【】,IC型号2N6307,2N6307 PDF资料,2N6307经销商,ic,电子元器件-51电子网

2N6307

尺寸以毫米（英寸）。

25.15 (0.99)

26.67 (1.05)

10.67 (0.42)

11.18 (0.44)

1.52 (0.06)

3.43 (0.135)

6.35 (0.25)

9.15 (0.36)

在一个双极NPN器件

密封TO3

金属包装。

38.61 (1.52)

39.12 (1.54)

0.97 (0.060)

1.10 (0.043)

29.9 (1.177)

30.4 (1.197)

22.23

(0.875)

马克斯。

16.64 (0.655)

17.15 (0.675)

1

2

双极NPN装置。

V

首席执行官

= 300V

3

（案例）

3.84 (0.151)

4.09 (0.161)

7.92 (0.312)

12.70 (0.50)

I

C

= 8A

所有Semelab密封产品

可根据被处理

BS ， CECC和JAN的要求，

JANTX ， JANTXV和JANS规范。

TO3 （ TO204AA ）

引脚配置

1 - 基地

2 - 发射极

案例 - 集电极

参数

V

首席执行官

*

I

C（ CONT ）

h

FE

f

t

P

D

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

300

8

单位

V

A

-

Hz

@ 5/3 (V

CE

/ I

C

)

15

5M

75

125

W

*最大工作电压

这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表，请联系

sales@semelab.co.uk 。

Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信

是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。

Semelab PLC 。

电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。

电子信箱：

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网址：

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产生

31-Jul-02

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

描述

·采用TO-3封装

·高击穿电压

·高功耗

应用

·专为高压变频器，

开关稳压器，线路放大器操作，

和开关电源的应用

钉扎（参见图2 ）

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

描述

2N6307

Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号

绝对最大额定值（Ta = 25

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

B

P

T

j

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

总功耗

结温

储存温度

T

c

=25

条件

发射极开路

开基

集电极开路

价值

600

300

8

4

125

200

-65~200

单位

V

A

W

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

集电极 - 发射极电压维持

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

基射极电压上

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

输出电容

跃迁频率

条件

I

C

= 0.1A ;我

B

=0

I

C

= 3A ;我

B

=0.6A

I

C

= 8A ;我

B

=2A

I

C

= 8A ;我

B

=2A

I

C

= 3A ; V

CE

=5V

V

CE

=600V; V

BE

=-1.5V

V

CE

= 300V ;我

B

=0

V

EB

= 8V ;我

C

=0

I

C

= 3A ; V

CE

=5V

I

C

= 8A ; V

CE

=5V

I

E

=0 ; V

CB

=10V;f=1MHz

I

C

= 0.3A ; V

CE

=10V;f=1MHz

5

15

4

民

300

2N6307

符号

V

CEO （ SUS ）

V

CEsat-1

V

CEsat-2

V

BESAT

V

BE

I

CEV

I

首席执行官

I

EBO

h

FE-1

h

FE -2

C

OB

f

T

典型值。

最大

单位

V

1.0

5.0

2.3

1.3

0.5

1.0

75

V

mA

250

pF

兆赫

开关时间

t

r

t

s

t

f

上升时间

贮存时间

下降时间

V

CC

= 125V ;我

C

= 3.0A ;我

B

=0.6A

0.6

1.6

0.4

s

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2N6307

图2外形尺寸

3

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

描述

·带

TO- 3封装

高

击穿电压

高

功耗

应用

·设计

高压变频器，

开关稳压器，线路放大器操作，

和开关电源的应用

钉扎（参见图2 ）

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

描述

2N6307

Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

B

P

T

j

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

总功耗

结温

储存温度

T

c

=25℃

条件

发射极开路

开基

集电极开路

价值

600

300

8

4

125

200

-65~200

单位

V

A

W

℃

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

V

CEO （ SUS ）

V

CEsat-1

V

CEsat-2

V

BESAT

V

BE

I

CEV

I

首席执行官

I

EBO

h

FE-1

h

FE -2

C

OB

f

T

参数

集电极 - 发射极电压维持

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

基射极电压上

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

输出电容

跃迁频率

条件

I

C

= 0.1A ;我

B

=0

I

C

= 3A ;我

B

=0.6A

I

C

= 8A ;我

B

=2A

I

C

= 8A ;我

B

=2A

I

C

= 3A ; V

CE

=5V

V

CE

=600V; V

BE

=-1.5V

V

CE

= 300V ;我

B

=0

V

EB

= 8V ;我

C

=0

I

C

= 3A ; V

CE

=5V

I

C

= 8A ; V

CE

=5V

I

E

=0 ; V

CB

=10V;f=1MHz

I

C

= 0.3A ; V

CE

=10V;f=1MHz

5

15

4

民

300

典型值。

2N6307

最大

单位

V

1.0

5.0

2.3

1.3

0.5

1.0

75

V

mA

250

pF

兆赫

开关时间

t

r

t

s

t

f

上升时间

贮存时间

下降时间

V

CC

= 125V ;我

C

= 3.0A ;我

B

=0.6A

0.6

1.6

0.4

μs

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2N6307

图2外形尺寸

3

功率晶体管

TO- 3案（续）

型号

IC

(A)

最大

10

15

PD

(W)

125

175

115

150

160

125

117

100

125

100

125

175

100

120

150

BVCBO

(V)

民

110

300

375

450

55

100

60

80

100

500

600

700

50

40

60

80

50

70

90

650

850

650

850

650

850

45

60

90

120

350

400

450

BVCEO

(V)

民

100

200

275

350

45

80

60

80

100

250

300

350

40

60

80

40

60

80

300

400

300

400

300

400

40

60

90

120

300

350

400

的hFE

* TYP

民

20

10

8.0

6.0

20

750

15

12

15

最大

100

50

70

@ IC VCE （ SAT ）

(A)

5.0

10

3.0

5.0

(V)

最大

3.5

1.5

4.0

3.0

5.0

4.0

3.0

3.5

1.0

1.5

4.0

2.0

@ IC

(A)

10

15

20

8.0

16

10

15

3.0

8.0

5.0

10

4.0

15

8.0

NPN

2N6249

2N6250

2N6251

2N6253

2N6254

2N6282

2N6283

2N6284

2N6306

2N6307

2N6308

2N6371

2N6383

2N6384

2N6385

2N6470

2N6471

2N6472

2N6542

2N6543

2N6544

2N6545

2N6546

2N6547

2N6569

2N6576

2N6577

2N6578

2N6671

2N6672

2N6673

PNP

2N6248

fT

* TYP

（兆赫）

民

4.0

2.5

4.0

--

4.0

5.0

4.0

6.0

4.0

6.0

2.5

6.0

15

2N6285

2N6286

2N6287

20

8.0

15

18,000 10

75

60

8.0

2N6648

2N6649

2N6650

2N6469

10

15

5.0

8.0

15

1,000 20,000 5.0

20

7.0

12

15

150

35

60

200

5.0

3.0

5.0

4.0

2N6594

12

15

8.0

2,000 20,000 4.0

10

40

--

阴影部分表示达林顿。

83

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

145亚当斯大街Hauppauge的，纽约州11788美国

联系电话：（ 631 ） 435-1110 传真：（ 631 ） 435-1824

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