INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
描述
·带
TO- 3封装
.Complement
键入2N6282 /六千二百八十四分之六千二百八十三
高
直流电流增益
达林顿
应用
For
在一般用途的放大器的使用和
低频开关应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
描述
2N6285 2N6286 2N6287
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
集热器
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
固电
IN
导½
半
参数
条件
2N6285
2N6286
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
的HAn
C
ES
G
2N6287
2N6285
2N6286
2N6287
发射极开路
ICO
EM
OR
UCT
ND
价值
-60
-80
-100
-60
-80
-100
单位
V
开基
V
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
集电极开路
-5
-20
-40
-0.5
V
A
A
A
W
℃
℃
T
C
=25℃
160
200
-65~200
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.09
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2N6285 2N6286 2N6287
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的
3
技术参数
PNP达林顿功率硅晶体管
每个合格的MIL -PRF-五百○五分之一万九千五
器件
2N6286
2N6287
资质等级
JANTX
JANTXV
最大额定值
评级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
基极电流
集电极电流
总功耗
(1)
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
B
I
C
P
T
T
op
,
T
英镑
符号
R
θ
JC
0
2N6286
-80
-80
2N6287
-100
-100
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
W
W
0
C
单位
0
C / W
@ T
C
= +25
0
C
@ T
C
= +100
0
C
操作&存储结温范围
-7.0
-0.5
-20
175
87.5
-65到+175
马克斯。
0.857
热特性
特征
热阻，结到外壳
TO-3*
(TO-204AA)
*请参阅附录A
包装外形
1)
线性降额@ 1.17 W / C上面的牛逼
C
> + 25℃
电气特性（T
C
= 25
0
C除非另有说明）
特征
符号
分钟。
马克斯。
单位
0
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -100 MADC
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= -40伏直流
V
CE
= -50伏直流
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= -80伏直流，V
BE
= 1.5 VDC
V
CE
= -100伏，V
BE
= 1.5 VDC
发射基截止电流
V
EB
= -7.0伏
2N6286
2N6287
2N6286
2N6287
2N6286
2N6287
V
（ BR ）
首席执行官
-80
-100
-1.0
-1.0
-0.5
-0.5
-2.5
VDC
I
首席执行官
MADC
I
CEX
I
EBO
MADC
ADC
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 794-1666 /传真： （ 978 ） 689-0803
120101
第1页2
2N6286 ， 2N6287 JAN系列
电气特性（续）
特征
符号
分钟。
马克斯。
单位
基本特征
(2)
正向电流传输比
I
C
= -1.0 ADC ，V
CE
= -3.0伏
I
C
= -10 ADC ，V
CE
= -3.0伏
I
C
= -20 ADC ，V
CE
= -3.0伏
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -20 ADC ，我
B
= -200 MADC
I
C
= -10 ADC ，我
B
= -40 MADC
基射极饱和电压
I
C
= -20 ADC ，我
B
= -200 MADC
基射极电压
I
C
= -10 ADC ，V
CE
= -3.0伏
h
FE
1,500
1,250
300
18,000
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
-3.0
-2.0
-4.0
-2.8
VDC
VDC
VDC
动态特性
共发射小信号短路幅度
正向电流传输比
I
C
= -10 ADC ，V
CE
= -3.0伏F = 1.0 MHz的
小信号短路正向电流传输比
I
C
= -10 ADC ，V
CE
= -3.0伏
输出电容
V
CB
= -10伏直流，我
E
= 0，100千赫
≤
f
≤
1.0兆赫
h
fe
h
fe
C
敖包
8.0
300
400
pF
80
开关特性
开启时间
V
CC
= -30伏直流;我
C
= -10 ADC ;我
B
= -40 MADC
打开-O FF时间
V
CC
= -30伏直流;我
C
= -10 ADC ;我
B1
= I
B2
= -40 MADC
t
on
2.0
10
s
s
t
关闭
安全工作区
DC测试
T
C
= +25
0
C， 1个周期，T = 1.0秒
测试1
V
CE
= -8.75伏，我
C
= -20 ADC
所有类型
测试2
V
CE
= -30伏直流，我
C
= -5.8 ADC
所有类型
测试3
V
CE
= -80伏直流，我
C
= -100 MADC
2N6286
V
CE
= -100伏，我
C
= -100 MADC
2N6287
（ 2 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比
≤
2.0%.
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 794-1666 /传真： （ 978 ） 689-0803
120101
第2页2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
描述
·采用TO-3封装
·补键入2N6282 /六千二百八十四分之六千二百八十三
·高直流电流增益
·
达林顿
应用
·对于通用放大器使用，
低频开关应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
描述
2N6285 2N6286 2N6287
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
集热器
绝对最大额定值（Ta =
)
符号
参数
2N6285
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N6286
2N6287
2N6285
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N6286
2N6287
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
-60
-80
-100
-60
-80
-100
-5
-20
-40
-0.5
160
200
-65~200
V
A
A
A
W
V
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.09
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2N6285 2N6286 2N6287
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的
3
ON Semiconductort
NPN
达林顿互补
硅功率晶体管
。 。 。设计用于一般用途的放大器和低频
开关应用。
2N6283
2N6284
PNP
高直流电流增益@我
C
= 10位ADC
2N6286
2N6287
达林顿
20安培
补充
硅
功率晶体管
100伏
160瓦
h
FE
= 2400 （典型值）
2N6284
= 4000 （典型值）
2N6287
集电极 - 发射极耐受电压
V
CEO （ SUS ）
= 100伏直流（最小值）
单片式结构，具有内置基射极分流电阻
w
这些器件采用无铅封装（ S）提供。本文规格
适用于标准和无铅器件。请参阅我们的网站：
www.onsemi.com特定无铅订购的部件编号，或
请联系您当地的安森美半导体销售办事处或代表处。
Symbo
l
V
首席执行官
V
CB
V
EB
I
C
I
B
PD ，功耗（瓦）
等级
*最大额定值
2N6283
2N6286
80
80
2N6284
2N6287
100
100
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
5.0
20
40
集电极电流
连续
PEAK
基极电流
0.5
案例1-07
TO204AA
(TO3)
器件总功耗@ T
C
=
25_C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
P
D
160
0.915
瓦
W / ℃，
_C
T
J
,T
英镑
65
到+ 200
*热特性
特征
符号
R
θJC
最大
单位
热阻，结到外壳
*表示JEDEC注册的数据。
1.09
° C / W
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
25
75
150
50
100
125
T
C
，外壳温度（ ° C）
1
175
200
图1.功率降额
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年3月，
第2版
出版订单号：
2N6284/D
小信号电流增益
(I
C
= 10位ADC ，V
CE
= 3.0伏， F = 1.0千赫）
*表示JEDEC注册的数据。
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300
μs,
占空比= 2 ％
*电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
动态特性
基本特征（ 1 ）
开关特性
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0 ， F = 0.1兆赫）
共发射小信号短路幅度
正向电流传输比
(I
C
= 10位ADC ，V
CE
= 3.0伏， F = 1.0兆赫）
基射极饱和电压
(I
C
= 20 ADC ，我
B
= 200 MADC ）
基射极电压ON
(I
C
= 10位ADC ，V
CE
= 3.0伏）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10位ADC ，我
B
= 40 MADC ）
(I
C
= 20 ADC ，我
B
= 200 MADC ）
直流电流增益
(I
C
= 10位ADC ，V
CE
= 3.0伏）
(I
C
= 20 ADC ，V
CE
= 3.0伏）
发射Cuto FF电流
(V
BE
= 5.0伏，我
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
=额定V
CB
, V
BE （OFF）的
= 1.5伏）
(V
CE
=额定V
CB
, V
BE （OFF）的
= 1.5伏，T
C
= 150_C)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 40 VDC ，我
B
= 0)
(V
CE
= 50伏直流，我
B
= 0)
集电极 - 发射极耐受电压
(I
C
= 0.1 ADC ，我
B
= 0)
特征
2N6283 2N6284 2N6286 2N6287
http://onsemi.com
2N6283, 2N6284
2N6286, 2N6287
2N6283, 2N6286
2N6284, 2N6287
V
CEO （ SUS ）
符号
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
I
首席执行官
I
EBO
I
CEX
|h
fe
|
C
ob
h
FE
h
fe
民
300
750
100
100
4.0
2
80
18,000
最大
400
600
4.0
2.8
2.0
3.0
2.0
0.5
5.0
1.0
1.0
MADC
MADC
MADC
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
2N6283 2N6284 2N6286 2N6287
V
CC
30 V
R
C
TUT
10
7.0
5.0
3.0
T， TIME （
μ
s)
范围
2.0
t
f
1.0
0.7
0.5
0.3 V
CC
= 30 V直流
I /I = 250
0.2
C B
I
B1
= I
B2
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 0 V
中T = 25℃
0.1
J
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
0.2 0.3
I
C
，集电极电流（ AMP ）
t
r
t
s
2N6284 （ NPN ）
2N6287 （ PNP ）
R
B
＆放大器;
C
变化，以获得所需的电流水平
D
1
必须快速恢复型例如，
1N5825上面使用我
B
[
百毫安
MSD6100下使用我
B
[
百毫安
V
2
约
R
B
51
D
1
[
8.0 k
[
50
+ 8.0 V
0
V
1
约
12 V
25
μs
t
r
, t
f
v
10纳秒
占空比= 1.0 ％
+ 4.0 V
对于T
d
和T
r
, D
1
断开
和V
2
= 0
适用于NPN测试电路翻转所有极性
20
图2.开关时间测试电路
图3.开关时间
R（T ） ，有效的瞬变
热电阻（标准化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
R
θJC
（吨）= R（T ）R
θJC
R
θJC
= 1.09 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
R
θJC
(t)
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0 3.0 5.0
10
吨，时间或脉冲宽度（毫秒）
20
30
50
P
（ PK）
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
100
200 300
500
1000
0.01
0.01
0.02 0.03
0.05
0.1
图4.热响应
http://onsemi.com
3
2N6283 2N6284 2N6286 2N6287
有源区的安全工作区
50
0.1毫秒
IC ，集电极电流（ AMP ）
20
10
5.0
5.0毫秒
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
2.0
二次击穿有限公司
键合丝有限公司
散热的限制， @ T
C
= 25°C
单脉冲
0.5毫秒
1.0毫秒
dc
T
J
= 200°C
5.0
10
20
50
100
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图5的数据是基于T
J（下PK）
= 200_C ;牛逼
C
is
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
＆ LT ;
200_C 。牛逼
J（下PK）
可以从该数据在图4中计算。
在高温情况下，热限制将减少
可处理到值小于所述电源
通过限制二次击穿的罚款。
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图5. 2N6284 ， 2N6287
10,000
的hFE ，小信号电流增益
5000
2000
1000
500
200
100
50
20
10
1.0
2.0
2N6284 （ NPN ）
2N6287 （ PNP ）
5.0 10
20
50 100
男，频率（KHz ）
200
500 1000
T
J
= 25°C
V
CE
= 3.0伏
I
C
= 10 A
1000
T
J
= 25°C
700
C，电容（pF ）
500
C
ib
C
ob
2N6284 （ NPN ）
2N6287 （ PNP ）
100
0.1 0.2
0.5
1.0 2.0
5.0
10
20
V
R
，反向电压（伏）
50
100
300
200
图6.小信号电流增益
图7.电容
http://onsemi.com
4
2N6283 2N6284 2N6286 2N6287
NPN
2N6284
20,000
V
CE
= 3.0 V
10,000
的hFE ， DC电流增益
的hFE ， DC电流增益
7000
5000
3000
2000
1000
700
500
300
200
T
J
= 150°C
10,000
7000
5000
25°C
3000
2000
1000
700
500
300
0.2 0.3
55
°C
30,000
20,000
PNP
2N6287
V
CE
= 3.0 V
T
J
= 150°C
25°C
55
°C
0.2 0.3
5.0 7.0 10
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
20
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
I
C
，集电极电流（ AMP ）
20
图8.直流电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
3.0
T
J
= 25°C
2.6
I
C
= 5.0 A
10 A
15 A
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
3.0
T
J
= 25°C
2.6
I
C
= 5.0 A
2.2
10 A
15 A
2.2
1.8
1.8
1.4
1.4
1.0
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
I
B
，基极电流（毫安）
20
30
50
1.0
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
I
B
，基极电流（毫安）
20
30
50
图9.集电极饱和区
3.0
T
J
= 25°C
V，电压（V ）
V，电压（V ）
2.5
3.0
T
J
= 25°C
2.5
2.0
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
2.0
1.5
1.5
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
V
BE
@ V
CE
= 3.0 V
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
1.0
V
BE
@ V
CE
= 3.0 V
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
1.0
0.5
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
0.5
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
I
C
，集电极电流（ AMP ）
I
C
，集电极电流（ AMP ）
图10. “开”电压
http://onsemi.com
5
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过2N6282 / D
达林顿互补
硅功率晶体管
。 。 。设计用于一般用途的放大器和低频开关的应用
系统蒸发散。
高直流电流增益@ IC = 10位ADC -
的hFE = 2400（典型值） - 2N6282 ， 2N6283 ， 2N6284
的hFE
= 4000 （典型值） - 2N6285 ， 2N6286 ， 2N6287
集电极 - 发射极耐受电压 -
VCEO （SUS ）= 60 VDC （最小） - 2N6282 ， 2N6285
VCEO （ SUS）
= 80伏直流（最小值） - 2N6283 ， 2N6286
VCEO （ SUS）
= 100伏直流（最小值） - 2N6284 ， 2N6287
单片式结构，具有内置基射极分流电阻
*最大额定值
等级
2N6282
THRU
2N6284*
PNP
2N6285
THRU
2N6287*
*摩托罗拉的首选设备
NPN
PD ，功耗（瓦）
符号
VCEO
VCB
VEB
IC
IB
2N6282
2N6285
60
60
2N6283
2N6286
80
80
2N6284
2N6287
100
100
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
5.0
20
40
连续集电极电流 -
PEAK
基极电流
0.5
器件总功耗@ TC = 25
_
C
减免上述25
_
C
工作和存储结
温度范围
PD
160
0.915
瓦
W/
_
C
TJ ， TSTG
- 65至+ 200
达林顿
20安培
补充
硅
功率晶体管
60 ， 80 ， 100伏
160瓦
_
C
*热特性
特征
案例1-07
TO–204AA
(TO–3)
符号
R
θJC
最大
单位
热阻，结到外壳
1.09
_
C / W
*表示JEDEC注册的数据。
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
25
50
100
125
75
150
TC ，外壳温度（ ° C）
175
200
图1.功率降额
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
1
2N6282 2N6284直通2N6285 2N6287直通
*表示JEDEC注册的数据。
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300
s,
占空比= 2 ％
*电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
动态特性
基本特征（ 1 ）
开关特性
V1
约
– 12 V
RB & RC变化，以获得所需的电流水平
D1必须快速恢复型例如，
1N5825上面使用IB百毫安
MSD6100下使用IB 100毫安
TUT
RB
V2
约
+ 8.0 V
D1
51
8.0 k
50
0
小信号电流增益
（ IC = 10位ADC ， VCE = 3.0伏， F = 1.0千赫）
输出电容
（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 0.1兆赫）
共发射小信号短路幅度
正向电流传输比
（ IC = 10位ADC ， VCE = 3.0伏， F = 1.0兆赫）
基射极饱和电压
（ IC = 20 ADC ， IB = 200 MADC ）
基射极电压ON
（ IC = 10位ADC ， VCE = 3.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 10位ADC ， IB = 40 MADC ）
（ IC = 20 ADC ， IB = 200 MADC ）
直流电流增益
（ IC = 10位ADC ， VCE = 3.0 V直流）
（ IC = 20 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
发射Cuto FF电流
（ VBE = 5.0伏， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE =额定VCB ， VBE （关闭） = 1.5伏）
（ VCE =额定VCB ， VBE （关闭） = 1.5伏， TC = 150
_
C)
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 30 V直流， IB = 0 ）
（ VCE = 40 VDC ， IB = 0 ）
（ VCE = 50伏直流电， IB = 0 ）
集电极 - 发射极耐受电压
（ IC = 0.1 ADC ， IB = 0 ）
2
TR ， TF 10纳秒
占空比= 1.0 ％
图2.开关时间测试电路
25
s
v
+ 4.0 V
对于TD和TR ， D1断开
和V2 = 0
适用于NPN测试电路翻转所有极性
[
[
特征
[
[
VCC
– 30 V
RC
范围
2N6282, 2N6285
2N6283, 2N6286
2N6284, 2N6287
2N6282, 2N6285
2N6283, 2N6286
2N6284, 2N6287
2N6282,83,84
2N6285,86,87
0.3 VCC = 30 V直流
I /I = 250
0.2 C B
IB1 = IB2
TD @ VBE （关闭） = 0 V
TJ = 25°C
0.1
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
0.2 0.3
5.0 7.0 10
IC ，集电极电流（ AMP ）
1.0
0.7
0.5
2.0
3.0
10
7.0
5.0
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
ts
VCEO （ SUS）
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
VBE （ON）的
符号
图3.开关时间
T， TIME （
s)
ICEO
IEBO
ICEX
| HFE |
COB
的hFE
的hFE
tf
民
60
80
100
300
750
100
4.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2N6282 / 84 （ NPN ）
2N6285 / 87 （ PNP ）
tr
18,000
—
最大
400
600
4.0
2.8
2.0
3.0
2.0
0.5
5.0
1.0
1.0
1.0
—
—
—
—
—
MADC
MADC
MADC
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
—
—
20
2N6282 2N6284直通2N6285 2N6287直通
R（T ） ，有效的瞬变
热电阻（标准化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
单脉冲
0.01
0.01
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
0.01
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
R
θJC
（吨）= R（T ）R
θJC
R
θJC
= 1.09 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）R
θJC
(t)
1.0
2.0 3.0 5.0
10
吨，时间或脉冲宽度（毫秒）
20
30
50
P（ PK）
t1
t2
占空比D = T1 / T2
100
200 300
500
1000
图4.热响应
有源区的安全工作区
50
IC ，集电极电流（ AMP ）
IC ，集电极电流（ AMP ）
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
2.0
二次击穿有限公司
键合丝有限公司
散热的限制， @ TC = 25°C
单脉冲
50
0.1毫秒
0.5毫秒
1.0毫秒
5.0毫秒
dc
TJ = 200℃
0.1毫秒
10
5.0
5.0毫秒
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
100
0.05
2.0
二次击穿有限公司
键合丝有限公司
散热的限制， @ TC = 25°C
单脉冲
50
0.1毫秒
IC ，集电极电流（ AMP ）
20
10
5.0
5.0毫秒
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
100
0.05
2.0
二次击穿有限公司
键合丝有限公司
散热的限制， @ TC = 25°C
单脉冲
20
0.5毫秒
1.0毫秒
0.5毫秒
1.0毫秒
dc
TJ = 200℃
dc
TJ = 200℃
5.0
10
20
50
5.0
10
20
50
5.0
10
20
50
100
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
图5. 2N6282 ， 2N6285
图6. 2N6283 ， 2N6286
图7. 2N6284 ， 2N6287
有在电源处理的晶体管的能力，有两个限制：平均结温及第二击穿。
安全工作区曲线表明IC - 必须为可靠的运行必须遵守的晶体管的VCE限制;即晶体管
不能承受较大的功耗比曲线表示。
图5，图6和图7的数据是基于TJ （峰） = 200
_
℃; TC是可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比，以提供10 ％ TJ （ PK ） < 200
_
C. TJ （ pk）的可从数据计算在图4中在高的情况下
的温度下，热限制将减少可处理到的值小于由所施加的限制的功率
二次击穿。
10,000
的hFE ，小信号电流增益
5000
2000
1000
500
200
100
50
20
10
1.0
2.0
2N6282 / 84 （ NPN ）
2N6285 / 87 （ PNP ）
5.0 10
20
50 100
男，频率（KHz ）
200
500 1000
100
0.1 0.2
2N6282 / 84 （ NPN ）
2N6285 / 87 （ PNP ）
0.5
1.0 2.0
5.0
10
20
VR ，反向电压（伏）
50
100
TJ = 25°C
VCE = 3.0伏
IC = 10 A
1000
TJ = 25°C
700
C，电容（pF ）
500
兴业银行
COB
300
200
图8的小信号电流增益
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
图9.电容
3
2N6282 2N6284直通2N6285 2N6287直通
NPN
2N6282, 2N6283, 2N6284
20,000
VCE = 3.0 V
10,000
的hFE ， DC电流增益
的hFE ， DC电流增益
7000
5000
3000
2000
1000
700
500
300
200
TJ = 150℃
10,000
7000
5000
25°C
3000
2000
1000
700
500
300
0.2 0.3
– 55°C
30,000
20,000
PNP
2N6285, 2N6286, 2N6287
VCE = 3.0 V
TJ = 150℃
25°C
– 55°C
0.2 0.3
5.0 7.0 10
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
20
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
IC ，集电极电流（ AMP ）
20
图10.直流电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
3.0
TJ = 25°C
2.6
IC = 5.0
10 A
15 A
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
3.0
TJ = 25°C
2.6
IC = 5.0
2.2
10 A
15 A
2.2
1.8
1.8
1.4
1.4
1.0
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
IB ，基极电流（毫安）
20
30
50
1.0
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
IB ，基极电流（毫安）
20
30
50
图11.集电极饱和区
3.0
TJ = 25°C
V，电压（V ）
V，电压（V ）
2.5
3.0
TJ = 25°C
2.5
2.0
VBE （星期六） @ IC / IB = 250
2.0
1.5
1.5
VBE （星期六） @ IC / IB = 250
VBE @ VCE = 3.0 V
VCE （SAT） @ IC / IB = 250
1.0
VBE @ VCE = 3.0 V
VCE （SAT） @ IC / IB = 250
1.0
0.5
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
0.5
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
IC ，集电极电流（ AMP ）
IC ，集电极电流（ AMP ）
图12. “开”电压
4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
2N6282 2N6284直通2N6285 2N6287直通
NPN
2N6282, 2N6283, 2N6284
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
+ 5.0
+ 4.0
+ 3.0
+ 2.0
+ 1.0
0
– 1.0
– 2.0
– 3.0
– 4.0
– 5.0
0.2 0.3
0.5
0.7 1.0
2.0 3.0
θV
B的VBE
25 ° C至+ 150°C
- 55 °C至+ 25°C
5.0 7.0 10
20
* θVC FOR VCE （SAT）
- 55 °C至+ 25°C
*适用于IC / IB
≤
的hFE @ VCE
250
PNP
2N6285, 2N6286, 2N6287
+ 5.0
+ 4.0
+ 3.0
+ 2.0
+ 1.0
0
– 1.0
– 2.0
– 3.0
– 4.0
– 5.0
0.2 0.3
0.5
0.7 1.0
2.0
3.0
θV
B的VBE
25 ° C至+ 150°C
- 55 °C至+ 25°C
5.0 7.0 10
20
* θVC FOR VCE （SAT）
*适用于IC / IB
≤
的hFE @ VCE
250
+
3.0 V
+
3.0 V
25 ℃150 ℃的
25 ℃150 ℃的
- 55 °C至+ 25°C
IC ，集电极电流（ AMP ）
IC ，集电极电流（ AMP ）
图13.温度系数
105
IC ，集电极电流（
A)
IC ，集电极电流（
A)
104
103
TJ = 150℃
102
100°C
101
反向
100
25°C
10–1
– 0.6 – 0.4
– 0.2
0
+ 0.2 + 0.4 + 0.6 + 0.8
+ 1.0 + 1.2 + 1.4
前锋
VCE = 30 V
103
102
101
100
10–1
反向
10–2
10–3
+ 0.6 + 0.4
25°C
前锋
100°C
VCE = 30 V
TJ = 150℃
+ 0.2
0
– 0.2 – 0.4
– 0.6 – 0.8
– 1.0 – 1.2 – 1.4
VBE ，基极发射极电压（伏）
VBE ，基极发射极电压（伏）
图14.集电极截止区
NPN
2N6282
2N6283
2N6284
集热器
PNP
2N6285
2N6286
2N6287
集热器
BASE
BASE
[
8.0 k
[
60
辐射源
[
8.0 k
[
60
辐射源
图15.达林顿示意图
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
5
2N6284
2N6287
其他芯片
功率达林顿晶体管
s
s
s
SGS - THOMSON最佳SALESTYPES
互补PNP - NPN器件
综合反平行
集电极 - 发射极二极管
应用
s
线性和开关工业
设备
描述
的2N6284为硅外延基NPN型
在单片达林顿功率晶体管
配置安装在JEDEC的TO - 3金属外壳。
它是inteded通用放大器和低
高频开关应用。
互补PNP类型是2N6287 。
1
2
TO-3
内部原理图
R
1
（典型值） 。 = 8千欧
R
2
（典型值） 。 = 60
绝对最大额定值
符号
参数
NPN
PNP
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
T
英镑
T
j
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
发射极 - 基极电压（I
C
= 0)
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗在T
c
≤
25
o
C
储存温度
马克斯。工作结温
价值
2N6284
2N6287
100
100
5
20
40
0.5
160
-65 200
200
V
V
V
A
A
A
W
o
o
单位
C
C
为PNP型的电压和电流值是负的。
1997年6月
1/4
2N6284 / 2N6287
提供的资料被认为是准确和可靠。不过， SGS - THOMSON微电子承担的任何责任
对此类信息的使用，也不对任何侵犯第三方专利或可借鉴其使用效果等权利的后果。没有
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1997 SGS - THOMSON微电子 - 印刷意大利 - 版权所有
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新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 台湾 - 泰国 - 英国 - 美国
...
4/4
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
描述
·带
TO- 3封装
.Complement
键入2N6282 /六千二百八十四分之六千二百八十三
高
直流电流增益
达林顿
应用
For
在一般用途的放大器的使用和
低频开关应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
描述
2N6285 2N6286 2N6287
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
集热器
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
参数
2N6285
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N6286
2N6287
2N6285
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N6286
2N6287
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
-60
-80
-100
-60
-80
-100
-5
-20
-40
-0.5
160
200
-65~200
V
A
A
A
W
℃
℃
V
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.09
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2N6285 2N6286 2N6287
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的
3
QQ：2880707522 复制
