【INCHANGE半导体产品speci fi cation硅NPN功率晶体管2N6288 2N6290】,IC型号2N6288,2N6288 PDF资料,2N6288经销商,ic,电子元器件-51电子网

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2N6288 2N6290 2N6292

描述

·带

的TO-220封装

.Complement

以PNP型：

2N6107; 2N6109 ;2N6111

应用

“权力

放大器和开关

电路中的应用

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器;连接到

安装底座

辐射源

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

V

CBO

固电

IN

导½

半

参数

条件

2N6288

2N6290

集电极 - 基极电压

发射极开路

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

ES

昂

CH

2N6292

2N6288

2N6290

2N6292

ND

ICO

EM

OR

UCT

价值

40

60

80

30

50

70

5

7

10

3

单位

V

开基

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

T

j

T

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

总功耗

结温

储存温度

集电极开路

V

A

W

℃

T

C

=25℃

40

150

-65~150

热特性

符号

R

第j个-C

参数

从结热阻到外壳

最大

3.125

单位

℃/W

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

2N6288

V

CEO （ SUS ）

集电极 - 发射极

维持电压

2N6290

2N6292

2N6288

V

CEsat-1

集电极 - 发射极

饱和电压

2N6290

2N6292

V

CEsat-2

集电极 - 发射极饱和电压

2N6288

V

BE-1

基射极电压上

I

C

=3A;I

B

=0.3A

I

C

=2.5A;I

B

=0.25A

I

C

=2A;I

B

=0.2A

I

C

=7A;I

B

=3A

I

C

= 3A ; V

CE

=4V

I

C

= 2.5A ; V

CE

=4V

I

C

= 2A ; V

CE

=4V

I

C

= 7A ; V

CE

=4V

V

CE

= 20V ;我

B

=0

V

CE

= 40V ;我

B

=0

I

C

= 0.1A ;我

B

=0

2N6288 2N6290 2N6292

条件

民

30

50

70

典型值。

最大

单位

V

1.0

V

3.5

V

BE-2

固电

IN

基射极电压上

导½

半

2N6290

1.5

V

2N6292

I

首席执行官

集电极截止电流

ES

昂

CH

2N6288

2N6290

2N6292

2N6288

2N6290

2N6292

ND

ICO

EM

OR

UCT

3.0

1.0

0.1

2.0

0.1

2.0

0.1

2.0

1.0

V

mA

V

CE

= 60V ;我

B

=0

V

CE

=40V; V

BE

=-1.5V

V

CE

=30V;

BE

=-1.5V,T

C

=125℃

V

CE

=60V; V

BE

=-1.5V

V

CE

=50V;

BE

=-1.5V,T

C

=125℃

V

CE

=80V; V

BE

=-1.5V

V

CE

=70V;

BE

=-1.5V,T

C

=125℃

V

EB

= 5V ;我

C

=0

I

CEX

集电极截止电流

mA

I

EBO

发射极截止电流

2N6288

mA

I

C

= 3A ; V

CE

=4V

I

C

= 2.5A ; V

CE

=4V

I

C

= 2A ; V

CE

=4V

I

C

= 7A ; V

CE

=4V

I

C

= 0.5A ; V

CE

=4V;f=1MHz

2.3

2.5

兆赫

30

150

h

FE-1

直流电流增益

2N6290

2N6292

h

FE-2

f

T

直流电流增益

跃迁频率

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2N6288 2N6290 2N6292

固电

IN

导½

半

ES

昂

CH

图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）

ND

ICO

EM

OR

UCT

3

标准

可选

功率晶体管

TO- 220 CASE

TO-220

型号

IC

(A)

最大

4.0

7.0

2N6040

2N6041

2N6042

10

16

2N6124

2N6125

2N6126

2N6132

2N6133

2N6134

2N6111

2N6109

2N6107

2N6666

2N6667

2N6668

2N6475

2N6476

2N6489

2N6490

2N6491

4.0

7.0

8.0

10

4.0

15

PD

(W)

36

50

75

40

50

40

65

40

75

BVCBO BVCEO

(V)

民

80

60

80

60

75

60

90

60

80

100

70

80

45

60

80

40

60

80

40

60

80

40

60

80

110

130

50

70

90

(V)

民

70

40

60

40

55

40

70

60

80

100

60

70

40

45

60

80

40

60

80

30

50

70

40

60

80

100

120

40

60

80

民

30

20

1,000

20

15

25

20

30

1,000

15

20

的hFE

最大

120

80

100

20,000

80

100

80

100

150

20,000

150

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

3.0

4.0

5.0

8.0

1.5

2.5

2.0

2.5

3.0

5.0

1.5

5.0

TO- 220FP全白

fT

（兆赫）

民

0.8

4.0

5.0

2.5

4.0

20

4.0

5.0

@ IC VCE （ SAT ） @ IC

(A)

(V)

最大

1.0

2.0

2.5

0.6

1.4

1.8

3.5

2.0

1.2

1.3

(A)

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

35

4.0

3.0

10

16

1.5

7.0

3.0

5.0

1.5

5.0

NPN

2N5294

2N5296

2N5298

2N5490

2N5492

2N5494

2N5496

2N6043

2N6044

2N6045

2N6099

2N6101

2N6103

2N6121

2N6122

2N6123

2N6129

2N6130

2N6131

2N6288

2N6290

2N6292

2N6386

2N6387

2N6388

2N6473

2N6474

2N6486

2N6487

2N6488

PNP

92

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

阴影部分表示达林顿。

可在TO- 220FP全乐要求。

安森美半导体

)

PNP

互补硅塑料

功率晶体管

。。。设计用于一般用途的放大器的使用和开关

应用程序。

2N6107

2N6109 *

2N6111

2N6288

NPN

直流电流增益指定为7.0安培

的hFE = 30-150 @ IC

= 3.0 ADC - 2N6111 ， 2N6288

= 2.3 （最小） @ IC = 7.0 ADC - 所有设备

集电极 - 发射极耐受电压 -

VCEO （SUS ）= 30伏直流（最小值） - 2N6111 ， 2N6288

= 50伏直流（最小值） - 2N6109

= 70伏直流（最小值） - 2N6107 ， 2N6292

高电流增益 - 带宽积

FT = 4.0兆赫（最小值） @ IC = 500 MADC - 2N6288 ， 90 ， 92

= 10兆赫（最小值） @ IC = 500 MADC - 2N6107 ， 09 ， 11

TO- 220AB封装紧凑

2N6292*

·安森美半导体首选设备

7安培

功率晶体管

补充

硅

30-50-70伏

40瓦

*最大额定值

等级

符号

VCEO

VCB

VEB

IC

IB

PD

2N6111

2N6288

30

40

2N6109

50

60

2N6107

2N6292

70

80

单位

VDC

ADC

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

5.0

7.0

10

3.0

连续集电极电流 -

PEAK

基极电流

总功率耗散@ TC = 25°C

减免上述25℃

工作和存储结

温度范围

40

0.32

瓦

W / ℃，

_C

TJ ， TSTG

-65到+150

4

1

2

风格1 ：

PIN 1 。

2.

3.

4.

BASE

集热器

辐射源

集热器

3

CASE 221A -09

TO–220AB

热特性

特征

符号

R

θJC

最大

单位

热阻，结到外壳

*表示JEDEC注册的数据。

3.125

° C / W

首选

设备是安森美半导体建议以供将来使用和最佳的整体价值选择。

半导体元件工业有限责任公司， 2002年

1

2002年4月 - 修订版5

出版订单号：

2N6107/D

2N6107 2N6109 2N6111 2N6288 2N6292

40

PD ，功耗（瓦）

30

20

10

0

20

40

60

80

100

120

TC ，外壳温度（ ° C）

140

160

图1.功率降额

http://onsemi.com

2

小信号电流增益（ IC = 0.5 ADC ， VCE = 4.0伏， F = 50千赫）

*表示JEDEC注册的数据。

（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度

v

300

s,

占空比

v

2.0%.

（2）的fT = | HFE |

FTEST 。

*电气特性

（ TC = 25° C除非另有说明）

动态特性

基本特征（ 1 ）

开关特性

输出电容（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）

电流增益 - 带宽积（ 2 ）

（ IC = 500 MADC ， VCE = 4.0伏， FTEST = 1.0兆赫）

基射极电压ON

（ IC = 7.0 ADC ， VCE = 4.0 V直流）

集电极 - 发射极饱和电压

（ IC = 7.0 ADC ， IB = 3.0 ADC ）

直流电流增益

（ IC = 2.0 ADC ， VCE = 4.0 V直流）

（ IC = 2.5 ADC ， VCE = 4.0 V直流）

（ IC = 3.0 ADC ， VCE = 4.0 V直流）

（ IC = 7.0 ADC ， VCE = 4.0 V直流）

发射Cuto FF电流

（ VBE = 5.0伏， IC = 0 ）

收藏家Cuto FF电流

（ VCE = 40 VDC ， VEB （关闭） = 1.5伏）

（ VCE = 60 VDC ， VEB （关闭） = 1.5伏）

（ VCE = 80伏直流电， VEB （关闭） = 1.5伏）

（ VCE = 30 V直流， VEB （关闭） = 1.5伏， TC = 150_C ）

（ VCE = 50伏直流电， VEB （关闭） = 1.5伏， TC = 150_C ）

（ VCE = 70伏直流电， VEB （关闭） = 1.5伏， TC = 150_C ）

收藏家Cuto FF电流

（ VCE = 20伏直流电， IB = 0 ）

（ VCE = 40 VDC ， IB = 0 ）

（ VCE = 60 VDC ， IB = 0 ）

集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）

（ IC = 100 MADC ， IB = 0 ）

特征

2N6107 2N6109 2N6111 2N6288 2N6292

http://onsemi.com

2N6107, 2N6292

2N6109

2N6111, 2N6288

所有器件

2N6111, 2N6288

2N6109

2N6107, 2N6292

2N6111, 2N6288

2N6109

2N6107, 2N6292

2N6288, 92

2N6107, 09, 11

2N6111, 2N6288

2N6109

2N6107, 2N6292

2N6111, 2N6288

2N6109

2N6107, 2N6292

VCEO （ SUS）

VCE （ SAT ）

VBE （ON）的

符号

ICEO

IEBO

ICEX

COB

的hFE

fT

民

4.0

10

30

2.3

20

30

50

70

—

最大

250

150

—

100

2.0

3.0

3.5

1.0

—

MADC

μAdc

兆赫

单位

VDC

pF

—

3

2N6107 2N6109 2N6111 2N6288 2N6292

VCC

+30 V

25

s

+11 V

0

-9.0 V

TR ， TF

≤

10纳秒

占空比= 1.0 ％

-4 V

RB

51

D1

RC

范围

T， TIME （

s)

2.0

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.07

0.05

0.03

0.02

0.07 0.1

TJ = 25°C

VCC = 30 V

IC / IB = 10

tr

TD @ VBE （关闭）

≈

5.0 V

RB和RC是变化的，以获得期望的电流水平

D1必须快速恢复型，如：

1N5825上面使用IB

≈

百毫安

MSD6100下使用IB

≈

百毫安

0.2 0.3

0.5

2.0

1.0

IC ，集电极电流（ AMP ）

3.0

5.0 7.0

图2.开关时间测试电路

图3.开启时间

R（T ），瞬态热阻（标准化）

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.07

0.05

0.03

0.02

0.01

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

1.0

Z

θJC （T ）

= R（T ）R

θJC

R

θJC

= 3.125 ° C / W MAX

D曲线任选一功率

脉冲序列如图

读取时间在T1

TJ （ PK） - TC = P （ PK ）z

θJC

(t)

2.0

5.0

吨，时间（ ms）的

10

20

50

P（ PK）

t2

占空比D = T1 / T2

100

200

500

1.0 k

t1

图4.热响应

IC ，集电极电流（ AMPS ）

15

10

0.5毫秒

dc

0.1毫秒

7.0

5.0

3.0

2.0

0.1

ms

电流限制

次

击穿极限

热限制

@ TC = 25°C （单脉冲）

2.0 3.0

20 30

50

5.0 7.0 10

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

1.0

0.7

0.5

5.0毫秒

0.3

0.2

0.15

1.0

70 100

有对的功率处理能力两方面的局限性

晶体管：平均结温及第二

击穿。安全工作区曲线表明IC - VCE

晶体管必须可靠地观察到极限

操作;即，晶体管不能承受较大的

功耗比曲线表示。

图5的数据是基于TJ （ pk）的= 150_C ; TC是

可变根据条件。其次，脉细数

限制是有效的占空比为10％的规定TJ （ PK）

v

150_C 。 TJ （ pk）的可从数据计算

图4.在高温情况下，热限制将

减少可处理到的值小于所述的功率

通过限制二次击穿的罚款。

图5.活动区安全工作区

http://onsemi.com

4

2N6107 2N6109 2N6111 2N6288 2N6292

5.0

3.0

2.0

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.07

0.05

0.07 0.1

ts

TJ = 25°C

VCC = 30 V

IC / IB = 10

IB1 = IB2

300

200

C，电容（pF ）

兴业银行

100

70

50

30

0.5

COB

TJ = 25°C

T， TIME （

s)

tr

0.2

1.0

0.3

0.5

2.0 3.0

IC ，集电极电流（ AMP ）

5.0 7.0

1.0

10

20

2.0 3.0

5.0

VR ，反向电压（伏）

30

50

图6.开启，关闭时间

图7.电容

http://onsemi.com

5

博卡半导体公司

BSC

http://www.bocasemi.com

http://www.bocasemi.com

A

A

A

A

安森美半导体

)

PNP

互补硅塑料

功率晶体管

。。。设计用于一般用途的放大器的使用和开关

应用程序。

2N6107

2N6109 *

2N6111

2N6288

NPN

直流电流增益指定为7.0安培

的hFE = 30-150 @ IC

= 3.0 ADC - 2N6111 ， 2N6288

= 2.3 （最小） @ IC = 7.0 ADC - 所有设备

集电极 - 发射极耐受电压 -

VCEO （SUS ）= 30伏直流（最小值） - 2N6111 ， 2N6288

= 50伏直流（最小值） - 2N6109

= 70伏直流（最小值） - 2N6107 ， 2N6292

高电流增益 - 带宽积

FT = 4.0兆赫（最小值） @ IC = 500 MADC - 2N6288 ， 90 ， 92

= 10兆赫（最小值） @ IC = 500 MADC - 2N6107 ， 09 ， 11

TO- 220AB封装紧凑

2N6292*

·安森美半导体首选设备

7安培

功率晶体管

补充

硅

30-50-70伏

40瓦

*最大额定值

等级

符号

VCEO

VCB

VEB

IC

IB

PD

2N6111

2N6288

30

40

2N6109

50

60

2N6107

2N6292

70

80

单位

VDC

ADC

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

5.0

7.0

10

3.0

连续集电极电流 -

PEAK

基极电流

总功率耗散@ TC = 25°C

减免上述25℃

工作和存储结

温度范围

40

0.32

瓦

W / ℃，

_C

TJ ， TSTG

-65到+150

4

1

2

风格1 ：

PIN 1 。

2.

3.

4.

BASE

集热器

辐射源

集热器

3

CASE 221A -09

TO–220AB

热特性

特征

符号

R

θJC

最大

单位

热阻，结到外壳

*表示JEDEC注册的数据。

3.125

° C / W

首选

设备是安森美半导体建议以供将来使用和最佳的整体价值选择。

半导体元件工业有限责任公司， 2002年

1

2002年4月 - 修订版5

出版订单号：

2N6107/D

2N6107 2N6109 2N6111 2N6288 2N6292

40

PD ，功耗（瓦）

30

20

10

0

20

40

60

80

100

120

TC ，外壳温度（ ° C）

140

160

图1.功率降额

http://onsemi.com

2

小信号电流增益（ IC = 0.5 ADC ， VCE = 4.0伏， F = 50千赫）

*表示JEDEC注册的数据。

（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度

v

300

s,

占空比

v

2.0%.

（2）的fT = | HFE |

FTEST 。

*电气特性

（ TC = 25° C除非另有说明）

动态特性

基本特征（ 1 ）

开关特性

输出电容（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）

电流增益 - 带宽积（ 2 ）

（ IC = 500 MADC ， VCE = 4.0伏， FTEST = 1.0兆赫）

基射极电压ON

（ IC = 7.0 ADC ， VCE = 4.0 V直流）

集电极 - 发射极饱和电压

（ IC = 7.0 ADC ， IB = 3.0 ADC ）

直流电流增益

（ IC = 2.0 ADC ， VCE = 4.0 V直流）

（ IC = 2.5 ADC ， VCE = 4.0 V直流）

（ IC = 3.0 ADC ， VCE = 4.0 V直流）

（ IC = 7.0 ADC ， VCE = 4.0 V直流）

发射Cuto FF电流

（ VBE = 5.0伏， IC = 0 ）

收藏家Cuto FF电流

（ VCE = 40 VDC ， VEB （关闭） = 1.5伏）

（ VCE = 60 VDC ， VEB （关闭） = 1.5伏）

（ VCE = 80伏直流电， VEB （关闭） = 1.5伏）

（ VCE = 30 V直流， VEB （关闭） = 1.5伏， TC = 150_C ）

（ VCE = 50伏直流电， VEB （关闭） = 1.5伏， TC = 150_C ）

（ VCE = 70伏直流电， VEB （关闭） = 1.5伏， TC = 150_C ）

收藏家Cuto FF电流

（ VCE = 20伏直流电， IB = 0 ）

（ VCE = 40 VDC ， IB = 0 ）

（ VCE = 60 VDC ， IB = 0 ）

集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）

（ IC = 100 MADC ， IB = 0 ）

特征

2N6107 2N6109 2N6111 2N6288 2N6292

http://onsemi.com

2N6107, 2N6292

2N6109

2N6111, 2N6288

所有器件

2N6111, 2N6288

2N6109

2N6107, 2N6292

2N6111, 2N6288

2N6109

2N6107, 2N6292

2N6288, 92

2N6107, 09, 11

2N6111, 2N6288

2N6109

2N6107, 2N6292

2N6111, 2N6288

2N6109

2N6107, 2N6292

VCEO （ SUS）

VCE （ SAT ）

VBE （ON）的

符号

ICEO

IEBO

ICEX

COB

的hFE

fT

民

4.0

10

30

2.3

20

30

50

70

—

最大

250

150

—

100

2.0

3.0

3.5

1.0

—

MADC

μAdc

兆赫

单位

VDC

pF

—

3

2N6107 2N6109 2N6111 2N6288 2N6292

VCC

+30 V

25

s

+11 V

0

-9.0 V

TR ， TF

≤

10纳秒

占空比= 1.0 ％

-4 V

RB

51

D1

RC

范围

T， TIME （

s)

2.0

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.07

0.05

0.03

0.02

0.07 0.1

TJ = 25°C

VCC = 30 V

IC / IB = 10

tr

TD @ VBE （关闭）

≈

5.0 V

RB和RC是变化的，以获得期望的电流水平

D1必须快速恢复型，如：

1N5825上面使用IB

≈

百毫安

MSD6100下使用IB

≈

百毫安

0.2 0.3

0.5

2.0

1.0

IC ，集电极电流（ AMP ）

3.0

5.0 7.0

图2.开关时间测试电路

图3.开启时间

R（T ），瞬态热阻（标准化）

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.07

0.05

0.03

0.02

0.01

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

1.0

Z

θJC （T ）

= R（T ）R

θJC

R

θJC

= 3.125 ° C / W MAX

D曲线任选一功率

脉冲序列如图

读取时间在T1

TJ （ PK） - TC = P （ PK ）z

θJC

(t)

2.0

5.0

吨，时间（ ms）的

10

20

50

P（ PK）

t2

占空比D = T1 / T2

100

200

500

1.0 k

t1

图4.热响应

IC ，集电极电流（ AMPS ）

15

10

0.5毫秒

dc

0.1毫秒

7.0

5.0

3.0

2.0

0.1

ms

电流限制

次

击穿极限

热限制

@ TC = 25°C （单脉冲）

2.0 3.0

20 30

50

5.0 7.0 10

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

1.0

0.7

0.5

5.0毫秒

0.3

0.2

0.15

1.0

70 100

有对的功率处理能力两方面的局限性

晶体管：平均结温及第二

击穿。安全工作区曲线表明IC - VCE

晶体管必须可靠地观察到极限

操作;即，晶体管不能承受较大的

功耗比曲线表示。

图5的数据是基于TJ （ pk）的= 150_C ; TC是

可变根据条件。其次，脉细数

限制是有效的占空比为10％的规定TJ （ PK）

v

150_C 。 TJ （ pk）的可从数据计算

图4.在高温情况下，热限制将

减少可处理到的值小于所述的功率

通过限制二次击穿的罚款。

图5.活动区安全工作区

http://onsemi.com

4

2N6107 2N6109 2N6111 2N6288 2N6292

5.0

3.0

2.0

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.07

0.05

0.07 0.1

ts

TJ = 25°C

VCC = 30 V

IC / IB = 10

IB1 = IB2

300

200

C，电容（pF ）

兴业银行

100

70

50

30

0.5

COB

TJ = 25°C

T， TIME （

s)

tr

0.2

1.0

0.3

0.5

2.0 3.0

IC ，集电极电流（ AMP ）

5.0 7.0

1.0

10

20

2.0 3.0

5.0

VR ，反向电压（伏）

30

50

图6.开启，关闭时间

图7.电容

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5

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2N6288 2N6290 2N6292

描述

·带

的TO-220封装

.Complement

以PNP型：

2N6107; 2N6109 ;2N6111

应用

“权力

放大器和开关

电路中的应用

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器;连接到

安装底座

辐射源

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

参数

2N6288

V

CBO

集电极 - 基极电压

2N6290

2N6292

2N6288

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

2N6290

2N6292

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

T

j

T

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25℃

集电极开路

开基

发射极开路

条件

价值

40

60

80

30

50

70

5

7

10

3

40

150

-65~150

V

A

W

℃

V

单位

热特性

符号

R

第j个-C

参数

从结热阻到外壳

最大

3.125

单位

℃/W

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

2N6288

V

CEO （ SUS ）

集电极 - 发射极

维持电压

2N6290

2N6292

2N6288

V

CEsat-1

集电极 - 发射极

饱和电压

2N6290

2N6292

V

CEsat-2

集电极 - 发射极饱和电压

2N6288

V

BE-1

基射极电压上

2N6290

2N6292

V

BE-2

基射极电压上

2N6288

I

首席执行官

集电极截止电流

2N6290

2N6292

2N6288

I

CEX

集电极截止电流

2N6290

2N6292

I

EBO

发射极截止电流

2N6288

h

FE-1

直流电流增益

2N6290

2N6292

h

FE-2

f

T

直流电流增益

跃迁频率

I

C

=3A;I

B

=0.3A

I

C

=2.5A;I

B

=0.25A

I

C

=2A;I

B

=0.2A

I

C

=7A;I

B

=3A

I

C

= 3A ; V

CE

=4V

I

C

= 2.5A ; V

CE

=4V

I

C

= 2A ; V

CE

=4V

I

C

= 7A ; V

CE

=4V

V

CE

= 20V ;我

B

=0

V

CE

= 40V ;我

B

=0

V

CE

= 60V ;我

B

=0

I

C

= 0.1A ;我

B

=0

2N6288 2N6290 2N6292

条件

民

30

50

70

典型值。

最大

单位

V

1.0

V

3.5

V

1.5

V

3.0

V

1.0

mA

V

CE

=40V; V

BE

=-1.5V

V

CE

=30V;

BE

=-1.5V,T

C

=125℃

V

CE

=60V; V

BE

=-1.5V

V

CE

=50V;

BE

=-1.5V,T

C

=125℃

V

CE

=80V; V

BE

=-1.5V

V

CE

=70V;

BE

=-1.5V,T

C

=125℃

V

EB

= 5V ;我

C

=0

I

C

= 3A ; V

CE

=4V

I

C

= 2.5A ; V

CE

=4V

I

C

= 2A ; V

CE

=4V

I

C

= 7A ; V

CE

=4V

I

C

= 0.5A ; V

CE

=4V;f=1MHz

2.3

2.5

30

0.1

2.0

0.1

2.0

0.1

2.0

1.0

mA

150

兆赫

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2N6288 2N6290 2N6292

图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）

3

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2N6288 2N6290 2N6292

描述

·采用TO- 220封装

·补到PNP型：

2N6107; 2N6109 ;2N6111

应用

·功率放大器和开关

电路中的应用

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器;连接到

安装底座

辐射源

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

)

符号

参数

2N6288

V

CBO

集电极 - 基极电压

2N6290

2N6292

2N6288

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

2N6290

2N6292

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

T

j

T

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25

集电极开路

开基

发射极开路

条件

价值

40

60

80

30

50

70

5

7

10

3

40

150

-65~150

V

A

W

V

单位

热特性

符号

R

第j个-C

参数

从结热阻到外壳

最大

3.125

单位

/W

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

2N6288

V

CEO （ SUS ）

集电极 - 发射极

维持电压

2N6290

2N6292

2N6288

V

CEsat-1

集电极 - 发射极

饱和电压

2N6290

2N6292

V

CEsat-2

集电极 - 发射极饱和电压

2N6288

V

BE-1

基射极电压上

2N6290

2N6292

V

BE-2

基射极电压上

2N6288

I

首席执行官

集电极截止电流

2N6290

2N6292

2N6288

I

CEX

集电极截止电流

2N6290

2N6292

I

EBO

发射极截止电流

2N6288

h

FE-1

直流电流增益

2N6290

2N6292

h

FE-2

f

T

直流电流增益

跃迁频率

I

C

=3A;I

B

=0.3A

I

C

= 0.1A ;我

B

=0

符号

2N6288 2N6290 2N6292

条件

民

30

50

70

典型值。

最大

单位

V

I

C

=2.5A;I

B

=0.25A

I

C

=2A;I

B

=0.2A

I

C

=7A;I

B

=3A

I

C

= 3A ; V

CE

=4V

I

C

= 2.5A ; V

CE

=4V

I

C

= 2A ; V

CE

=4V

I

C

= 7A ; V

CE

=4V

V

CE

= 20V ;我

B

=0

V

CE

= 40V ;我

B

=0

V

CE

= 60V ;我

B

=0

V

CE

=40V; V

BE

=-1.5V

V

CE

=30V;

BE

=-1.5V,T

C

=125

V

CE

=60V; V

BE

=-1.5V

V

CE

=50V;

BE

=-1.5V,T

C

=125

V

CE

=80V; V

BE

=-1.5V

V

CE

=70V;

BE

=-1.5V,T

C

=125

V

EB

= 5V ;我

C

=0

I

C

= 3A ; V

CE

=4V

I

C

= 2.5A ; V

CE

=4V

I

C

= 2A ; V

CE

=4V

I

C

= 7A ; V

CE

=4V

I

C

= 0.5A ; V

CE

=4V;f=1MHz

2.3

2.5

30

1.0

V

3.5

V

1.5

V

3.0

V

1.0

mA

0.1

2.0

0.1

2.0

0.1

2.0

1.0

mA

150

兆赫

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2N6288 2N6290 2N6292

图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）

3

标准

可选

功率晶体管

TO- 220 CASE

TO-220

型号

IC

(A)

最大

4.0

7.0

2N6040

2N6041

2N6042

10

16

2N6124

2N6125

2N6126

2N6132

2N6133

2N6134

2N6111

2N6109

2N6107

2N6666

2N6667

2N6668

2N6475

2N6476

2N6489

2N6490

2N6491

4.0

7.0

8.0

10

4.0

15

PD

(W)

36

50

75

40

50

40

65

40

75

BVCBO BVCEO

(V)

民

80

60

80

60

75

60

90

60

80

100

70

80

45

60

80

40

60

80

40

60

80

40

60

80

110

130

50

70

90

(V)

民

70

40

60

40

55

40

70

60

80

100

60

70

40

45

60

80

40

60

80

30

50

70

40

60

80

100

120

40

60

80

民

30

20

1,000

20

15

25

20

30

1,000

15

20

的hFE

最大

120

80

100

20,000

80

100

80

100

150

20,000

150

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

3.0

4.0

5.0

8.0

1.5

2.5

2.0

2.5

3.0

5.0

1.5

5.0

TO- 220FP全白

fT

（兆赫）

民

0.8

4.0

5.0

2.5

4.0

20

4.0

5.0

@ IC VCE （ SAT ） @ IC

(A)

(V)

最大

1.0

2.0

2.5

0.6

1.4

1.8

3.5

2.0

1.2

1.3

(A)

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

35

4.0

3.0

10

16

1.5

7.0

3.0

5.0

1.5

5.0

NPN

2N5294

2N5296

2N5298

2N5490

2N5492

2N5494

2N5496

2N6043

2N6044

2N6045

2N6099

2N6101

2N6103

2N6121

2N6122

2N6123

2N6129

2N6130

2N6131

2N6288

2N6290

2N6292

2N6386

2N6387

2N6388

2N6473

2N6474

2N6486

2N6487

2N6488

PNP

92

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

阴影部分表示达林顿。

可在TO- 220FP全乐要求。

安森美半导体

)

PNP

互补硅塑料

功率晶体管

。。。设计用于一般用途的放大器的使用和开关

应用程序。

2N6107

2N6109 *

2N6111

2N6288

NPN

直流电流增益指定为7.0安培

的hFE = 30-150 @ IC

= 3.0 ADC - 2N6111 ， 2N6288

= 2.3 （最小） @ IC = 7.0 ADC - 所有设备

集电极 - 发射极耐受电压 -

VCEO （SUS ）= 30伏直流（最小值） - 2N6111 ， 2N6288

= 50伏直流（最小值） - 2N6109

= 70伏直流（最小值） - 2N6107 ， 2N6292

高电流增益 - 带宽积

FT = 4.0兆赫（最小值） @ IC = 500 MADC - 2N6288 ， 90 ， 92

= 10兆赫（最小值） @ IC = 500 MADC - 2N6107 ， 09 ， 11

TO- 220AB封装紧凑

2N6292*

·安森美半导体首选设备

7安培

功率晶体管

补充

硅

30-50-70伏

40瓦

*最大额定值

等级

符号

VCEO

VCB

VEB

IC

IB

PD

2N6111

2N6288

30

40

2N6109

50

60

2N6107

2N6292

70

80

单位

VDC

ADC

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

5.0

7.0

10

3.0

连续集电极电流 -

PEAK

基极电流

总功率耗散@ TC = 25°C

减免上述25℃

工作和存储结

温度范围

40

0.32

瓦

W / ℃，

_C

TJ ， TSTG

-65到+150

4

1

2

风格1 ：

PIN 1 。

2.

3.

4.

BASE

集热器

辐射源

集热器

3

CASE 221A -09

TO–220AB

热特性

特征

符号

R

θJC

最大

单位

热阻，结到外壳

*表示JEDEC注册的数据。

3.125

° C / W

首选

设备是安森美半导体建议以供将来使用和最佳的整体价值选择。

半导体元件工业有限责任公司， 2002年

1

2002年4月 - 修订版5

出版订单号：

2N6107/D

2N6107 2N6109 2N6111 2N6288 2N6292

40

PD ，功耗（瓦）

30

20

10

0

20

40

60

80

100

120

TC ，外壳温度（ ° C）

140

160

图1.功率降额

http://onsemi.com

2

小信号电流增益（ IC = 0.5 ADC ， VCE = 4.0伏， F = 50千赫）

*表示JEDEC注册的数据。

（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度

v

300

s,

占空比

v

2.0%.

（2）的fT = | HFE |

FTEST 。

*电气特性

（ TC = 25° C除非另有说明）

动态特性

基本特征（ 1 ）

开关特性

输出电容（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）

电流增益 - 带宽积（ 2 ）

（ IC = 500 MADC ， VCE = 4.0伏， FTEST = 1.0兆赫）

基射极电压ON

（ IC = 7.0 ADC ， VCE = 4.0 V直流）

集电极 - 发射极饱和电压

（ IC = 7.0 ADC ， IB = 3.0 ADC ）

直流电流增益

（ IC = 2.0 ADC ， VCE = 4.0 V直流）

（ IC = 2.5 ADC ， VCE = 4.0 V直流）

（ IC = 3.0 ADC ， VCE = 4.0 V直流）

（ IC = 7.0 ADC ， VCE = 4.0 V直流）

发射Cuto FF电流

（ VBE = 5.0伏， IC = 0 ）

收藏家Cuto FF电流

（ VCE = 40 VDC ， VEB （关闭） = 1.5伏）

（ VCE = 60 VDC ， VEB （关闭） = 1.5伏）

（ VCE = 80伏直流电， VEB （关闭） = 1.5伏）

（ VCE = 30 V直流， VEB （关闭） = 1.5伏， TC = 150_C ）

（ VCE = 50伏直流电， VEB （关闭） = 1.5伏， TC = 150_C ）

（ VCE = 70伏直流电， VEB （关闭） = 1.5伏， TC = 150_C ）

收藏家Cuto FF电流

（ VCE = 20伏直流电， IB = 0 ）

（ VCE = 40 VDC ， IB = 0 ）

（ VCE = 60 VDC ， IB = 0 ）

集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）

（ IC = 100 MADC ， IB = 0 ）

特征

2N6107 2N6109 2N6111 2N6288 2N6292

http://onsemi.com

2N6107, 2N6292

2N6109

2N6111, 2N6288

所有器件

2N6111, 2N6288

2N6109

2N6107, 2N6292

2N6111, 2N6288

2N6109

2N6107, 2N6292

2N6288, 92

2N6107, 09, 11

2N6111, 2N6288

2N6109

2N6107, 2N6292

2N6111, 2N6288

2N6109

2N6107, 2N6292

VCEO （ SUS）

VCE （ SAT ）

VBE （ON）的

符号

ICEO

IEBO

ICEX

COB

的hFE

fT

民

4.0

10

30

2.3

20

30

50

70

—

最大

250

150

—

100

2.0

3.0

3.5

1.0

—

MADC

μAdc

兆赫

单位

VDC

pF

—

3

2N6107 2N6109 2N6111 2N6288 2N6292

VCC

+30 V

25

s

+11 V

0

-9.0 V

TR ， TF

≤

10纳秒

占空比= 1.0 ％

-4 V

RB

51

D1

RC

范围

T， TIME （

s)

2.0

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.07

0.05

0.03

0.02

0.07 0.1

TJ = 25°C

VCC = 30 V

IC / IB = 10

tr

TD @ VBE （关闭）

≈

5.0 V

RB和RC是变化的，以获得期望的电流水平

D1必须快速恢复型，如：

1N5825上面使用IB

≈

百毫安

MSD6100下使用IB

≈

百毫安

0.2 0.3

0.5

2.0

1.0

IC ，集电极电流（ AMP ）

3.0

5.0 7.0

图2.开关时间测试电路

图3.开启时间

R（T ），瞬态热阻（标准化）

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.07

0.05

0.03

0.02

0.01

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

1.0

Z

θJC （T ）

= R（T ）R

θJC

R

θJC

= 3.125 ° C / W MAX

D曲线任选一功率

脉冲序列如图

读取时间在T1

TJ （ PK） - TC = P （ PK ）z

θJC

(t)

2.0

5.0

吨，时间（ ms）的

10

20

50

P（ PK）

t2

占空比D = T1 / T2

100

200

500

1.0 k

t1

图4.热响应

IC ，集电极电流（ AMPS ）

15

10

0.5毫秒

dc

0.1毫秒

7.0

5.0

3.0

2.0

0.1

ms

电流限制

次

击穿极限

热限制

@ TC = 25°C （单脉冲）

2.0 3.0

20 30

50

5.0 7.0 10

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

1.0

0.7

0.5

5.0毫秒

0.3

0.2

0.15

1.0

70 100

有对的功率处理能力两方面的局限性

晶体管：平均结温及第二

击穿。安全工作区曲线表明IC - VCE

晶体管必须可靠地观察到极限

操作;即，晶体管不能承受较大的

功耗比曲线表示。

图5的数据是基于TJ （ pk）的= 150_C ; TC是

可变根据条件。其次，脉细数

限制是有效的占空比为10％的规定TJ （ PK）

v

150_C 。 TJ （ pk）的可从数据计算

图4.在高温情况下，热限制将

减少可处理到的值小于所述的功率

通过限制二次击穿的罚款。

图5.活动区安全工作区

http://onsemi.com

4

2N6107 2N6109 2N6111 2N6288 2N6292

5.0

3.0

2.0

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.07

0.05

0.07 0.1

ts

TJ = 25°C

VCC = 30 V

IC / IB = 10

IB1 = IB2

300

200

C，电容（pF ）

兴业银行

100

70

50

30

0.5

COB

TJ = 25°C

T， TIME （

s)

tr

0.2

1.0

0.3

0.5

2.0 3.0

IC ，集电极电流（ AMP ）

5.0 7.0

1.0

10

20

2.0 3.0

5.0

VR ，反向电压（伏）

30

50

图6.开启，关闭时间

图7.电容

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5