间）
免费咨询电话
来自香港和放大器;新加坡：
001–800–4422–3781
电子邮件：
ONlit-asia@hibbertco.com
日本：
安森美半导体，日本顾客焦点中心
4-32-1西五反田，品川区，东京，日本141-0031
电话：
81–3–5740–2700
电子邮件：
r14525@onsemi.com
安森美半导体网站：
http://onsemi.com
有关更多信息，请联系您当地的
销售代表。
http://onsemi.com
4
2N6338/D
博卡半导体公司
BSC
http://www.bocasemi.com
A
博卡半导体公司
BSC
http://www.bocasemi.com
A
博卡半导体公司
BSC
http://www.bocasemi.com
A
A
A
ON Semiconductort
高功率NPN硅
晶体管
。 。 。在工业，军用功率放大器，专为使用，
开关电路应用。
高集电极发射极耐受电压 -
V
CEO （ SUS ）
= 100伏直流（最小值） - 2N6338
= 150伏直流（最小值） - 2N6341
高直流电流增益 -
h
FE
= 30 – 120 @ I
C
= 10位ADC
= 12 （分） @我
C
= 25 ADC
低集电极 - 发射极饱和电压 -
V
CE （ SAT ）
= 1.0伏（最大） @我
C
= 10位ADC
快速开关时间@我
C
= 10位ADC
t
r
= 0.3毫秒（最大值）
t
s
= 1.0毫秒（最大值）
t
f
= 0.25毫秒（最大值）
*最大额定值
等级
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
连续
PEAK
基极电流
符号
V
CB
V
EB
I
C
V
首席执行官
2N6338
120
100
2N6338
2N6341*
·安森美半导体首选设备
25安培
功率晶体管
NPN硅
100 ，120， 140 ， 150伏
200瓦
PD ，功耗（瓦）
2N6341
180
150
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
集电极 - 发射极电压
6.0
25
50
10
I
B
ADC
器件总功耗
@ T
C
= 25_C
减免上述25℃
P
D
200
1.14
瓦
W / ℃，
_C
工作和存储结
温度范围
T
J
, T
英镑
-65到+200
案例1-07
TO–204AA
(TO–3)
热特性
特征
符号
θ
JC
最大
单位
热阻，结到外壳
*表示JEDEC注册的数据。
200
175
150
125
100
75
50
25
0
0
0.875
° C / W
25
50
75
100
125
150
175
200
T
C
，外壳温度（ ° C）
图1.功率降额
首选
设备是安森美半导体建议以供将来使用和最佳的整体价值选择。
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年5月 - 10牧师
出版订单号：
2N6338/D
2N6338 2N6341
+ 11 V
0
- 9.0 V
t
r
, t
f
v
10纳秒
占空比= 1.0 ％
T， TIME （ NS ）
*电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
符号
民
最大
单位
集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）
(I
C
= 50 MADC ，我
B
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 50伏直流，我
B
= 0)
(V
CE
= 75 VDC ，我
B
= 0)
2N6338
2N6341
V
CEO （ SUS ）
I
首席执行官
100
150
–
–
–
–
–
–
–
–
VDC
μAdc
2N6338
2N6341
50
50
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
=额定V
首席执行官
, V
EB （O FF ）
= 1.5伏）
(V
CE
=额定V
首席执行官
, V
EB （O FF ）
= 1.5伏，T
C
= 150_C)
集电极截止电流（V
CB
=额定V
CB
, I
E
= 0)
发射极截止电流（V
BE
= 6.0伏，我
C
= 0)
直流电流增益）
(I
C
= 0.5 ADC ，V
CE
= 2.0伏）
(I
C
= 10位ADC ，V
CE
= 2.0伏）
(I
C
= 25个ADC ，V
CE
= 2.0伏）
I
CEX
10
1.0
10
μAdc
MADC
μAdc
μAdc
–
I
CBO
I
EBO
h
FE
100
基本特征（ 1 ）
50
30
12
–
–
–
–
–
–
120
–
1.0
1.8
1.8
2.5
1.8
–
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10位ADC ，我
B
= 1.0 ADC）
(I
C
= 25个ADC ，我
B
= 2.5 ADC）
基射极饱和电压
(I
C
= 10位ADC ，我
B
= 1.0 ADC）
(I
C
= 25个ADC ，我
B
= 2.5 ADC）
V
CE （ SAT ）
VDC
V
BE （ SAT ）
VDC
基射极电压上（我
C
= 10位ADC ，V
CE
= 2.0伏）
V
BE（上）
f
T
VDC
动态特性
电流增益 - 带宽积（ 2 ）（Ⅰ
C
= 1.0 ADC ，V
CE
= 10 VDC ，女
TEST
= 10兆赫）
输出电容（V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0 ， F = 0.1兆赫）
上升时间（V
CC
≈
80伏直流，我
C
= 10ADC ，我
B1
= 1.0 ADC ，V
BE （OFF）的
= 6.0伏）
存储时间（V
CC
≈
80伏直流，我
C
= 10位ADC ，我
B1
= I
B2
= 1.0 ADC）
下降时间（V
CC
≈
80伏直流，我
C
= 10位ADC ，我
B1
= I
B2
= 1.0 ADC）
40
–
–
–
–
兆赫
pF
s
s
s
C
ob
t
r
t
f
300
0.3
1.0
开关特性
t
s
0.25
*表示JEDEC注册的数据。
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
v
300
s,
占空比
v
2.0%.
(2) f
T
= |h
fe
|
f
TEST
.
V
CC
+ 80 V
R
C
8.0欧姆
10
s
R
B
10欧姆
1N4933
- 5.0 V
范围
1000
700
500
300
200
100
70
50
30
20
10
0.3
5.0 7.0 10
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
20
30
t
r
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 6.0 V
V
CC
= 80 V
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
注：有关图3和图6，R信息
B
和R
C
为
变化以获得所需的测试条件。
图2.开关时间测试电路
图3.开启时间
http://onsemi.com
2
2N6338 2N6341
R（T ） ，有效的瞬变
热电阻（标准化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0 3.0 5.0
吨，时间（ ms）的
t
1
t
2
P
（ PK）
θ
JC
= R （t）的
θ
JC
θ
JC
= 0.875 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
- T
C
= P
（ PK）
θ
JC
(t)
50
100
200 300
500
1000
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
占空比D = T
1
/t
2
10
20
30
图4.热响应
100
50
IC集电极电流（ AMP ）
,
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5
T
J
= 200°C
键合丝有限公司
限热@
T
C
= 25°C （单脉冲）
第二击穿
LIMITED曲线适用
以下为V
首席执行官
3.0 5.0
7.0 10
20
30
dc
200
s
1.0毫秒
5.0毫秒
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
2.0
2N6338
2N6341
50
70
100
200
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
–V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图5的数据是基于T
J（下PK）
= 200_C ;牛逼
C
is
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
v
200_C 。牛逼
J（下PK）
可以从在数据计算
图4.在高温情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图5.活动区的安全工作区
5.0
3.0
2.0
1.0
T， TIME （
s)
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.3
0.5 0.7
1.0
2.0 3.0
5.0
10
I
C
，集电极电流（ AMP ）
20
30
t
f
t
s
V
CC
= 80 V
I
B1
= I
B2
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
5000
3000
2000
C，电容（pF ）
1000
700
500
300
200
100
70
50
0.1
C
ob
C
ib
T
J
= 25°C
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0 10
20
V
R
，反向电压（伏）
50
100
图6.开启，关闭时间
图7.电容
http://onsemi.com
3
2N6338 2N6341
包装尺寸
案例1-07
TO- 204AA （TO- 3）
ISSUE
A
N
C
–T–
E
D
U
V
2
2 PL
座位
飞机
K
M
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.所有规则和注意事项与相关的
参考- 204AA外形为准。
0.13 (0.005)
L
G
1
Q
M
Y
M
–Y–
H
B
–Q–
0.13 (0.005)
M
牛逼
M
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
K
L
N
Q
U
V
英寸
民
最大
1.550 REF
---
1.050
0.250
0.335
0.038
0.043
0.055
0.070
0.430 BSC
0.215 BSC
0.440
0.480
0.665 BSC
---
0.830
0.151
0.165
1.187 BSC
0.131
0.188
MILLIMETERS
民
最大
39.37 REF
---
26.67
6.35
8.51
0.97
1.09
1.40
1.77
10.92 BSC
5.46 BSC
11.18
12.19
16.89 BSC
---
21.08
3.84
4.19
30.15 BSC
3.33
4.77
风格1 ：
1. PIN BASE
2.辐射源
案例：收藏家
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留修改的权利
恕不另行通知这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定的任何保证，声明或担保
目的，也不SCILLC承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并明确拒绝承担任何责任，
包括但不限于特殊，间接或附带损失。这可能SCILLC数据表提供“典型”参数和/或
规格可以做不同在不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数，包括“典型”必须是
验证每个客户的客户应用的技术专家。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。
SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况或
可能会出现死亡。如果买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有
SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的
直接或间接引起的，律师费，人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，即使此类索赔
称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是一个机会均等/肯定行动雇主。
出版物订货信息
北美文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
电话：
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
ONlit@hibbertco.com
传真响应行： 303-675-2167或800-344-3810免费电话美国/加拿大
N.美国技术支持：
800-282-9855免费电话美国/加拿大
欧洲：
最不发达国家的安森美半导体 - 欧洲支持
德国电话：
（ +1 ） 303-308-7140 （周一至周五下午2:30至下午7:00 CET）
电子邮件：
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法国电话：
（ +1 ） 303-308-7141 （周一至周五下午2时00分至晚上7时CET）
电子邮件：
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英语电话：
（ +1 ） 303-308-7142 （周一至周五下午12时00分至下午5:00 GMT ）
电子邮件：
ONlit@hibbertco.com
欧洲免费接入* ： 00-800-4422-3781
*有来自德国，法国，意大利，英国，爱尔兰
中/南美洲：
西班牙电话：
303-308-7143 （周一至周五上午8:00至下午5:00 ）
电子邮件：
ONlit-spanish@hibbertco.com
免费电话，来自墨西哥：
拨打01-800-288-2872的访问 -
然后拨打866-297-9322
亚洲/太平洋网络C：
最不发达国家的安森美半导体 - 亚洲支持
电话：
1-303-675-2121 （周二至周五上午9:00至下午1:00 ，香港时间）
免费咨询电话
来自香港和放大器;新加坡：
001–800–4422–3781
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日本：
安森美半导体，日本顾客焦点中心
4-32-1西五反田，品川区，东京，日本141-0031
电话：
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电子邮件：
r14525@onsemi.com
安森美半导体网站：
http://onsemi.com
有关更多信息，请联系您当地的
销售代表。
http://onsemi.com
4
2N6338/D
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
描述
-collector极 - 发射极
维持电压 -
: V
CEO （ SUS ）
= 100V （最小） - 2N6338
= 120V （最小） - 2N6339
= 140V （最小） - 2N6340
= 160V （最小） - 2N6341
高
开关速度
ULOW
饱和电压 -
: V
CE（
SAT
） = 1.0V （最大值） @我
C
= 10A
应用
·设计
用于工业，军事功率放大器使用，
开关电路应用。
绝对最大额定值（T
a
=25℃)
符号
参数
2N6338
2N6339
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N6338/6339/6340/6341
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
w
w
w
2N6340
2N6341
2N6338
2N6339
2N6340
2N6341
.CN
i
em
cs
。是
价值
120
140
160
单位
V
180
100
120
V
140
150
7
25
50
10
200
200
-65~200
V
A
A
A
W
℃
℃
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
J
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流连续
集电极耗散功率@T
C
=25℃
结温
储存温度
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻，结到外壳
最大
0.875
单位
℃/W
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
2N6338
集电极 - 发射极
维持电压
2N6339
I
C
= 50毫安;我
B
= 0
2N6340
2N6341
V
CE
（SAT）
-1
V
CE
（SAT）
-2
V
BE
（SAT）
-1
V
BE
（SAT）
-2
V
BE （
on
)
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压上
2N6338
集热器
截止目前
I
C
= 10A ;我
B
= 1A
I
C
= 25A ;我
B
= 2.5A
I
C
= 10A ;我
B
= 1A
2N6338/6339/6340/6341
条件
民
100
120
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
V
140
150
1.0
1.8
1.8
2.5
1.8
50
50
μA
50
50
10
10
1.0
0.1
50
30
12
40
300
兆赫
pF
120
μA
μA
mA
mA
V
V
V
V
V
I
首席执行官
I
CBO
I
CEX
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
f
T
C
OB
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
w
w
w
2N6340
2N6341
2N6339
.CN
i
em
cs
。是
I
C
= 10A ; V
CE
= 2V
V
CE
= 50V ;我
B
= 0
V
CE
= 60V ;我
B
= 0
V
CE
= 70V ;我
B
= 0
V
CE
= 75V ;我
B
= 0
V
CB
= RatedV
CBO
; I
E
= 0
V
CE
= RatedV
首席执行官
;V
BE （
关闭
)
= 1.5V
V
CE
= RatedV
首席执行官
;V
BE （
关闭
)
= 1.5V ，T
C
=150℃
V
EB
= 6V ;我
C
=0
I
C
= 0.5A ; V
CE
= 2V
I
C
= 10A ; V
CE
= 2V
I
C
= 25A ; V
CE
= 2V
I
C
= 1A ; V
CE
= 10V ; F
TEST
= 10MHz时
I
E
= 0 ; V
CB
= 10V ; F
TEST
=为0.1MHz
I
C
= 25A ;我
B
= 2.5A
电流增益带宽积
输出电容
开关时间
t
r
t
英镑
t
f
上升时间
贮存时间
V
CC
= 80V ;我
C
= 10A ;我
B1
= -I
B2
= 1A,
下降时间
0.25
μs
V
CC
= 80V ;我
C
= 10A ;我
B1
= 1A ，V
BE （
关闭
)
= 6V
0.3
1.0
μs
μs
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 3封装
高
直流电流增益
·快速
开关时间
ULOW
集电极饱和电压
.Complement
键入2N6436 38
应用
For
在工业，军用功率放大器使用
和开关电路的应用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
2N6338 2N6339 2N6340 2N6341
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
参数
2N6338
2N6339
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N6340
2N6341
2N6338
2N6339
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N6340
2N6341
V
EBO
I
C
I
CM
I
BC
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
140
150
6
25
50
10
200
200
-65~200
V
A
A
A
W
℃
℃
发射极开路
160
180
100
120
V
条件
价值
120
140
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
0.875
单位
℃/W
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
2N6338
2N6339
2N6338 2N6339 2N6340 2N6341
条件
民
100
120
典型值。
最大
单位
V
（ SUS ） CEO
集电极 - 发射极
维持电压
I
C
= 50毫安，我
B
=0
2N6340
2N6341
140
150
I
C
= 10A ;我
B
=1.0A
I
C
= 25A ;我
B
=2.5A
I
C
= 10A ;我
B
=1.0A
I
C
= 25A ;我
B
=2.5A
I
C
= 10A ; V
CE
=2V
V
CE
=额定V
首席执行官
; V
EB
=-1.5V
T
C
=150℃
V
CB
=额定V
CB
; I
E
=0
2N6338
2N6339
V
CE
= 50V ，我
B
=0
V
CE
= 60V ，我
B
=0
50
2N6340
2N6341
V
CE
= 70V ，我
B
=0
V
CE
= 75V ，我
B
=0
V
EB
= 6V ;我
C
=0
I
C
= 0.5A ; V
CE
=2V
I
C
= 10A ; V
CE
=2V
I
C
= 25A ; V
CE
=2V
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
I
C
= 1A ; V
CE
=10V;f=10MHz
40
50
30
12
300
120
100
1.0
1.8
1.8
2.5
1.8
10
1.0
10
V
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BE SAT- 1
V
BE SAT- 2
V
BE
I
CEX
I
CBO
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
集电极截止电流
V
V
V
V
V
μA
mA
μA
I
首席执行官
集热器
截止电流
μA
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
C
OB
f
T
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
μA
pF
兆赫
2
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6338 2N6339 2N6340 2N6341
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·采用TO-3封装
·快速开关时间
·低集电极饱和电压
·补充输入2N6436 38
应用
·对于工业，军用功率放大器使用
和开关电路的应用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
2N6338 2N6339 2N6340 2N6341
F
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
绝对最大额定值（Ta =
)
符号
参数
2N6338
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N6339
2N6340
2N6341
2N6338
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N6339
2N6340
2N6341
V
EBO
I
C
I
CM
I
BC
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
120
140
160
180
100
120
140
150
6
25
50
10
200
200
-65~200
V
A
A
A
W
V
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
0.875
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
2N6338
集电极 - 发射极
维持电压
2N6339
符号
2N6338 2N6339 2N6340 2N6341
条件
民
100
120
典型值。
最大
UNI
T
V
（ SUS ） CEO
I
C
= 50毫安，我
B
=0
2N6340
2N6341
140
150
I
C
= 10A ;我
B
=1.0A
I
C
= 25A ;我
B
=2.5A
I
C
= 10A ;我
B
=1.0A
I
C
= 25A ;我
B
=2.5A
I
C
= 10A ; V
CE
=2V
V
CE
=额定V
首席执行官
; V
EB
=1.5V
T
C
=150
V
CB
=额定V
CB
; I
E
=0
2N6338
V
CE
= 50V ，我
B
=0
V
CE
= 60V ，我
B
=0
50
2N6340
2N6341
V
CE
= 70V ，我
B
=0
V
CE
= 75V ，我
B
=0
V
EB
= 6V ;我
C
=0
I
C
= 0.5A ; V
CE
=2V
I
C
= 10A ; V
CE
=2V
I
C
= 25A ; V
CE
=2V
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=0.1MHz
I
C
= 1A ; V
CE
=10V;f=10MHz
V
CC
=80V,I
C
=10A,I
B1
= 1A ; V
BE
=1.5V
40
0.3
1.0
V
CC
=80V,I
C
=10A,I
B1
=I
B2
=1A
0.25
50
30
12
300
120
100
1.0
1.8
1.8
2.5
1.8
10
1.0
10
V
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BE SAT- 1
V
BE SAT- 2
V
BE
I
CEX
I
CBO
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
集电极截止电流
V
V
V
V
V
A
mA
A
I
首席执行官
集热器
截止电流
2N6339
A
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
C
OB
f
T
t
r
t
s
t
f
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
上升时间
贮存时间
下降时间
A
pF
兆赫
s
s
s
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6338 2N6339 2N6340 2N6341
图2外形尺寸
3
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2SD2199Q
2103SERIES
2020AX103M5
2SC5053Q
2SC4188E
22-28-5113
2N865
2SK3494
2727-11J
2EZ11D10
2N3166
25032HS-08A00
27901.5
201RHT1006P
2061
2SB736BW1
222293411561
2SC4108
2SB1417AQ
252B203A50NB
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