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产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅PNP功率晶体管
描述
·带
TO- 66封装
·达林顿
ULOW
集电极饱和电压
.Complement
键入2N6300 / 6301
应用
■一般
目的功率放大器和
低频开关应用
钉扎(参见图2 )
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
2N6298 2N6299
Fig.1简化外形( TO- 66 )和符号
绝对最大额定值(Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
参数
2N6298
集电极 - 基极电压
2N6299
2N6298
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
T
T
j
T
英镑
集电极 - 发射极电压
2N6299
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
80
5
8
16
0.12
75
200
-65~200
V
A
A
A
W
发射极开路
80
60
V
条件
价值
60
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
最大
2.33
单位
℃/W
JMnic
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
集电极 - 发射极
维持电压
2N6298
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
2N6299
I
C
= 4A ;我
B
=16mA
I
C
= 8A ;我
B
=80mA
I
C
= 8A ;我
B
=80mA
I
C
= 4A ; V
CE
=3V
2N6298
I
CEX
集电极截止电流
2N6299
2N6298
I
首席执行官
集电极截止电流
2N6299
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
C
OB
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
V
CE
= 40V ;我
B
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 4A ; V
CE
=3V
I
C
= 8A ; V
CE
=3V
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=0.1MHz
V
CE
=60V; V
BE (OFF)的
=1.5V
T
C
=150℃
V
CE
=80V; V
BE (OFF)的
=1.5V
T
C
=150℃
V
CE
= 30V ;我
B
=0
条件
2N6298 2N6299
60
典型值。
最大
单位
V
CEO ( SUS )
V
80
2.0
3.0
4.0
2.8
0.5
5.0
0.5
5.0
0.5
V
V
V
V
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BESAT
V
BE
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基地发射极电压上
mA
mA
2.0
750
100
300
18000
mA
pF
JMnic
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅PNP功率晶体管
包装外形
2N6298 2N6299
图2外形尺寸
JMnic
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
描述
·带
TO- 66封装
·达林顿
ULOW
集电极饱和电压
.Complement
键入2N6300 / 6301
应用
■一般
目的功率放大器和
低频开关应用
钉扎(参见图2 )
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
2N6298 2N6299
Fig.1简化外形( TO- 66 )和符号
绝对最大额定值(Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
参数
固电
IN
导½
2N6298
2N6299
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
T
T
j
T
英镑
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
ES
CH
2N6298
2N6299
发射极开路
ND
ICO
EM
条件
OR
UCT
价值
-60
-80
-60
-80
-5
-8
-16
-0.12
单位
V
开基
V
V
A
A
A
W
集电极开路
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
75
200
-65~200
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
最大
2.33
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
2N6298
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极
维持电压
2N6299
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BESAT
V
BE
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基地发射极电压上
2N6298
I
CEX
集电极截止电流
I
C
= -4A ;我
B
=-16mA
I
C
= -8A ;我
B
=-80mA
I
C
= -8A ;我
B
=-80mA
I
C
= -4A ; V
CE
=-3V
V
CE
=-60V; V
BE (OFF)的
=-1.5V
T
C
=150℃
V
CE
=-80V; V
BE (OFF)的
=-1.5V
T
C
=150℃
V
CE
= -30V ;我
B
=0
V
CE
= -40V ;我
B
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -0.1A ;我
B
=0
条件
2N6298 2N6299
-60
典型值。
最大
单位
V
-80
-2.0
-3.0
-4.0
-2.8
-0.5
-5.0
mA
V
V
V
V
I
首席执行官
固电
IN
导½
2N6299
2N6298
集电极截止电流
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
C
OB
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
ES
CH
2N6299
ND
ICO
EM
OR
UCT
-0.5
-2.0
18000
-0.5
-5.0
mA
mA
I
C
= -4A ; V
CE
=-3V
I
C
= -8A ; V
CE
=-3V
750
100
I
E
=0 ; V
CB
=-10V;f=0.1MHz
300
pF
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2N6298 2N6299
固电
IN
导½
ES
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
描述
·采用TO- 66封装
·达林顿
·低集电极饱和电压
·补键入2N6300 / 6301
应用
·通用功率放大器
低频开关应用
钉扎(参见图2 )
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
2N6298 2N6299
Fig.1简化外形( TO- 66 )和符号
绝对最大额定值(Ta = 25
)
符号
V
CBO
参数
集电极 - 基极电压
2N6298
2N6299
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
2N6298
2N6299
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
-60
-80
-60
-80
-5
-8
-16
-0.12
75
200
-65~200
V
A
A
A
W
V
单位
V
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
T
T
j
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
最大
2.33
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
2N6298
I
C
= -0.1A ;我
B
=0
2N6299
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BESAT
V
BE
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基地发射极电压上
2N6298
I
CEX
集电极截止电流
2N6299
2N6298
I
首席执行官
集电极截止电流
2N6299
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
C
OB
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
V
CE
= -40V ;我
B
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -4A ; V
CE
=-3V
I
C
= -8A ; V
CE
=-3V
I
E
=0 ; V
CB
=-10V;f=0.1MHz
I
C
= -4A ;我
B
=-16mA
I
C
= -8A ;我
B
=-80mA
I
C
= -8A ;我
B
=-80mA
I
C
= -4A ; V
CE
=-3V
V
CE
=-60V; V
BE (OFF)的
=-1.5V
T
C
=150
V
CE
=-80V; V
BE (OFF)的
=-1.5V
T
C
=150
V
CE
= -30V ;我
B
=0
条件
2N6298 2N6299
符号
-60
典型值。
最大
单位
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极
维持电压
V
-80
-2.0
-3.0
-4.0
-2.8
-0.5
-5.0
-0.5
-5.0
V
V
V
V
mA
-0.5
mA
-2.0
750
100
300
18000
mA
pF
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2N6298 2N6299
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
描述
·带
TO- 66封装
·达林顿
ULOW
集电极饱和电压
.Complement
键入2N6300 / 6301
应用
■一般
目的功率放大器和
低频开关应用
钉扎(参见图2 )
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
2N6298 2N6299
Fig.1简化外形( TO- 66 )和符号
绝对最大额定值(Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
参数
2N6298
集电极 - 基极电压
2N6299
2N6298
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
T
T
j
T
英镑
集电极 - 发射极电压
2N6299
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
-80
-5
-8
-16
-0.12
75
200
-65~200
V
A
A
A
W
发射极开路
-80
-60
V
条件
价值
-60
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
最大
2.33
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
2N6298
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极
维持电压
2N6299
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BESAT
V
BE
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基地发射极电压上
2N6298
I
CEX
集电极截止电流
2N6299
2N6298
I
首席执行官
集电极截止电流
2N6299
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
C
OB
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
V
CE
= -40V ;我
B
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -4A ; V
CE
=-3V
I
C
= -8A ; V
CE
=-3V
I
E
=0 ; V
CB
=-10V;f=0.1MHz
V
CE
=-80V; V
BE (OFF)的
=-1.5V
T
C
=150℃
V
CE
= -30V ;我
B
=0
I
C
= -4A ;我
B
=-16mA
I
C
= -8A ;我
B
=-80mA
I
C
= -8A ;我
B
=-80mA
I
C
= -4A ; V
CE
=-3V
V
CE
=-60V; V
BE (OFF)的
=-1.5V
T
C
=150℃
I
C
= -0.1A ;我
B
=0
条件
2N6298 2N6299
-60
典型值。
最大
单位
V
-80
-2.0
-3.0
-4.0
-2.8
-0.5
-5.0
mA
-0.5
-5.0
V
V
V
V
-0.5
mA
-2.0
750
100
300
18000
mA
pF
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2N6298 2N6299
图2外形尺寸
3
2N6298
尺寸以毫米(英寸) 。
3.68
( 0.145 )弧度。
马克斯。
6.35 (0.250)
8.64 (0.340)
3.61 (0.142)
4.08(0.161)
弧度。
在双极PNP设备
密封TO66
金属包装。
11.94 (0.470)
12.70 (0.500)
24.13 (0.95)
24.63 (0.97)
1
14.48 (0.570)
14.99 (0.590)
2
0.71 (0.028)
0.86 (0.034)
双极PNP设备。
V
首席执行官
= 60V
I
C
= 8A
所有Semelab密封产品
可根据被处理
BS , CECC和JAN的要求,
JANTX , JANTXV和JANS规格
4.83 (0.190)
5.33 (0.210)
9.14 (0.360)
分钟。
1.27 (0.050)
1.91 (0.750)
TO66 ( TO213AA )
引脚配置
1 - 基地
2 - 发射极
案例 - 集电极
参数
V
首席执行官
*
I
C( CONT )
h
FE
f
t
P
D
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
60
8
单位
V
A
-
Hz
@ 3/4 (V
CE
/ I
C
)
750
4M
18000
75
W
*最大工作电压
这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表,请联系
sales@semelab.co.uk 。
Semelab Plc的保留改变试验条件,参数限制和封装尺寸,恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠,在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab PLC 。
电话:+44( 0 ) 1455 556565.传真:+44( 0 ) 1455 552612 。
电子信箱:
sales@semelab.co.uk
网址:
http://www.semelab.co.uk
产生
1-Aug-02
功率晶体管
TO- 66案例
型号
NPN
2N3054
2N3054A
2N3583
2N3584
2N3585
2N3738
2N3739
PNP
2N6049
2N6420
2N6421
2N6422
IC
(A)
最大
4.0
4.0
2.0
2.0
2.0
1.0
1.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
3.0
5.0
3.0
5.0
3.0
5.0
2.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
7.0
7.0
7.0
7.0
1.0
1.0
1.0
4.0
4.0
3.0
4.0
4.0
8.0
8.0
7.0
7.0
6.0
6.0
6.0
1.0
1.0
4.0
4.0
4.0
3.0
PD
(W)
25
75
35
35
35
20
20
25
25
25
25
20
20
35
75
35
75
35
75
35
20
20
20
25
25
25
40
40
40
40
35
35
35
29
50
20
50
50
75
75
90
90
40
40
40
20
20
40
40
29
25
BVCBO
(V)
90
90
250
375
500
250
325
60
60
80
80
80
100
50
40
70
60
90
80
500
350
500
500
40
60
80
80
80
100
100
275
350
400
50
90
140
60
80
60
80
60
80
90
70
50
250
325
110
130
60
160
BVCEO
(V)
55
55
175
250
300
225
300
60
60
80
80
60
80
40
40
60
60
80
80
300
250
350
350
40
60
80
80
80
100
100
225
300
350
40
80
120
60
80
60
80
60
80
80
60
40
225
300
100
120
60
120
的hFE
25
25
40
40
40
40
40
30
30
30
30
40
40
25
25
25
25
25
25
40
50
25
50
20
20
20
30
60
30
60
10
10
10
20
25
20
750
750
750
750
20
20
20
20
20
40
40
15
15
20
25
最大
150
150
- -
- -
- -
200
200
150
150
150
150
160
160
100
100
100
100
100
100
- -
150
75
150
150
150
150
120
240
120
240
100
100
100
100
100
150
18,000
18,000
18,000
18,000
100
100
100
100
100
200
200
150
150
120
150
@ IC VCE ( SAT ) @ IC
(A)
(V)
(A)
最大
0.5
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.25
0.25
0.25
0.25
0.5
0.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
0.1
0.05
0.05
0.05
0.5
0.5
0.5
2.0
2.0
2.0
2.0
1.0
1.0
1.0
1.5
1.5
0.5
2.0
2.0
4.0
4.0
2.5
2.5
2.0
2.5
3.0
0.1
0.1
1.5
1.5
1.0
0.5
1.0
0.5
5.0
0.75
0.75
2.5
2.5
0.6
0.6
0.6
0.6
1.0
1.0
2.0
4.0
2.0
4.0
2.0
4.0
1.0
0.9
0.9
0.75
0.6
0.6
0.6
0.7
0.7
0.7
0.7
1.4
1.6
2.0
1.5
0.5
1.2
2.0
2.0
2.0
2.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.5
2.5
1.2
1.2
1.0
1.0
0.5
0.5
1.0
1.0
1.0
0.25
0.25
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
3.0
5.0
3.0
5.0
3.0
5.0
0.75
0.05
0.05
0.05
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
2.0
0.125
0.125
0.125
1.5
1.5
0.5
2.0
2.0
4.0
4.0
4.0
4.0
2.0
2.5
3.0
0.25
0.25
1.5
1.5
0.5
0.5
fT
(兆赫)
0.8
0.8
10
10
10
10
10
3.0
3.0
3.0
3.0
10
10
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
15
20
20
20
3.0
3.0
3.0
30
30
30
30
20
20
20
0.8
0.8
0.8
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
10
10
5.0
5.0
0.75
0.2
2N3740
2N3740A
2N3741
2N3741A
2N3766
2N3767
2N4231
2N4231A
2N4232
2N4232A
2N4233
2N4233A
2N4240
2N4296
2N4298
2N4299
2N4910
2N4911
2N4912
2N5427
2N5428
2N5429
2N5430
2N6312
2N6313
2N6314
2N6423
2N4898
2N4899
2N4900
2N6211
2N6212
2N6213
2N6260
2N6261
2N6263
2N6294
2N6295
2N6300
2N6301
2N6315
2N6316
2N6372
2N6373
2N6374
2N6465
2N6466
40312
CM3441
2N6296
2N6297
2N6298
2N6299
2N6317
2N6318
2N5954
2N5955
2N5956
2N6424
2N6425
2N6467
2N6468
86
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
阴影部分表示达林顿。
技术参数
PNP达林顿功率硅晶体管
每个合格的MIL -PRF-五百四分之一万九千五百
器件
2N6298
2N6299
资质等级
JAN
JANTX
JANTXV
最大额定值
评级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
基极电流
集电极电流
总功率耗散@ T
C
= 0
0
C
(1)
@
T
C
= 100
0
C
操作&存储结温范围
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
B
I
C
P
T
T
OP
,
T
英镑
符号
R
θ
JC
2N6298 2N6299
60
60
80
80
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
ADC
W
W
0
C
单位
C / W
5.0
120
8.0
75
32
-65到+175
马克斯。
2.33
热特性
特征
热阻,结到外壳
1 )线性降额0.428 W /
0
C以上牛逼
C
> 0
0
C
0
TO- 66 * ( TO- 213AA )
*请参阅附录A
包装外形
电气特性(T
C
= 25
0
C除非另有说明)
特征
符号
分钟。
马克斯。
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 100 MADC
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 30 V直流
V
CE
= 40 VDC
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 60 VDC ,V
BE
= 1.5 VDC
V
CE
= 80伏,V
BE
= 1.5 VDC
发射基截止电流
V
EB
= 5.0伏
2N6298
2N6299
2N6298
2N6299
2N6298
2N6299
V
( BR )
首席执行官
60
80
0.5
0.5
0.5
0.5
2.0
VDC
I
首席执行官
MADC
I
CEX
I
EBO
MADC
MADC
6湖街,劳伦斯,MA 01841
1-800-446-1158 / ( 978 ) 794-1666 /传真: ( 978 ) 689-0803
120101
第1页2
2N6298 , 2N6299 JAN系列
电气特性(续)
特征
符号
分钟。
马克斯。
单位
基本特征
(2)
正向电流传输比
I
C
= 1.0 ADC ,V
CE
= 3.0伏
I
C
= 4.0 ADC ,V
CE
= 3.0伏
I
C
= 8.0 ADC ,V
CE
= 3.0伏
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 4.0 ADC ,我
B
= 16 MADC
I
C
= 8.0 ADC ,我
B
= 80 MADC
基射极饱和电压
I
C
= 8.0 ADC ,我
B
= 80 MADC
基射极电压
I
C
= 4.0 ADC ,V
CE
= 3.0伏
h
FE
500
750
100
18,000
V
CE ( SAT )
2.0
3.0
4.0
2.8
VDC
V
BE ( SAT )
V
BE(上)
VDC
VDC
动态特性
共发射小信号短路幅度
正向电流传输比
I
C
= 3.0 ADC ,V
CE
= 3.0伏, F = 1.0 MHz的
小信号短路正向电流传输比
I
C
= 3.0 ADC ,V
CE
= 3.0伏, F = 1.0千赫
输出电容
V
CB
= 10 VDC ,我
E
= 0,100千赫
f
1.0兆赫
h
fe
25
350
h
fe
C
敖包
300
200
pF
开关特性
开启时间
V
CC
= 30伏直流;我
C
= 4.0 ADC ;我
B1
= 16 MADC
打开-O FF时间
V
CC
= 30伏直流;我
C
= 4.0 ADC ;我
B1
= 16 MADC
t
on
2.0
8.0
s
s
t
关闭
安全工作区
DC测试
T
C
= +25
0
C, 1个周期,T = 1.0秒
测试1
V
CE
= 8.0伏,我
C
= 8.0 ADC
测试2
V
CE
= 20伏直流,我
C
= 2.0 ADC
测试3
V
CE
= 60 VDC ,
I
C
= 100 MADC
2N6298
V
CE
= 80伏直流,我
C
= 100 MADC
2N6299
( 2 )脉冲测试:脉冲宽度= 300μS ,占空比
2.0%.
6湖街,劳伦斯,MA 01841
1-800-446-1158 / ( 978 ) 794-1666 /传真: ( 978 ) 689-0803
120101
第2页2
博卡半导体公司
BSC
http://www.bocasemi.com
A
博卡半导体公司
BSC
http://www.bocasemi.com
A
博卡半导体公司
BSC
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A
博卡半导体公司
BSC
http://www.bocasemi.com
技术参数
PNP达林顿功率硅晶体管
每个合格的MIL -PRF-五百四分之一万九千五百
器件
2N6298
2N6299
资质等级
JAN
JANTX
JANTXV
最大额定值
评级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
基极电流
集电极电流
总功率耗散@ T
C
= 0
0
C
(1)
@
T
C
= 100
0
C
操作&存储结温范围
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
B
I
C
P
T
T
OP
,
T
英镑
符号
R
θ
JC
2N6298 2N6299
60
60
80
80
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
ADC
W
W
0
C
单位
C / W
5.0
120
8.0
75
32
-65到+175
马克斯。
2.33
热特性
特征
热阻,结到外壳
1 )线性降额0.428 W /
0
C以上牛逼
C
> 0
0
C
0
TO- 66 * ( TO- 213AA )
*请参阅附录A
包装外形
电气特性(T
C
= 25
0
C除非另有说明)
特征
符号
分钟。
马克斯。
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 100 MADC
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 30 V直流
V
CE
= 40 VDC
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 60 VDC ,V
BE
= 1.5 VDC
V
CE
= 80伏,V
BE
= 1.5 VDC
发射基截止电流
V
EB
= 5.0伏
2N6298
2N6299
2N6298
2N6299
2N6298
2N6299
V
( BR )
首席执行官
60
80
0.5
0.5
0.5
0.5
2.0
VDC
I
首席执行官
MADC
I
CEX
I
EBO
MADC
MADC
6湖街,劳伦斯,MA 01841
1-800-446-1158 / ( 978 ) 794-1666 /传真: ( 978 ) 689-0803
120101
第1页2
2N6298 , 2N6299 JAN系列
电气特性(续)
特征
符号
分钟。
马克斯。
单位
基本特征
(2)
正向电流传输比
I
C
= 1.0 ADC ,V
CE
= 3.0伏
I
C
= 4.0 ADC ,V
CE
= 3.0伏
I
C
= 8.0 ADC ,V
CE
= 3.0伏
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 4.0 ADC ,我
B
= 16 MADC
I
C
= 8.0 ADC ,我
B
= 80 MADC
基射极饱和电压
I
C
= 8.0 ADC ,我
B
= 80 MADC
基射极电压
I
C
= 4.0 ADC ,V
CE
= 3.0伏
h
FE
500
750
100
18,000
V
CE ( SAT )
2.0
3.0
4.0
2.8
VDC
V
BE ( SAT )
V
BE(上)
VDC
VDC
动态特性
共发射小信号短路幅度
正向电流传输比
I
C
= 3.0 ADC ,V
CE
= 3.0伏, F = 1.0 MHz的
小信号短路正向电流传输比
I
C
= 3.0 ADC ,V
CE
= 3.0伏, F = 1.0千赫
输出电容
V
CB
= 10 VDC ,我
E
= 0,100千赫
f
1.0兆赫
h
fe
25
350
h
fe
C
敖包
300
200
pF
开关特性
开启时间
V
CC
= 30伏直流;我
C
= 4.0 ADC ;我
B1
= 16 MADC
打开-O FF时间
V
CC
= 30伏直流;我
C
= 4.0 ADC ;我
B1
= 16 MADC
t
on
2.0
8.0
s
s
t
关闭
安全工作区
DC测试
T
C
= +25
0
C, 1个周期,T = 1.0秒
测试1
V
CE
= 8.0伏,我
C
= 8.0 ADC
测试2
V
CE
= 20伏直流,我
C
= 2.0 ADC
测试3
V
CE
= 60 VDC ,
I
C
= 100 MADC
2N6298
V
CE
= 80伏直流,我
C
= 100 MADC
2N6299
( 2 )脉冲测试:脉冲宽度= 300μS ,占空比
2.0%.
6湖街,劳伦斯,MA 01841
1-800-446-1158 / ( 978 ) 794-1666 /传真: ( 978 ) 689-0803
120101
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2N6298
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1807086236 复制 点击这里给我发消息 QQ:2322757237 复制

电话:0755-82533156 82710336
联系人:朱经理、张小姐
地址:深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室
2N6298
SOLIDSTAT
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93
TO-66
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电话:0755-83242658
联系人:廖先生
地址:广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
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100%原装正品,只做原装正品
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电话:0755-23995152
联系人:林
地址:广东省深圳市福田区华强北国利大厦25层2533室
2N6298
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原厂封装
原装现货可含税
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电话:0755-23919407
联系人:朱先生
地址:深圳市福田区振兴路华康大厦二栋5楼518
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MOTOROLA
17+
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TO-66
进口原装正品
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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
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Microchip Technology
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TO-66(TO-213AA)
原厂一级代理,原装现货
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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SOLID STATE
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18650
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全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1454677900 复制 点击这里给我发消息 QQ:1909637520 复制
电话:0755-23613962/82706142
联系人:雷小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华红社区红荔路3002号交行大厦一单元711
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SOLID STATE
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QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制

电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
2N6298
SOLIDSTATE
24+
21000
TO-66
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1274131982 复制 点击这里给我发消息 QQ:3470449835 复制

电话:0755-23306107
联系人:业务员
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格科技园4栋
2N6298
SOLID STATE
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TO-66
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