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产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
描述
·带
的TO-220封装
ULOW
集电极饱和电压
ùWide
安全工作区
应用
For
中等功率开关和
放大器的应用，如：系列
和并联稳压器和驱动器和
高保真放大器输出级
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
2N6291 2N6293
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
参数
2N6291
集电极 - 基极电压
2N6293
2N6291
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
T
T
j
T
英镑
集电极 - 发射极电压
2N6293
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
70
5
7
3
40
150
-65~150
V
A
A
W
℃
℃
发射极开路
80
50
V
条件
价值
60
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
最大
3.125
单位
℃/W
JMnic
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
集电极 - 发射极
维持电压
2N6291
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
2N6293
2N6291
2N6293
I
C
=2.5A;I
B
=0.25A
条件
2N6291 2N6293
民
50
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
V
70
V
CEsat-1
集电极 - 发射极
饱和电压
1.0
I
C
=2A;I
B
=0.2A
I
C
=7A;I
B
=3A
I
C
= 2.5A ; V
CE
=4V
1.5
2N6293
I
C
= 2A ; V
CE
=4V
I
C
= 7A ; V
CE
=4V
2N6291
V
CE
= 40V ;我
B
=0
1.0
2N6293
2N6291
V
CE
= 60V ;我
B
=0
V
CE
=56V; V
BE
=-1.5V
V
CE
=50V;
BE
=-1.5V,T
C
=150℃
V
CE
=75V; V
BE
=-1.5V
V
CE
=70V;
BE
=-1.5V,T
C
=150℃
V
EB
= 5V ;我
C
=0
2N6291
I
C
= 2.5A ; V
CE
=4V
30
2N6293
I
C
= 2A ; V
CE
=4V
I
C
= 7A ; V
CE
=4V
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
I
C
= 0.5A ; V
CE
=4V;f=1MHz
10
2.3
250
150
0.1
2.0
0.1
2.0
1.0
3.0
3.5
V
V
CEsat-2
集电极 - 发射极饱和电压
2N6291
V
V
BE-1
基射极电压上
V
V
BE-2
基射极电压上
V
I
首席执行官
集电极截止电流
mA
I
CEX
集电极截止电流
2N6293
mA
I
EBO
发射极截止电流
mA
h
FE-1
直流电流增益
h
FE-2
C
OB
f
T
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
pF
兆赫
JMnic
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6291 2N6293
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
JMnic
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·采用TO- 220封装
·低集电极饱和电压
·宽安全工作区
应用
·对于中等功率开关和
放大器的应用，如：系列
和并联稳压器和驱动器和
高保真放大器输出级
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
2N6291 2N6293
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
参数
2N6291
集电极 - 基极电压
2N6293
2N6291
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
T
T
j
T
英镑
集电极 - 发射极电压
2N6293
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
集电极开路
开基
70
5
7
3
40
150
-65~150
V
A
A
W
发射极开路
80
50
V
条件
价值
60
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
最大
3.125
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极
维持电压
2N6291
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
2N6293
2N6291
2N6293
I
C
=2.5A;I
B
=0.25A
条件
符号
2N6291 2N6293
民
50
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
V
70
V
CEsat-1
集电极 - 发射极
饱和电压
1.0
I
C
=2A;I
B
=0.2A
I
C
=7A;I
B
=3A
I
C
= 2.5A ; V
CE
=4V
1.5
2N6293
I
C
= 2A ; V
CE
=4V
I
C
= 7A ; V
CE
=4V
2N6291
2N6293
2N6291
2N6293
V
CE
= 40V ;我
B
=0
1.0
V
CE
= 60V ;我
B
=0
V
CE
=56V; V
BE
=-1.5V
V
CE
=50V;
BE
=-1.5V,T
C
=150
V
CE
=75V; V
BE
=-1.5V
V
CE
=70V;
BE
=-1.5V,T
C
=150
V
EB
= 5V ;我
C
=0
2N6291
I
C
= 2.5A ; V
CE
=4V
30
2N6293
I
C
= 2A ; V
CE
=4V
I
C
= 7A ; V
CE
=4V
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
I
C
= 0.5A ; V
CE
=4V;f=1MHz
10
2.3
250
150
0.1
2.0
0.1
2.0
1.0
3.0
3.5
V
V
CEsat-2
集电极 - 发射极饱和电压
基射
ON电压
基射极电压上
集热器
截止电流
2N6291
V
V
BE-1
V
V
BE-2
V
I
首席执行官
mA
I
CEX
集热器
截止电流
发射极截止电流
mA
I
EBO
mA
h
FE-1
直流电流增益
h
FE-2
C
OB
f
T
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
pF
兆赫
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6291 2N6293
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
博卡半导体公司
BSC
http://www.bocasemi.com
http://www.bocasemi.com
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
的TO-220封装
ULOW
集电极饱和电压
ùWide
安全工作区
应用
For
中等功率开关和
放大器的应用，如：系列
和并联稳压器和驱动器和
高保真放大器输出级
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
2N6291 2N6293
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
参数
固电
导½
半
V
CBO
V
首席执行官
的HAn
INC。
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
集电极 - 基极电压
ES
G
2N6291
2N6293
2N6291
2N6293
发射极开路
MIC
E
条件
ND
O
OR
UCT
价值
60
80
50
70
单位
V
开基
V
V
EBO
I
C
I
B
P
T
T
j
T
英镑
集电极开路
5
7
3
V
A
A
W
℃
℃
T
C
=25℃
40
150
-65~150
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
最大
3.125
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
集电极 - 发射极
维持电压
2N6291
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
2N6293
2N6291
2N6293
I
C
=2.5A;I
B
=0.25A
条件
2N6291 2N6293
民
50
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
V
70
V
CEsat-1
集电极 - 发射极
饱和电压
1.0
I
C
=2A;I
B
=0.2A
I
C
=7A;I
B
=3A
I
C
= 2.5A ; V
CE
=4V
1.5
2N6293
I
C
= 2A ; V
CE
=4V
I
C
= 7A ; V
CE
=4V
2N6291
2N6293
V
CE
= 40V ;我
B
=0
1.0
V
CE
= 60V ;我
B
=0
V
CE
=56V; V
BE
=-1.5V
V
CE
=50V;
BE
=-1.5V,T
C
=150℃
V
CE
=75V; V
BE
=-1.5V
V
CE
=70V;
BE
=-1.5V,T
C
=150℃
V
EB
= 5V ;我
C
=0
3.0
3.5
V
V
CEsat-2
集电极 - 发射极饱和电压
基射
ON电压
基射极电压上
集热器
截止电流
2N6291
V
V
BE-1
V
V
BE-2
V
I
首席执行官
I
CEX
固电
IN
集热器
截止电流
导½
半
mA
2N6291
2N6293
I
EBO
发射极截止电流
h
FE-1
直流电流增益
ES
昂
CH
2N6291
2N6293
I
C
= 2.5A ; V
CE
=4V
ND
ICO
EM
OR
UCT
0.1
2.0
0.1
2.0
1.0
150
mA
mA
30
I
C
= 2A ; V
CE
=4V
I
C
= 7A ; V
CE
=4V
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
2.3
250
10
pF
兆赫
h
FE-2
C
OB
f
T
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
I
C
= 0.5A ; V
CE
=4V;f=1MHz
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6291 2N6293
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
ND
ICO
EM
OR
UCT
3
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27LC128-15L
2SD1288
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2-1546931-8
296UB252A2C
253C104C50NB
24PCCFA6D
243101
25LC512T-I/SN
212X1002N324FA
268.8
292156-6
供货商
型号
厂家
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封装
单价/备注
操作
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
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    2N6291
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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联系人：朱先生
地址：广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
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