【功率晶体管TO- 66案例型号NPN2N30542N3054A2N35832N35842N35852】,IC型号2N6297,2N6297 PDF资料,2N6297经销商,ic,电子元器件-51电子网

功率晶体管

TO- 66案例

型号

NPN

2N3054

2N3054A

2N3583

2N3584

2N3585

2N3738

2N3739

PNP

2N6049

2N6420

2N6421

2N6422

IC

(A)

最大

4.0

2.0

1.0

4.0

3.0

5.0

3.0

5.0

3.0

5.0

2.0

1.0

7.0

1.0

4.0

3.0

4.0

8.0

7.0

6.0

1.0

4.0

3.0

PD

(W)

25

75

35

20

25

20

35

75

35

75

35

75

35

20

25

40

35

29

50

20

50

75

90

40

20

40

29

25

BVCBO

(V)

民

90

250

375

500

250

325

60

80

100

50

40

70

60

90

80

500

350

500

40

60

80

100

275

350

400

50

90

140

60

80

60

80

60

80

90

70

50

250

325

110

130

60

160

BVCEO

(V)

民

55

175

250

300

225

300

60

80

60

80

40

60

80

300

250

350

40

60

80

100

225

300

350

40

80

120

60

80

60

80

60

80

60

40

225

300

100

120

60

120

的hFE

民

25

40

30

40

25

40

50

25

50

20

30

60

30

60

10

20

25

20

750

20

40

15

20

25

最大

150

- -

200

150

160

100

- -

150

75

150

120

240

120

240

100

150

18,000

100

200

150

120

150

@ IC VCE （ SAT ） @ IC

(A)

(V)

(A)

最大

0.5

0.1

0.25

0.5

1.5

0.1

0.05

0.5

2.0

1.0

1.5

0.5

2.0

4.0

2.5

2.0

2.5

3.0

0.1

1.5

1.0

0.5

1.0

0.5

5.0

0.75

2.5

0.6

1.0

2.0

4.0

2.0

4.0

2.0

4.0

1.0

0.9

0.75

0.6

0.7

1.4

1.6

2.0

1.5

0.5

1.2

2.0

1.0

2.5

1.2

1.0

0.5

1.0

0.25

1.0

0.5

3.0

5.0

3.0

5.0

3.0

5.0

0.75

0.05

1.0

2.0

0.125

1.5

0.5

2.0

4.0

2.0

2.5

3.0

0.25

1.5

0.5

fT

（兆赫）

民

0.8

10

3.0

10

4.0

15

20

3.0

30

20

0.8

4.0

10

5.0

0.75

0.2

2N3740

2N3740A

2N3741

2N3741A

2N3766

2N3767

2N4231

2N4231A

2N4232

2N4232A

2N4233

2N4233A

2N4240

2N4296

2N4298

2N4299

2N4910

2N4911

2N4912

2N5427

2N5428

2N5429

2N5430

2N6312

2N6313

2N6314

2N6423

2N4898

2N4899

2N4900

2N6211

2N6212

2N6213

2N6260

2N6261

2N6263

2N6294

2N6295

2N6300

2N6301

2N6315

2N6316

2N6372

2N6373

2N6374

2N6465

2N6466

40312

CM3441

2N6296

2N6297

2N6298

2N6299

2N6317

2N6318

2N5954

2N5955

2N5956

2N6424

2N6425

2N6467

2N6468

86

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

阴影部分表示达林顿。

145亚当斯大街Hauppauge的，纽约州11788美国

联系电话：（ 631 ） 435-1110 传真：（ 631 ） 435-1824

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

2N6296 2N6297

描述

·带

TO- 66封装

·达林顿

.Complement

键入2N6294 / 6295

应用

For

高增益放大器和媒体

高速开关应用

钉扎（参见图2 ）

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

Fig.1简化外形（ TO- 66 ）和符号

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

V

CBO

参数

2N6296

集电极 - 基极电压

2N6297

2N6296

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

T

j

T

英镑

集电极 - 发射极电压

2N6298

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25℃

集电极开路

开基

-80

-5

-4

-8

-80

50

150

-65~200

V

A

mA

W

℃

发射极开路

-80

-60

V

条件

价值

-60

V

单位

热特性

符号

R

第j个-C

参数

从结热阻到外壳

最大

3.5

单位

℃/W

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

条件

2N6296 2N6297

民

典型值。

最大

单位

2N6296

V

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极

击穿电压

2N6297

I

C

= -50mA ;我

B

=0

-60

V

-80

V

CEsat-1

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= -2A ，我

B

=-8mA

-2.0

V

CEsat-2

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= -4A ，我

B

=-40mA

-3.0

V

BESAT

基射极饱和电压

I

C

= -4A ，我

B

=-40mA

-4.0

V

BE

基地发射极电压上

I

C

= -2A ; V

CE

=-3V

V

CE

= RatedV

CE

;V

BE （OFF）的

=1.5V

T

C

=150℃

V

CE

= 1 / 2Rated V

首席执行官

; I

B

=0

V

EB

= -5V ;我

C

=0

-2.8

-0.5

-5.0

-0.5

V

I

CEX

集电极截止电流

mA

I

首席执行官

I

EBO

集电极截止电流

mA

发射极截止电流

-2.0

mA

h

FE-1

直流电流增益

I

C

= -2A ; V

CE

=-3V

750

18000

h

FE-2

直流电流增益

I

C

= -4A ; V

CE

=-3V

100

f

T

跃迁频率

I

C

= -1.5A ; V

CE

=-3V;f=1.0MHz

4.0

兆赫

C

OB

输出电容

I

E

=0 ; V

CB

=-10V;f=0.1MHz

200

pF

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

包装外形

2N6296 2N6297

图2外形尺寸

3

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

2N6296 2N6297

4

2N6297

尺寸以毫米（英寸）。

3.68

（ 0.145 ）弧度。

马克斯。

6.35 (0.250)

8.64 (0.340)

3.61 (0.142)

4.08(0.161)

弧度。

在双极PNP设备

密封TO66

金属包装。

11.94 (0.470)

12.70 (0.500)

24.13 (0.95)

24.63 (0.97)

1

14.48 (0.570)

14.99 (0.590)

2

0.71 (0.028)

0.86 (0.034)

双极PNP设备。

V

首席执行官

= 80V

I

C

= 4A

所有Semelab密封产品

可根据被处理

BS ， CECC和JAN的要求，

JANTX ， JANTXV和JANS规格

4.83 (0.190)

5.33 (0.210)

9.14 (0.360)

分钟。

1.27 (0.050)

1.91 (0.750)

TO66 （ TO213AA ）

引脚配置

1 - 基地

2 - 发射极

案例 - 集电极

参数

V

首席执行官

*

I

C（ CONT ）

h

FE

f

t

P

D

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

80

4

单位

V

A

-

Hz

@ 3/2 (V

CE

/ I

C

)

750

4M

18000

50

W

*最大工作电压

这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表，请联系

sales@semelab.co.uk 。

Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信

是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。

Semelab PLC 。

电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。

电子信箱：

sales@semelab.co.uk

网址：

http://www.semelab.co.uk

产生

1-Aug-02

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

2N6296 2N6297

描述

·采用TO- 66封装

·达林顿

·补键入2N6294 / 6295

应用

·对于高增益放大器和中

高速开关应用

钉扎（参见图2 ）

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

Fig.1简化外形（ TO- 66 ）和符号

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

)

符号

V

CBO

参数

集电极 - 基极电压

2N6296

2N6297

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25

2N6296

2N6298

集电极开路

开基

条件

发射极开路

价值

-60

-80

-60

-80

-5

-4

-8

-80

50

150

-65~200

V

A

mA

W

V

单位

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

T

j

T

英镑

热特性

符号

R

第j个-C

参数

从结热阻到外壳

最大

3.5

单位

/W

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

2N6296

V

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极

击穿电压

2N6297

V

CEsat-1

V

CEsat-2

V

BESAT

V

BE

I

CEX

I

首席执行官

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

f

T

C

OB

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

基地发射极电压上

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

跃迁频率

输出电容

I

C

= -2A ，我

B

=-8mA

I

C

= -4A ，我

B

=-40mA

I

C

= -4A ，我

B

=-40mA

I

C

= -2A ; V

CE

=-3V

V

CE

= RatedV

CE

;V

BE （OFF）的

=1.5V

T

C

=150

V

CE

= 1 / 2Rated V

首席执行官

; I

B

=0

V

EB

= -5V ;我

C

=0

I

C

= -2A ; V

CE

=-3V

I

C

= -4A ; V

CE

=-3V

I

C

= -1.5A ; V

CE

=-3V;f=1.0MHz

I

E

=0 ; V

CB

=-10V;f=0.1MHz

I

C

= -50mA ;我

B

=0

条件

2N6296 2N6297

符号

民

-60

典型值。

最大

单位

V

-80

-2.0

-3.0

-4.0

-2.8

-0.5

-5.0

-0.5

-2.0

750

100

4.0

200

兆赫

pF

18000

V

mA

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

包装外形

2N6296 2N6297

图2外形尺寸

3

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

2N6296 2N6297

4

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

2N6296 2N6297

描述

·带

TO- 66封装

·达林顿

.Complement

键入2N6294 / 6295

应用

For

高增益放大器和媒体

高速开关应用

钉扎（参见图2 ）

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

Fig.1简化外形（ TO- 66 ）和符号

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

V

CBO

参数

固电

IN

导½

半

2N6296

2N6297

集电极 - 基极电压

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

T

j

T

英镑

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

ES

昂

CH

2N6296

2N6298

发射极开路

ND

ICO

EM

条件

OR

UCT

价值

-60

-80

-60

-80

-5

-4

-8

-80

单位

V

开基

V

A

mA

W

℃

集电极开路

集电极电流峰值

基极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25℃

50

150

-65~200

热特性

符号

R

第j个-C

参数

从结热阻到外壳

最大

3.5

单位

℃/W

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

条件

2N6296 2N6297

民

典型值。

最大

单位

2N6296

V

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极

击穿电压

2N6297

I

C

= -50mA ;我

B

=0

-60

V

-80

V

CEsat-1

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= -2A ，我

B

=-8mA

-2.0

V

CEsat-2

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= -4A ，我

B

=-40mA

-3.0

V

BESAT

基射极饱和电压

I

C

= -4A ，我

B

=-40mA

-4.0

V

BE

基地发射极电压上

I

C

= -2A ; V

CE

=-3V

V

CE

= RatedV

CE

;V

BE （OFF）的

=1.5V

T

C

=150℃

V

CE

= 1 / 2Rated V

首席执行官

; I

B

=0

V

EB

= -5V ;我

C

=0

-2.8

-0.5

-5.0

V

I

CEX

集电极截止电流

I

首席执行官

I

EBO

固电

IN

集电极截止电流

导½

半

mA

发射极截止电流

h

FE-1

直流电流增益

h

FE-2

直流电流增益

昂

CH

MIC

ê SE

I

C

= -2A ; V

CE

=-3V

I

C

= -4A ; V

CE

=-3V

ND

O

OR

UCT

-0.5

-2.0

18000

mA

750

100

f

T

跃迁频率

I

C

= -1.5A ; V

CE

=-3V;f=1.0MHz

4.0

兆赫

C

OB

输出电容

I

E

=0 ; V

CB

=-10V;f=0.1MHz

200

pF

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

包装外形

2N6296 2N6297

固电

IN

导½

半

ES

昂

CH

ND

ICO

EM

OR

UCT

图2外形尺寸

3

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

2N6296 2N6297

固电

IN

导½

半

ES

昂

CH

ND

ICO

EM

OR

UCT

4

145亚当斯大街Hauppauge的，纽约州11788美国

联系电话：（ 631 ） 435-1110 传真：（ 631 ） 435-1824

产品speci fi cation

www.jmnic.com

硅PNP功率晶体管

2N6296 2N6297

描述

·带

TO- 66封装

·达林顿

.Complement

键入2N6294 / 6295

应用

For

高增益放大器和媒体

高速开关应用

钉扎（参见图2 ）

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

Fig.1简化外形（ TO- 66 ）和符号

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

V

CBO

参数

2N6296

集电极 - 基极电压

2N6297

2N6296

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

T

j

T

英镑

集电极 - 发射极电压

2N6298

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25℃

集电极开路

开基

80

5

4

8

80

50

150

-65~200

V

A

mA

W

℃

发射极开路

80

60

V

条件

价值

60

V

单位

热特性

符号

R

第j个-C

参数

从结热阻到外壳

最大

3.5

单位

℃/W

JMnic

产品speci fi cation

www.jmnic.com

硅PNP功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

2N6296

I

C

= 50毫安;我

B

=0

2N6297

I

C

= 2A ，我

B

=8mA

I

C

= 4A ，我

B

=40mA

I

C

= 4A ，我

B

=40mA

I

C

= 2A ; V

CE

=3V

V

CE

= RatedV

CE

;V

BE （OFF）的

=1.5V

T

C

=150℃

V

CE

= 1 / 2Rated V

首席执行官

; I

B

=0

V

EB

= 5V ;我

C

=0

I

C

= 2A ; V

CE

=3V

I

C

= 4A ; V

CE

=3V

I

C

= 1.5A ; V

CE

=3V;f=1.0MHz

I

E

=0 ; V

CB

=10V;f=0.1MHz

条件

2N6296 2N6297

民

60

典型值。

最大

单位

V

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极

击穿电压

V

80

2.0

3.0

4.0

2.8

0.5

5.0

0.5

2.0

750

100

4.0

200

兆赫

pF

18000

V

mA

V

CEsat-1

V

CEsat-2

V

BESAT

V

BE

I

CEX

I

首席执行官

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

f

T

C

OB

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

基地发射极电压上

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

跃迁频率

输出电容

JMnic

产品speci fi cation

www.jmnic.com

硅PNP功率晶体管

包装外形

2N6296 2N6297

图2外形尺寸

JMnic