2N6284 （ NPN型） ; 2N6286 ，
2N6287 （ PNP ）
首选设备
达林顿互补
硅功率晶体管
这些包被设计为通用放大器和
低频开关应用。
特点
http://onsemi.com
高直流电流增益@我
C
= 10位ADC
h
FE
= 2400 （典型值）
2N6284
= 4000 （典型值）
2N6287
集电极 - 发射极耐受电压
V
CEO （ SUS ）
= 100伏直流（最小值）
单片式结构，具有内置基射极分流电阻
无铅包可用*
最大额定值
（注1 ）
等级
集电极 - 发射极电压
2N6286
2N6284/87
2N6286
2N6284/87
符号
V
首席执行官
价值
80
100
80
100
5.0
20
40
0.5
160
0.915
65
到+ 200
单位
VDC
20安培
其他芯片
功率晶体管
100伏， 160瓦
集热器
例
BASE
1
发射器2
标记图
VDC
1
2N628xG
Ayyww
MEX
集电极 - 基极电压
V
CB
发射极 - 基极电压
集电极电流
连续
PEAK
基极电流
总功率耗散@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储温度
范围
V
EB
I
C
I
B
P
D
T
J
, T
英镑
VDC
ADC
ADC
W
W / ℃，
°C
2
TO- 204AA （TO- 3）
案例1-07
风格1
2N628x
G
A
YY
WW
MEX
热特性
（注1 ）
特征
热阻，结到外壳
符号
R
QJC
最大
1.09
单位
° C / W
=器件代码
X = 4,6或7
= Pb-Free包装
=地点代码
=年
=工作周
=国家的由来
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表示JEDEC注册的数据。
订购信息
设备
2N6284
2N6284G
2N6286
2N6286G
2N6287
包
TO3
TO3
（无铅）
TO3
TO3
（无铅）
TO3
TO3
（无铅）
航运
100单位/托盘
100单位/托盘
100单位/托盘
100单位/托盘
100单位/托盘
100单位/托盘
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2008年
2N6287G
2008年9月，
第4版
1
出版订单号：
2N6284/D
2.表示JEDEC注册的数据。
3.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比= 2 ％
动态特性
基本特征
（注3）
开关特性
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明） （注2 ）
小信号电流增益
(I
C
= 10位ADC ，V
CE
= 3.0伏， F = 1.0千赫）
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0 ， F = 0.1兆赫）
共发射小信号短路幅度
正向电流传输比
(I
C
= 10位ADC ，V
CE
= 3.0伏， F = 1.0兆赫）
基射极饱和电压
(I
C
= 20 ADC ，我
B
= 200 MADC ）
基射极电压ON
(I
C
= 10位ADC ，V
CE
= 3.0伏）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10位ADC ，我
B
= 40 MADC ）
(I
C
= 20 ADC ，我
B
= 200 MADC ）
直流电流增益
(I
C
= 10位ADC ，V
CE
= 3.0伏）
(I
C
= 20 ADC ，V
CE
= 3.0伏）
发射Cuto FF电流
(V
BE
= 5.0伏，我
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
=额定V
CB
, V
BE （OFF）的
= 1.5伏）
(V
CE
=额定V
CB
, V
BE （OFF）的
= 1.5伏，T
C
= 150_C)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 40 VDC ，我
B
= 0)
(V
CE
= 50伏直流，我
B
= 0)
集电极 - 发射极耐受电压
(I
C
= 0.1 ADC ，我
B
= 0)
特征
PD ，功耗（瓦）
100
120
140
160
20
40
60
80
2N6284 （ NPN型） ; 2N6286 ， 2N6287 （ PNP ）
0
0
25
图1.功率降额
75
150
50
100
125
T
C
，外壳温度（ ° C）
http://onsemi.com
2N6286
2N6284, 2N6287
2N6284
2N6286, 2N6287
V
CEO （ SUS ）
175
符号
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
I
首席执行官
I
EBO
I
CEX
|h
fe
|
C
ob
h
FE
h
fe
200
民
300
750
100
100
4.0
2
80
18,000
最大
400
600
4.0
2.8
2.0
3.0
2.0
0.5
5.0
1.0
1.0
MADC
MADC
MADC
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
2N6284 （ NPN型） ; 2N6286 ， 2N6287 （ PNP ）
R
B
＆放大器;
C
变化，以获得所需的电流水平
D
1
必须快速恢复型例如，
1N5825上面使用我
B
[
百毫安
MSD6100下使用我
B
[
百毫安
V
2
约
V
CC
- 30 V
R
C
TUT
范围
R
B
51
D
1
[
8.0 k
[
50
+ 8.0 V
0
V
1
约
- 12 V
25
ms
t
r
, t
f
v
10纳秒
占空比= 1.0 ％
+ 4.0 V
对于T
d
和T
r
, D
1
断开
和V
2
= 0
适用于NPN测试电路翻转所有极性
图2.开关时间测试电路
10
7.0
5.0
3.0
T， TIME （
μ
s)
2.0
t
s
2N6284 （ NPN ）
2N6287 （ PNP ）
t
f
1.0
0.7
0.5
t
r
0.3 V
CC
= 30 V直流
I /I = 250
0.2
C B
I
B1
= I
B2
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 0 V
中T = 25℃
0.1
J
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
0.2 0.3
5.0 7.0 10
I
C
，集电极电流（ AMP ）
20
图3.开关时间
R（T ） ，有效的瞬变
热电阻（标准化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
R
QJC
（吨）= R（T ）R
QJC
R
QJC
= 1.09 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
- T
C
= P
（ PK）
R
QJC
(t)
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0 3.0 5.0
10
吨，时间或脉冲宽度（毫秒）
20
30
50
P
（ PK）
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
100
200 300
500
1000
0.01
0.01
0.02 0.03
0.05
0.1
图4.热响应
http://onsemi.com
3
2N6284 （ NPN型） ; 2N6286 ， 2N6287 （ PNP ）
有源区的安全工作区
50
0.1毫秒
IC ，集电极电流（ AMP ）
20
10
5.0
5.0毫秒
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
2.0
二次击穿有限公司
键合丝有限公司
散热的限制， @ T
C
= 25°C
单脉冲
0.5毫秒
1.0毫秒
dc
T
J
= 200°C
5.0
10
20
50
100
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图5的数据是基于T
J（下PK）
= 200_C ;牛逼
C
is
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比以10％以下
T
J（下PK）
< 200_C 。牛逼
J（下PK）
可以从在数据计算
图4.在高温情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图5. 2N6284 ， 2N6287
10,000
HFE ，小信号电流增益
5000
2000
1000
500
200
100
50
20
10
1.0
2.0
2N6284 （ NPN ）
2N6287 （ PNP ）
5.0 10
20
50 100
男，频率（KHz ）
200
500 1000
T
J
= 25°C
V
CE
= 3.0伏
I
C
= 10 A
图6.小信号电流增益
1000
T
J
= 25°C
700
C，电容（pF ）
500
C
ib
C
ob
2N6284 （ NPN ）
2N6287 （ PNP ）
100
0.1 0.2
0.5
1.0 2.0
5.0
10
20
V
R
，反向电压（伏）
50
100
300
200
图7.电容
http://onsemi.com
4
2N6284 （ NPN型） ; 2N6286 ， 2N6287 （ PNP ）
NPN
2N6284
20,000
V
CE
= 3.0 V
10,000
的hFE ， DC电流增益
的hFE ， DC电流增益
7000
5000
3000
2000
1000
700
500
300
200
T
J
= 150°C
10,000
7000
5000
25°C
3000
2000
1000
700
500
300
0.2 0.3
- 55°C
30,000
20,000
PNP
2N6287
V
CE
= 3.0 V
T
J
= 150°C
25°C
- 55°C
0.2 0.3
5.0 7.0 10
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
20
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
I
C
，集电极电流（ AMP ）
20
图8.直流电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
3.0
T
J
= 25°C
2.6
I
C
= 5.0 A
10 A
15 A
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
3.0
T
J
= 25°C
2.6
I
C
= 5.0 A
2.2
10 A
15 A
2.2
1.8
1.8
1.4
1.4
1.0
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
I
B
，基极电流（毫安）
20
30
50
1.0
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
I
B
，基极电流（毫安）
20
30
50
图9.集电极饱和区
3.0
T
J
= 25°C
V，电压（V ）
V，电压（V ）
2.5
3.0
T
J
= 25°C
2.5
2.0
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
2.0
1.5
1.5
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
V
BE
@ V
CE
= 3.0 V
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
1.0
V
BE
@ V
CE
= 3.0 V
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
1.0
0.5
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
0.5
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
I
C
，集电极电流（ AMP ）
I
C
，集电极电流（ AMP ）
图10. “开”电压
http://onsemi.com
5
QQ：2880707522 复制
