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51电子网联系电话:13751165337
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第30页 > 2N6297
功率晶体管
TO- 66案例
型号
NPN
2N3054
2N3054A
2N3583
2N3584
2N3585
2N3738
2N3739
PNP
2N6049
2N6420
2N6421
2N6422
IC
(A)
最大
4.0
4.0
2.0
2.0
2.0
1.0
1.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
3.0
5.0
3.0
5.0
3.0
5.0
2.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
7.0
7.0
7.0
7.0
1.0
1.0
1.0
4.0
4.0
3.0
4.0
4.0
8.0
8.0
7.0
7.0
6.0
6.0
6.0
1.0
1.0
4.0
4.0
4.0
3.0
PD
(W)
25
75
35
35
35
20
20
25
25
25
25
20
20
35
75
35
75
35
75
35
20
20
20
25
25
25
40
40
40
40
35
35
35
29
50
20
50
50
75
75
90
90
40
40
40
20
20
40
40
29
25
BVCBO
(V)
90
90
250
375
500
250
325
60
60
80
80
80
100
50
40
70
60
90
80
500
350
500
500
40
60
80
80
80
100
100
275
350
400
50
90
140
60
80
60
80
60
80
90
70
50
250
325
110
130
60
160
BVCEO
(V)
55
55
175
250
300
225
300
60
60
80
80
60
80
40
40
60
60
80
80
300
250
350
350
40
60
80
80
80
100
100
225
300
350
40
80
120
60
80
60
80
60
80
80
60
40
225
300
100
120
60
120
的hFE
25
25
40
40
40
40
40
30
30
30
30
40
40
25
25
25
25
25
25
40
50
25
50
20
20
20
30
60
30
60
10
10
10
20
25
20
750
750
750
750
20
20
20
20
20
40
40
15
15
20
25
最大
150
150
- -
- -
- -
200
200
150
150
150
150
160
160
100
100
100
100
100
100
- -
150
75
150
150
150
150
120
240
120
240
100
100
100
100
100
150
18,000
18,000
18,000
18,000
100
100
100
100
100
200
200
150
150
120
150
@ IC VCE ( SAT ) @ IC
(A)
(V)
(A)
最大
0.5
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.25
0.25
0.25
0.25
0.5
0.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
0.1
0.05
0.05
0.05
0.5
0.5
0.5
2.0
2.0
2.0
2.0
1.0
1.0
1.0
1.5
1.5
0.5
2.0
2.0
4.0
4.0
2.5
2.5
2.0
2.5
3.0
0.1
0.1
1.5
1.5
1.0
0.5
1.0
0.5
5.0
0.75
0.75
2.5
2.5
0.6
0.6
0.6
0.6
1.0
1.0
2.0
4.0
2.0
4.0
2.0
4.0
1.0
0.9
0.9
0.75
0.6
0.6
0.6
0.7
0.7
0.7
0.7
1.4
1.6
2.0
1.5
0.5
1.2
2.0
2.0
2.0
2.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.5
2.5
1.2
1.2
1.0
1.0
0.5
0.5
1.0
1.0
1.0
0.25
0.25
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
3.0
5.0
3.0
5.0
3.0
5.0
0.75
0.05
0.05
0.05
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
2.0
0.125
0.125
0.125
1.5
1.5
0.5
2.0
2.0
4.0
4.0
4.0
4.0
2.0
2.5
3.0
0.25
0.25
1.5
1.5
0.5
0.5
fT
(兆赫)
0.8
0.8
10
10
10
10
10
3.0
3.0
3.0
3.0
10
10
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
15
20
20
20
3.0
3.0
3.0
30
30
30
30
20
20
20
0.8
0.8
0.8
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
10
10
5.0
5.0
0.75
0.2
2N3740
2N3740A
2N3741
2N3741A
2N3766
2N3767
2N4231
2N4231A
2N4232
2N4232A
2N4233
2N4233A
2N4240
2N4296
2N4298
2N4299
2N4910
2N4911
2N4912
2N5427
2N5428
2N5429
2N5430
2N6312
2N6313
2N6314
2N6423
2N4898
2N4899
2N4900
2N6211
2N6212
2N6213
2N6260
2N6261
2N6263
2N6294
2N6295
2N6300
2N6301
2N6315
2N6316
2N6372
2N6373
2N6374
2N6465
2N6466
40312
CM3441
2N6296
2N6297
2N6298
2N6299
2N6317
2N6318
2N5954
2N5955
2N5956
2N6424
2N6425
2N6467
2N6468
86
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
阴影部分表示达林顿。
145亚当斯大街Hauppauge的,纽约州11788美国
联系电话: ( 631 ) 435-1110 传真: ( 631 ) 435-1824
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2N6296 2N6297
描述
·带
TO- 66封装
·达林顿
.Complement
键入2N6294 / 6295
应用
For
高增益放大器和媒体
高速开关应用
钉扎(参见图2 )
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形( TO- 66 )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
参数
2N6296
集电极 - 基极电压
2N6297
2N6296
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
T
T
j
T
英镑
集电极 - 发射极电压
2N6298
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
-80
-5
-4
-8
-80
50
150
-65~200
V
A
A
mA
W
发射极开路
-80
-60
V
条件
价值
-60
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
最大
3.5
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
2N6296 2N6297
典型值。
最大
单位
2N6296
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
2N6297
I
C
= -50mA ;我
B
=0
-60
V
-80
V
CEsat-1
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -2A ,我
B
=-8mA
-2.0
V
V
CEsat-2
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -4A ,我
B
=-40mA
-3.0
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= -4A ,我
B
=-40mA
-4.0
V
V
BE
基地发射极电压上
I
C
= -2A ; V
CE
=-3V
V
CE
= RatedV
CE
;V
BE (OFF)的
=1.5V
T
C
=150℃
V
CE
= 1 / 2Rated V
首席执行官
; I
B
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
-2.8
-0.5
-5.0
-0.5
V
I
CEX
集电极截止电流
mA
I
首席执行官
I
EBO
集电极截止电流
mA
发射极截止电流
-2.0
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= -2A ; V
CE
=-3V
750
18000
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= -4A ; V
CE
=-3V
100
f
T
跃迁频率
I
C
= -1.5A ; V
CE
=-3V;f=1.0MHz
4.0
兆赫
C
OB
输出电容
I
E
=0 ; V
CB
=-10V;f=0.1MHz
200
pF
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2N6296 2N6297
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2N6296 2N6297
4
2N6297
尺寸以毫米(英寸) 。
3.68
( 0.145 )弧度。
马克斯。
6.35 (0.250)
8.64 (0.340)
3.61 (0.142)
4.08(0.161)
弧度。
在双极PNP设备
密封TO66
金属包装。
11.94 (0.470)
12.70 (0.500)
24.13 (0.95)
24.63 (0.97)
1
14.48 (0.570)
14.99 (0.590)
2
0.71 (0.028)
0.86 (0.034)
双极PNP设备。
V
首席执行官
= 80V
I
C
= 4A
所有Semelab密封产品
可根据被处理
BS , CECC和JAN的要求,
JANTX , JANTXV和JANS规格
4.83 (0.190)
5.33 (0.210)
9.14 (0.360)
分钟。
1.27 (0.050)
1.91 (0.750)
TO66 ( TO213AA )
引脚配置
1 - 基地
2 - 发射极
案例 - 集电极
参数
V
首席执行官
*
I
C( CONT )
h
FE
f
t
P
D
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
80
4
单位
V
A
-
Hz
@ 3/2 (V
CE
/ I
C
)
750
4M
18000
50
W
*最大工作电压
这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表,请联系
sales@semelab.co.uk 。
Semelab Plc的保留改变试验条件,参数限制和封装尺寸,恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠,在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab PLC 。
电话:+44( 0 ) 1455 556565.传真:+44( 0 ) 1455 552612 。
电子信箱:
sales@semelab.co.uk
网址:
http://www.semelab.co.uk
产生
1-Aug-02
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2N6296 2N6297
描述
·采用TO- 66封装
·达林顿
·补键入2N6294 / 6295
应用
·对于高增益放大器和中
高速开关应用
钉扎(参见图2 )
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形( TO- 66 )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta = 25
)
符号
V
CBO
参数
集电极 - 基极电压
2N6296
2N6297
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
2N6296
2N6298
集电极开路
开基
条件
发射极开路
价值
-60
-80
-60
-80
-5
-4
-8
-80
50
150
-65~200
V
A
A
mA
W
V
单位
V
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
T
T
j
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
最大
3.5
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
2N6296
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
2N6297
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BESAT
V
BE
I
CEX
I
首席执行官
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
OB
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基地发射极电压上
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
I
C
= -2A ,我
B
=-8mA
I
C
= -4A ,我
B
=-40mA
I
C
= -4A ,我
B
=-40mA
I
C
= -2A ; V
CE
=-3V
V
CE
= RatedV
CE
;V
BE (OFF)的
=1.5V
T
C
=150
V
CE
= 1 / 2Rated V
首席执行官
; I
B
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -2A ; V
CE
=-3V
I
C
= -4A ; V
CE
=-3V
I
C
= -1.5A ; V
CE
=-3V;f=1.0MHz
I
E
=0 ; V
CB
=-10V;f=0.1MHz
I
C
= -50mA ;我
B
=0
条件
2N6296 2N6297
符号
-60
典型值。
最大
单位
V
-80
-2.0
-3.0
-4.0
-2.8
-0.5
-5.0
-0.5
-2.0
750
100
4.0
200
兆赫
pF
18000
V
V
V
V
mA
mA
mA
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2N6296 2N6297
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2N6296 2N6297
4
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2N6296 2N6297
描述
·带
TO- 66封装
·达林顿
.Complement
键入2N6294 / 6295
应用
For
高增益放大器和媒体
高速开关应用
钉扎(参见图2 )
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形( TO- 66 )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
参数
固电
IN
导½
2N6296
2N6297
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
T
T
j
T
英镑
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
ES
CH
2N6296
2N6298
发射极开路
ND
ICO
EM
条件
OR
UCT
价值
-60
-80
-60
-80
-5
-4
-8
-80
单位
V
开基
V
V
A
A
mA
W
集电极开路
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
50
150
-65~200
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
最大
3.5
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
2N6296 2N6297
典型值。
最大
单位
2N6296
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
2N6297
I
C
= -50mA ;我
B
=0
-60
V
-80
V
CEsat-1
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -2A ,我
B
=-8mA
-2.0
V
V
CEsat-2
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -4A ,我
B
=-40mA
-3.0
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= -4A ,我
B
=-40mA
-4.0
V
V
BE
基地发射极电压上
I
C
= -2A ; V
CE
=-3V
V
CE
= RatedV
CE
;V
BE (OFF)的
=1.5V
T
C
=150℃
V
CE
= 1 / 2Rated V
首席执行官
; I
B
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
-2.8
-0.5
-5.0
V
I
CEX
集电极截止电流
I
首席执行官
I
EBO
固电
IN
集电极截止电流
导½
mA
发射极截止电流
h
FE-1
直流电流增益
h
FE-2
直流电流增益
CH
MIC
ê SE
I
C
= -2A ; V
CE
=-3V
I
C
= -4A ; V
CE
=-3V
ND
O
OR
UCT
-0.5
-2.0
18000
mA
mA
750
100
f
T
跃迁频率
I
C
= -1.5A ; V
CE
=-3V;f=1.0MHz
4.0
兆赫
C
OB
输出电容
I
E
=0 ; V
CB
=-10V;f=0.1MHz
200
pF
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2N6296 2N6297
固电
IN
导½
ES
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2N6296 2N6297
固电
IN
导½
ES
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
4
145亚当斯大街Hauppauge的,纽约州11788美国
联系电话: ( 631 ) 435-1110 传真: ( 631 ) 435-1824
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硅PNP功率晶体管
2N6296 2N6297
描述
·带
TO- 66封装
·达林顿
.Complement
键入2N6294 / 6295
应用
For
高增益放大器和媒体
高速开关应用
钉扎(参见图2 )
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形( TO- 66 )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
参数
2N6296
集电极 - 基极电压
2N6297
2N6296
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
T
T
j
T
英镑
集电极 - 发射极电压
2N6298
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
80
5
4
8
80
50
150
-65~200
V
A
A
mA
W
发射极开路
80
60
V
条件
价值
60
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
最大
3.5
单位
℃/W
JMnic
产品speci fi cation
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硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
2N6296
I
C
= 50毫安;我
B
=0
2N6297
I
C
= 2A ,我
B
=8mA
I
C
= 4A ,我
B
=40mA
I
C
= 4A ,我
B
=40mA
I
C
= 2A ; V
CE
=3V
V
CE
= RatedV
CE
;V
BE (OFF)的
=1.5V
T
C
=150℃
V
CE
= 1 / 2Rated V
首席执行官
; I
B
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 2A ; V
CE
=3V
I
C
= 4A ; V
CE
=3V
I
C
= 1.5A ; V
CE
=3V;f=1.0MHz
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=0.1MHz
条件
2N6296 2N6297
60
典型值。
最大
单位
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
V
80
2.0
3.0
4.0
2.8
0.5
5.0
0.5
2.0
750
100
4.0
200
兆赫
pF
18000
V
V
V
V
mA
mA
mA
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BESAT
V
BE
I
CEX
I
首席执行官
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
OB
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基地发射极电压上
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
JMnic
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硅PNP功率晶体管
包装外形
2N6296 2N6297
图2外形尺寸
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