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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第469页 > 2N6306
功率晶体管
TO- 3案(续)
型号
IC
(A)
最大
10
10
10
10
15
15
PD
(W)
125
175
175
175
115
150
160
160
160
125
125
125
117
100
100
100
125
125
125
125
100
100
125
125
175
175
100
120
120
120
150
150
150
BVCBO
(V)
110
300
375
450
55
100
60
80
100
500
600
700
50
40
60
80
50
50
70
90
650
850
650
850
650
850
45
60
90
120
350
400
450
BVCEO
(V)
100
200
275
350
45
80
60
80
100
250
300
350
40
40
60
80
40
40
60
80
300
400
300
400
300
400
40
60
90
120
300
350
400
的hFE
* TYP
20
10
8.0
6.0
20
20
750
750
750
15
15
12
15
最大
100
50
50
50
70
70
@ IC VCE ( SAT )
(A)
5.0
10
10
10
3.0
5.0
(V)
最大
3.5
1.5
1.5
1.5
4.0
4.0
3.0
3.0
3.0
5.0
5.0
5.0
4.0
3.0
3.0
3.0
3.5
3.5
3.5
3.5
1.0
1.0
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
4.0
4.0
4.0
2.0
2.0
2.0
@ IC
(A)
10
10
10
10
15
15
20
20
20
8.0
8.0
8.0
16
10
10
10
15
15
15
15
3.0
3.0
8.0
5.0
10
10
4.0
15
15
15
8.0
8.0
8.0
NPN
2N6249
2N6250
2N6251
2N6253
2N6254
2N6282
2N6283
2N6284
2N6306
2N6307
2N6308
2N6371
2N6383
2N6384
2N6385
2N6470
2N6471
2N6472
2N6542
2N6543
2N6544
2N6545
2N6546
2N6547
2N6569
2N6576
2N6577
2N6578
2N6671
2N6672
2N6673
PNP
2N6248
fT
* TYP
(兆赫)
4.0
2.5
2.5
2.5
4.0
--
4.0
4.0
4.0
5.0
5.0
5.0
4.0
6.0
6.0
6.0
4.0
4.0
4.0
4.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
2.5
6.0
6.0
6.0
15
15
15
2N6285
2N6286
2N6287
20
20
20
8.0
8.0
8.0
15
18,000 10
18,000 10
18,000 10
75
75
60
60
8.0
8.0
8.0
8.0
2N6648
2N6649
2N6650
2N6469
10
10
10
15
15
15
15
5.0
5.0
8.0
8.0
15
15
1,000 20,000 5.0
1,000 20,000 5.0
1,000 20,000 5.0
20
20
20
20
7.0
7.0
7.0
7.0
12
12
15
150
150
150
150
35
35
35
35
60
60
200
5.0
5.0
5.0
5.0
3.0
3.0
5.0
5.0
5.0
5.0
4.0
2N6594
12
15
15
15
8.0
8.0
8.0
2,000 20,000 4.0
2,000 20,000 4.0
2,000 20,000 4.0
10
10
10
40
40
40
--
--
--
阴影部分表示达林顿。
83
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
145亚当斯大街Hauppauge的,纽约州11788美国
联系电话: ( 631 ) 435-1110 传真: ( 631 ) 435-1824
技术参数
NPN功率硅晶体管
每个合格的MIL -PRF- 498分之19500
器件
2N6306
2N6308
资质等级
JAN
JANTX
JANTXV
最大额定值
评级
2N6306 2N6308
集电极 - 发射极电压
250
350
V
首席执行官
集电极 - 基极电压
500
700
V
CBO
发射极 - 基极电压
8.0
V
EBO
集电极电流
8.0
I
C
基极电流
4.0
I
B
0 (1)
总功耗
@ T
C
= +25 C
125
P
T
0 (1)
@ T
C
= +100 C
62.5
工作&存储温度范围
-65到+200
T
OP ,
T
英镑
0
0
1 ) T之间
C
= +25 C和T
C
= 175 ℃,线性降额因子平均值= 0.833 W /
0
C
符号
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
W
W
0
C
TO-3 (TO- 204AA ) *
*请参阅附录A包
概要
电气特性
特征
符号
分钟。
马克斯。
单位
开关特性
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100 MADC
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 500 VDC ; V
BE
= 1.5 VDC
V
CE
= 700伏; V
BE
= 1.5 VDC
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 250 VDC
V
CE
= 350伏
发射基截止电流
V
EB
= 8伏
2N6306
2N6308
2N6306
2N6308
2N6306
2N6308
V
( BR )
首席执行官
250
350
5.0
5.0
50
50
5.0
VDC
I
CEX
μAdc
I
首席执行官
I
EBO
μAdc
μAdc
6湖街,劳伦斯,MA 01841
1-800-446-1158 / ( 978 ) 794-1666 /传真: ( 978 ) 689-0803
120101
第1页2
2N6306 , 2N6308 JAN系列
电气特性(续)
特征
符号
分钟。
马克斯。
单位
基本特征
(2)
正向电流传输比
I
C
= 3.0 ADC ; V
CE
= 5.0伏
I
C
= 8.0 ADC ; V
CE
= 5.0伏
I
C
= 0.5 ADC ; V
CE
= 5.0伏
基射极电压
V
CE
= 5.0伏;我
C
= 3.0 ADC
基极 - 发射极饱和电压
I
B
= 2.0 ADC ;我
C
= 8.0 ADC
I
B
= 2.67 ADC ;我
C
= 8.0 ADC
集电极 - 发射极饱和电压
I
B
= 2.0 ADC ;我
C
= 8.0 ADC
I
B
= 2.67 ADC ;我
C
= 8.0 ADC
I
B
= 0.6 ADC ;我
C
= 3.0 ADC
2N6306
2N6308
2N6306
2N6308
2N6306
2N6308
2N6306
2N6308
2N6306
2N6308
2N6306
2N6308
2N6306
2N6308
h
FE
15
12
4
3
15
12
75
60
V
BE(上)
1.3
1.5
2.3
2.5
5.0
5.0
0.8
1.5
VDC
V
BE ( SAT )
VDC
V
CE ( SAT )
VDC
动态特性
共发射小信号短路幅度
正向电流传输比
I
C
= 0.3 ADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 1兆赫
小信号短路正向电流传输比
I
C
= 0.5 ADC ,V
CE
= 4.0伏, F = 1.0千赫
输出电容
V
CB
= 10 VDC ,我
E
= 0,100千赫
f
1.0兆赫
h
fe
5
h
fe
C
敖包
5
250
pF
30
开关特性
开启时间
V
CC
= 125 VDC ;我
C
= 3.0 ADC ;我
B
= 0.6 ADC
打开-O FF时间
V
CC
= 125 VDC ;我
C
= 3.0 ADC ;我
B1
= 0.6 ADC ;我
B2
= 1.5 ADC
t
on
0.6
3.0
s
s
t
关闭
安全工作区
DC测试
T
C
= +25
0
℃;吨= 1秒, 1个循环(见图/ 498 19500 MIL-PRF- 2和3)
测试1
V
CE
= 15.6伏,我
C
= 8 ADC
测试2
V
CE
= 37伏直流,我
C
= 3.4 ADC
测试3
V
CE
= 200伏,我
C
= 65 MADC
2N6306
V
CE
= 300伏,我
C
= 25 MADC
2N6308
2 )脉冲测试:脉冲宽度= 300μS ,占空比
2.0%.
6湖街,劳伦斯,MA 01841
1-800-446-1158 / ( 978 ) 794-1666 /传真: ( 978 ) 689-0803
120101
第2页2
145亚当斯大街Hauppauge的,纽约州11788美国
联系电话: ( 631 ) 435-1110 传真: ( 631 ) 435-1824
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 3封装
击穿电压
功耗
应用
·设计
高压变频器,
开关稳压器,线路放大器操作,
和开关电源的应用
钉扎(参见图2 )
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
2N6308
Fig.1简化外形( TO- 3 )和符号
绝对最大额定值(Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
c
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
700
350
8
8
4
125
200
-65~200
单位
V
V
V
A
A
W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
V
CEO ( SUS )
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BESAT
V
BE
I
CEV
I
首席执行官
I
EBO
h
FE-1
h
FE -2
C
OB
f
T
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
条件
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
I
C
= 3A ;我
B
=0.6A
I
C
= 8A ;我
B
=2.67A
I
C
= 8A ;我
B
=2.67A
I
C
= 3A ; V
CE
=5V
V
CE
=700V; V
BE
=-1.5V
V
CE
= 350V ;我
B
=0
V
EB
= 8V ;我
C
=0
I
C
= 3A ; V
CE
=5V
I
C
= 8A ; V
CE
=5V
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
I
C
= 0.3A ; V
CE
=10V;f=1MHz
5
12
3
350
典型值。
2N6308
最大
单位
V
1.5
5.0
2.5
1.5
0.5
0.5
1.0
60
V
V
V
V
mA
mA
mA
250
pF
兆赫
开关时间
t
r
t
s
t
f
上升时间
贮存时间
下降时间
V
CC
= 125V ;我
C
= 3.0A ;我
B
=0.6A
0.6
1.6
0.4
μs
μs
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6308
图2外形尺寸
3
2N6306
尺寸以毫米(英寸) 。
25.15 (0.99)
26.67 (1.05)
10.67 (0.42)
11.18 (0.44)
1.52 (0.06)
3.43 (0.135)
6.35 (0.25)
9.15 (0.36)
在一个双极NPN器件
密封TO3
金属包装。
38.61 (1.52)
39.12 (1.54)
0.97 (0.060)
1.10 (0.043)
29.9 (1.177)
30.4 (1.197)
22.23
(0.875)
马克斯。
16.64 (0.655)
17.15 (0.675)
1
2
双极NPN装置。
V
首席执行官
= 250V
3
(案例)
3.84 (0.151)
4.09 (0.161)
7.92 (0.312)
12.70 (0.50)
I
C
= 8A
所有Semelab密封产品
可根据被处理
BS , CECC和JAN的要求,
JANTX , JANTXV和JANS规范。
TO3 ( TO204AA )
引脚配置
1 - 基地
2 - 发射极
案例 - 集电极
参数
V
首席执行官
*
I
C( CONT )
h
FE
f
t
P
D
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
250
8
单位
V
A
-
Hz
@ 5/3 (V
CE
/ I
C
)
15
5M
75
125
W
*最大工作电压
这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表,请联系
sales@semelab.co.uk 。
Semelab Plc的保留改变试验条件,参数限制和封装尺寸,恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠,在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab PLC 。
电话:+44( 0 ) 1455 556565.传真:+44( 0 ) 1455 552612 。
电子信箱:
sales@semelab.co.uk
网址:
http://www.semelab.co.uk
产生
31-Jul-02
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·采用TO-3封装
·高击穿电压
·高功耗
应用
·专为高压变频器,
开关稳压器,线路放大器操作,
和开关电源的应用
钉扎(参见图2 )
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
2N6306
Fig.1简化外形( TO- 3 )和符号
绝对最大额定值(Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
c
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
500
250
8
8
4
125
200
-65~200
单位
V
V
V
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
条件
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
I
C
= 3A ;我
B
=0.6A
I
C
= 8A ;我
B
=2A
I
C
= 8A ;我
B
=2A
I
C
= 3A ; V
CE
=5V
V
CE
=500V; V
BE
=-1.5V
V
CE
= 250V ;我
B
=0
V
EB
= 8V ;我
C
=0
I
C
= 3A ; V
CE
=5V
I
C
= 8A ; V
CE
=5V
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
I
C
= 0.3A ; V
CE
=10V;f=1MHz
5
15
4
250
2N6306
符号
V
CEO ( SUS )
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BESAT
V
BE
I
CEV
I
首席执行官
I
EBO
h
FE-1
h
FE -2
C
OB
f
T
典型值。
最大
单位
V
0.8
5.0
2.3
1.3
0.5
0.5
1.0
75
V
V
V
V
mA
mA
mA
250
pF
兆赫
开关时间
t
r
t
s
t
f
上升时间
贮存时间
下降时间
V
CC
= 125V ;我
C
= 3.0A ;我
B
=0.6A
0.6
1.6
0.4
s
s
s
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6306
图2外形尺寸
3
技术参数
NPN功率硅晶体管
每个合格的MIL -PRF- 498分之19500
器件
2N6306
2N6308
资质等级
JAN
JANTX
JANTXV
最大额定值
评级
2N6306 2N6308
集电极 - 发射极电压
250
350
V
首席执行官
集电极 - 基极电压
500
700
V
CBO
发射极 - 基极电压
8.0
V
EBO
集电极电流
8.0
I
C
基极电流
4.0
I
B
0 (1)
总功耗
@ T
C
= +25 C
125
P
T
0 (1)
@ T
C
= +100 C
62.5
工作&存储温度范围
-65到+200
T
OP ,
T
英镑
0
0
1 ) T之间
C
= +25 C和T
C
= 175 ℃,线性降额因子平均值= 0.833 W /
0
C
符号
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
W
W
0
C
TO-3 (TO- 204AA ) *
*请参阅附录A包
概要
电气特性
特征
符号
分钟。
马克斯。
单位
开关特性
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100 MADC
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 500 VDC ; V
BE
= 1.5 VDC
V
CE
= 700伏; V
BE
= 1.5 VDC
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 250 VDC
V
CE
= 350伏
发射基截止电流
V
EB
= 8伏
2N6306
2N6308
2N6306
2N6308
2N6306
2N6308
V
( BR )
首席执行官
250
350
5.0
5.0
50
50
5.0
VDC
I
CEX
μAdc
I
首席执行官
I
EBO
μAdc
μAdc
6湖街,劳伦斯,MA 01841
1-800-446-1158 / ( 978 ) 794-1666 /传真: ( 978 ) 689-0803
120101
第1页2
2N6306 , 2N6308 JAN系列
电气特性(续)
特征
符号
分钟。
马克斯。
单位
基本特征
(2)
正向电流传输比
I
C
= 3.0 ADC ; V
CE
= 5.0伏
I
C
= 8.0 ADC ; V
CE
= 5.0伏
I
C
= 0.5 ADC ; V
CE
= 5.0伏
基射极电压
V
CE
= 5.0伏;我
C
= 3.0 ADC
基极 - 发射极饱和电压
I
B
= 2.0 ADC ;我
C
= 8.0 ADC
I
B
= 2.67 ADC ;我
C
= 8.0 ADC
集电极 - 发射极饱和电压
I
B
= 2.0 ADC ;我
C
= 8.0 ADC
I
B
= 2.67 ADC ;我
C
= 8.0 ADC
I
B
= 0.6 ADC ;我
C
= 3.0 ADC
2N6306
2N6308
2N6306
2N6308
2N6306
2N6308
2N6306
2N6308
2N6306
2N6308
2N6306
2N6308
2N6306
2N6308
h
FE
15
12
4
3
15
12
75
60
V
BE(上)
1.3
1.5
2.3
2.5
5.0
5.0
0.8
1.5
VDC
V
BE ( SAT )
VDC
V
CE ( SAT )
VDC
动态特性
共发射小信号短路幅度
正向电流传输比
I
C
= 0.3 ADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 1兆赫
小信号短路正向电流传输比
I
C
= 0.5 ADC ,V
CE
= 4.0伏, F = 1.0千赫
输出电容
V
CB
= 10 VDC ,我
E
= 0,100千赫
f
1.0兆赫
h
fe
5
h
fe
C
敖包
5
250
pF
30
开关特性
开启时间
V
CC
= 125 VDC ;我
C
= 3.0 ADC ;我
B
= 0.6 ADC
打开-O FF时间
V
CC
= 125 VDC ;我
C
= 3.0 ADC ;我
B1
= 0.6 ADC ;我
B2
= 1.5 ADC
t
on
0.6
3.0
s
s
t
关闭
安全工作区
DC测试
T
C
= +25
0
℃;吨= 1秒, 1个循环(见图/ 498 19500 MIL-PRF- 2和3)
测试1
V
CE
= 15.6伏,我
C
= 8 ADC
测试2
V
CE
= 37伏直流,我
C
= 3.4 ADC
测试3
V
CE
= 200伏,我
C
= 65 MADC
2N6306
V
CE
= 300伏,我
C
= 25 MADC
2N6308
2 )脉冲测试:脉冲宽度= 300μS ,占空比
2.0%.
6湖街,劳伦斯,MA 01841
1-800-446-1158 / ( 978 ) 794-1666 /传真: ( 978 ) 689-0803
120101
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