【INCHANGE半导体产品speci fi cation硅NPN功率晶体管描述·带TO- 3封装.C】,IC型号2N6284,2N6284 PDF资料,2N6284经销商,ic,电子元器件-51电子网

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

描述

·带

TO- 3封装

.Complement

键入2N6285 / 6287分之6286

高

直流电流增益

达林顿

应用

For

在一般用途的放大器的使用和

低频开关应用

钉扎

针

1

2

3

BASE

辐射源

描述

2N6282 2N6283 2N6284

Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号

集热器

绝对最大额定值（Ta =

℃)

符号

参数

2N6282

V

CBO

集电极 - 基极电压

2N6283

2N6284

2N6282

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

2N6283

2N6284

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

D

T

j

T

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25℃

集电极开路

开基

发射极开路

条件

价值

60

80

100

60

80

100

5

20

40

0.5

160

200

-65~200

V

A

W

℃

V

单位

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结到外壳

价值

1.09

单位

℃/W

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2N6282 2N6283 2N6284

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

2N6282

V

CEO （ SUS ）

集电极 - 发射极

维持电压

2N6283

2N6284

V

CEsat-1

V

CEsat-2

V

BESAT

V

BE

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

基射极电压上

2N6282

I

首席执行官

集电极截止电流

2N6283

2N6284

2N6282

I

CEX

集电极截止电流

2N6283

2N6284

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

C

OB

发射极截止电流

直流电流增益

输出电容

I

C

= 10A ;我

B

=40mA

I

C

= 20A ;我

B

=200mA

I

C

= 20A ;我

B

=200mA

I

C

= 10A ; V

CE

=3V

V

CE

= 30V ;我

B

=0

V

CE

= 40V ;我

B

=0

V

CE

= 50V ;我

B

=0

V

CE

=60V; V

BE

=-1.5V

T

C

=150℃

V

CE

=80V; V

BE

=-1.5V

T

C

=150℃

V

CE

=100V; V

BE

=-1.5V

T

C

=150℃

V

EB

= 5V ;我

C

=0

I

C

= 10A ; V

CE

=3V

I

C

= 20A ; V

CE

=3V

I

E

=0; V

CB

=10V;f=1MHz

750

100

400

pF

0.5

5.0

0.5

5.0

0.5

5.0

2.0

18000

mA

1.0

mA

I

C

= 0.2A ;我

B

=0

条件

民

60

80

100

2.0

3.0

4.0

2.8

V

典型值。

最大

单位

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2N6282 2N6283 2N6284

图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的

3

2N6284 （ NPN型） ; 2N6286 ，

2N6287 （ PNP ）

首选设备

达林顿互补

硅功率晶体管

这些包被设计为通用放大器和

低频开关应用。

特点

http://onsemi.com

高直流电流增益@我

C

= 10位ADC

h

FE

= 2400 （典型值）

2N6284

= 4000 （典型值）

2N6287

集电极 - 发射极耐受电压

V

CEO （ SUS ）

= 100伏直流（最小值）

单片式结构，具有内置基射极分流电阻

无铅包可用*

最大额定值

（注1 ）

等级

集电极 - 发射极电压

2N6286

2N6284/87

2N6286

2N6284/87

符号

V

首席执行官

价值

80

100

80

100

5.0

20

40

0.5

160

0.915

65

到+ 200

单位

VDC

20安培

其他芯片

功率晶体管

100伏， 160瓦

集热器

例

BASE

1

发射器2

标记图

VDC

1

2N628xG

Ayyww

MEX

集电极 - 基极电压

V

CB

发射极 - 基极电压

集电极电流

连续

PEAK

基极电流

总功率耗散@ T

C

= 25°C

减免上述25℃

工作和存储温度

范围

V

EB

I

C

I

B

P

D

T

J

, T

英镑

VDC

ADC

W

W / ℃，

°C

2

TO- 204AA （TO- 3）

案例1-07

风格1

2N628x

G

A

YY

WW

MEX

热特性

（注1 ）

特征

热阻，结到外壳

符号

R

QJC

最大

1.09

单位

° C / W

=器件代码

X = 4,6或7

= Pb-Free包装

=地点代码

=年

=工作周

=国家的由来

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

1.表示JEDEC注册的数据。

订购信息

设备

2N6284

2N6284G

2N6286

2N6286G

2N6287

包

TO3

（无铅）

TO3

（无铅）

TO3

（无铅）

航运

100单位/托盘

*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请

下载安森美半导体焊接与安装技术

参考手册， SOLDERRM / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2008年

2N6287G

2008年9月，

第4版

1

出版订单号：

2N6284/D

2.表示JEDEC注册的数据。

3.脉冲测试：脉冲宽度= 300

女士，

占空比= 2 ％

动态特性

基本特征

（注3）

开关特性

电气特性

(T

C

= 25 ° C除非另有说明）（注2 ）

小信号电流增益

(I

C

= 10位ADC ，V

CE

= 3.0伏， F = 1.0千赫）

输出电容

(V

CB

= 10 VDC ，我

E

= 0 ， F = 0.1兆赫）

共发射小信号短路幅度

正向电流传输比

(I

C

= 10位ADC ，V

CE

= 3.0伏， F = 1.0兆赫）

基射极饱和电压

(I

C

= 20 ADC ，我

B

= 200 MADC ）

基射极电压ON

(I

C

= 10位ADC ，V

CE

= 3.0伏）

集电极 - 发射极饱和电压

(I

C

= 10位ADC ，我

B

= 40 MADC ）

(I

C

= 20 ADC ，我

B

= 200 MADC ）

直流电流增益

(I

C

= 10位ADC ，V

CE

= 3.0伏）

(I

C

= 20 ADC ，V

CE

= 3.0伏）

发射Cuto FF电流

(V

BE

= 5.0伏，我

C

= 0)

收藏家Cuto FF电流

(V

CE

=额定V

CB

, V

BE （OFF）的

= 1.5伏）

(V

CE

=额定V

CB

, V

BE （OFF）的

= 1.5伏，T

C

= 150_C)

收藏家Cuto FF电流

(V

CE

= 40 VDC ，我

B

= 0)

(V

CE

= 50伏直流，我

B

= 0)

集电极 - 发射极耐受电压

(I

C

= 0.1 ADC ，我

B

= 0)

特征

PD ，功耗（瓦）

100

120

140

160

20

40

60

80

2N6284 （ NPN型） ; 2N6286 ， 2N6287 （ PNP ）

0

25

图1.功率降额

75

150

50

100

125

T

C

，外壳温度（ ° C）

http://onsemi.com

2N6286

2N6284, 2N6287

2N6284

2N6286, 2N6287

V

CEO （ SUS ）

175

符号

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

V

BE（上）

I

首席执行官

I

EBO

I

CEX

|h

fe

|

C

ob

h

FE

h

fe

200

民

300

750

100

4.0

2

80

18,000

最大

400

600

4.0

2.8

2.0

3.0

2.0

0.5

5.0

1.0

MADC

兆赫

单位

VDC

pF

2N6284 （ NPN型） ; 2N6286 ， 2N6287 （ PNP ）

R

B

＆放大器;

C

变化，以获得所需的电流水平

D

1

必须快速恢复型例如，

1N5825上面使用我

B

[

百毫安

MSD6100下使用我

B

[

百毫安

V

2

约

V

CC

- 30 V

R

C

TUT

范围

R

B

51

D

1

[

8.0 k

[

50

+ 8.0 V

0

V

1

约

- 12 V

25

ms

t

r

, t

f

v

10纳秒

占空比= 1.0 ％

+ 4.0 V

对于T

d

和T

r

, D

1

断开

和V

2

= 0

适用于NPN测试电路翻转所有极性

图2.开关时间测试电路

10

7.0

5.0

3.0

T， TIME （

μ

s)

2.0

t

s

2N6284 （ NPN ）

2N6287 （ PNP ）

t

f

1.0

0.7

0.5

t

r

0.3 V

CC

= 30 V直流

I /I = 250

0.2

C B

I

B1

= I

B2

t

d

@ V

BE （OFF）的

= 0 V

中T = 25℃

0.1

J

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

0.2 0.3

5.0 7.0 10

I

C

，集电极电流（ AMP ）

20

图3.开关时间

R（T ），有效的瞬变

热电阻（标准化）

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.07

0.05

0.03

0.02

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

R

QJC

（吨）= R（T ）R

QJC

R

QJC

= 1.09 ° C / W MAX

D曲线任选一功率

脉冲序列如图

读取时间AT＆T

1

T

J（下PK）

- T

C

= P

（ PK）

R

QJC

(t)

0.2 0.3

0.5

1.0

2.0 3.0 5.0

10

吨，时间或脉冲宽度（毫秒）

20

30

50

P

（ PK）

t

1

t

2

占空比D = T

1

/t

2

100

200 300

500

1000

0.01

0.02 0.03

0.05

0.1

图4.热响应

http://onsemi.com

3

2N6284 （ NPN型） ; 2N6286 ， 2N6287 （ PNP ）

有源区的安全工作区

50

0.1毫秒

IC ，集电极电流（ AMP ）

20

10

5.0

5.0毫秒

2.0

1.0

0.5

0.2

0.1

0.05

2.0

二次击穿有限公司

键合丝有限公司

散热的限制， @ T

C

= 25°C

单脉冲

0.5毫秒

1.0毫秒

dc

T

J

= 200°C

5.0

10

20

50

100

有对的功率处理能力两方面的局限性

晶体管：平均结温及第二

击穿。安全工作区曲线表明我

C

V

CE

晶体管必须可靠地观察到极限

操作;即，晶体管不能承受较大的

功耗比曲线表示。

图5的数据是基于T

J（下PK）

= 200_C ;牛逼

C

is

可变根据条件。其次，脉细数

限制是有效的占空比以10％以下

T

J（下PK）

< 200_C 。牛逼

J（下PK）

可以从在数据计算

图4.在高温情况下，热限制将

减少可处理到的值小于所述的功率

通过限制二次击穿的罚款。

V

CE

，集电极 - 发射极电压（伏）

图5. 2N6284 ， 2N6287

10,000

HFE ，小信号电流增益

5000

2000

1000

500

200

100

50

20

10

1.0

2.0

2N6284 （ NPN ）

2N6287 （ PNP ）

5.0 10

20

50 100

男，频率（KHz ）

200

500 1000

T

J

= 25°C

V

CE

= 3.0伏

I

C

= 10 A

图6.小信号电流增益

1000

T

J

= 25°C

700

C，电容（pF ）

500

C

ib

C

ob

2N6284 （ NPN ）

2N6287 （ PNP ）

100

0.1 0.2

0.5

1.0 2.0

5.0

10

20

V

R

，反向电压（伏）

50

100

300

200

图7.电容

http://onsemi.com

4

2N6284 （ NPN型） ; 2N6286 ， 2N6287 （ PNP ）

NPN

2N6284

20,000

V

CE

= 3.0 V

10,000

的hFE ， DC电流增益

7000

5000

3000

2000

1000

700

500

300

200

T

J

= 150°C

10,000

7000

5000

25°C

3000

2000

1000

700

500

300

0.2 0.3

- 55°C

30,000

20,000

PNP

2N6287

V

CE

= 3.0 V

T

J

= 150°C

25°C

- 55°C

0.2 0.3

5.0 7.0 10

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

I

C

，集电极电流（ AMP ）

20

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

I

C

，集电极电流（ AMP ）

20

图8.直流电流增益

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

3.0

T

J

= 25°C

2.6

I

C

= 5.0 A

10 A

15 A

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

3.0

T

J

= 25°C

2.6

I

C

= 5.0 A

2.2

10 A

15 A

2.2

1.8

1.4

1.0

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

I

B

，基极电流（毫安）

20

30

50

1.0

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

I

B

，基极电流（毫安）

20

30

50

图9.集电极饱和区

3.0

T

J

= 25°C

V，电压（V ）

2.5

3.0

T

J

= 25°C

2.5

2.0

V

BE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 250

2.0

1.5

V

BE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 250

V

BE

@ V

CE

= 3.0 V

V

CE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 250

1.0

V

BE

@ V

CE

= 3.0 V

V

CE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 250

1.0

0.5

0.2 0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

20

0.5

0.2 0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

20

I

C

，集电极电流（ AMP ）

I

C

，集电极电流（ AMP ）

图10. “开”电压

http://onsemi.com

5

2N6282

尺寸以毫米（英寸）。

25.15 (0.99)

26.67 (1.05)

10.67 (0.42)

11.18 (0.44)

1.52 (0.06)

3.43 (0.135)

6.35 (0.25)

9.15 (0.36)

在一个双极NPN器件

密封TO3

金属包装。

38.61 (1.52)

39.12 (1.54)

0.97 (0.060)

1.10 (0.043)

29.9 (1.177)

30.4 (1.197)

22.23

(0.875)

马克斯。

16.64 (0.655)

17.15 (0.675)

1

2

双极NPN装置。

V

首席执行官

= 60V

3

（案例）

3.84 (0.151)

4.09 (0.161)

7.92 (0.312)

12.70 (0.50)

I

C

= 20A

所有Semelab密封产品

可根据被处理

BS ， CECC和JAN的要求，

JANTX ， JANTXV和JANS规范。

TO3 （ TO204AA ）

引脚配置

1 - 基地

2 - 发射极

案例 - 集电极

参数

V

首席执行官

*

I

C（ CONT ）

h

FE

f

t

P

D

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

60

20

单位

V

A

-

Hz

@ 3/10 (V

CE

/ I

C

)

750

4M

18000

160

W

*最大工作电压

这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表，请联系

sales@semelab.co.uk 。

Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信

是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。

Semelab PLC 。

电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。

电子信箱：

sales@semelab.co.uk

网址：

http://www.semelab.co.uk

产生

31-Jul-02

2N6284

2N6287

互补功率达林顿晶体管

特点

■

在单片互补晶体管

达林顿配置

集成的集电极 - 发射极反向并联二极管

应用

■

音频功率放大器

DC-AC转换

通用开关应用

1

2

TO-3

描述

的2N6284是外延基NPN电源

晶体管的单片达林顿配置

安装在TO-3金属外壳。这是inteded的

通用放大器和低频

开关应用。

互补PNP类型是2N6287 。

图1 。

内部示意图

R

1

（典型值）。 = 8千欧

R

2

（典型值）。 = 60 kΩ的

表1中。

设备简介

记号

2N6284

2N6287

包

TO-3

包装

袋

订货编号

2N6284

2N6287

2009年1月

REV 3

1/8

www.st.com

8

绝对最大额定值

2N6284 - 2N6287

1

绝对最大额定值

表2中。

绝对最大额定值

价值

符号

参数

NPN

PNP

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

合计

T

英镑

T

J

集电极 - 基极电压

(I

E

= 0)

2N6284

2N6287

100

5

20

40

0.5

160

-65 200

200

V

A

W

°C

单位

集电极 - 发射极电压（I

B

= 0)

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值（T

P

＆ LT ; 5毫秒）

基极电流

总功耗在T

C

= 25 °C

储存温度

马克斯。工作结温

(I

C

= 0)

为PNP型的电压和电流值是负

表3中。

符号

R

THJ情况

热数据

参数

热阻结案件____

____Max

价值

1.09

单位

° C / W

2/8

2N6284 - 2N6287

电气特性

2

电气特性

(T

例

= 25°C ;除非另有规定）

表4 。

符号

I

CEV

I

首席执行官

I

EBO

V

CEO(sus)(1)

V

CE(sat)(1)

V

BE(sat)(1)

V

BE(1)

h

FE(1)

h

fe

电气特性

参数

集电极截止电流

(V

BE

= -1.5 V)

集电极截止电流

(I

B

= 0)

发射极截止电流

(I

C

= 0)

测试条件

V

CE

= 100 V

V

CE

= 100 V

V

CE

= 50 V

V

EB

= 5 V

100

I

B

= 40毫安

I

B

= 200毫安

I

B

= 200毫安

V

CE

= 3 V

V

CE

= 3 V

V

CE

= 3 V

V

CE

= 3 V

F = 100千赫

400

600

pF

750

100

300

2

3

4

2.8

18000

分钟。

典型值。

马克斯。

0.5

5

1

2

单位

mA

V

T

c

= 150

°C

集电极 - 发射极

I =百毫安

维持电压（我

B

= 0)

C

集电极 - 发射极

饱和电压

基射极饱和

电压

基射极电压

直流电流增益

小信号电流增益

I

C

= 10 A

I

C

= 20 A

__

I

C

= 20 A

__

I

C

= 10 A

__

I

C

= 10 A_

I

C

= 20 A_

I

C

= 10 A_

F = 1千赫

V

CB

= 10 V

为2N6284

为2N6287

C

CBO

集电极 - 基

电容（我

E

= 0)

1，脉冲持续时间= 300微秒，占空比

≤

1.5 %

为PNP型的电压和电流值是负

3/8

电气特性

2N6284 - 2N6287

2.1

图2中。

电特性（曲线）

直流电流增益（ NPN型）

网络连接gure 3 。

h

FE

直流电流增益（ PNP型）

G-5350

T

C

=150°C

10000

1000

T

C

=25°C

T

C

=-55°C

V

CE

=5V

100

0.1

1

10 I

C

(A)

图4中。

直流电流增益（ NPN型）

图5中。

直流电流增益（ PNP型）

图6 。

集电极 - 发射极饱和电压如图7所示。

（ NPN型）

集电极 - 发射极饱和电压

（ PNP型）

4/8

2N6284 - 2N6287

包装机械数据

3

包装机械数据

为了满足环保要求， ST提供不同档次的这些设备

ECOPACK包，根据符合环保要求的水平。 ECOPACK

可在规格，等级定义和产品状态： www.st.com 。

ECOPACK是ST的商标。

5/8

2N6284

2N6287

其他芯片

功率达林顿晶体管

s

意法半导体的优选

SALESTYPES

互补PNP - NPN器件

综合反平行

集电极 - 发射极二极管

应用

s

线性和开关工业

设备

描述

的2N6284为硅外延基NPN型

在单片达林顿功率晶体管

配置安装在JEDEC的TO - 3金属外壳。

它是inteded通用放大器和低

高频开关应用。

互补PNP类型是2N6287 。

1

2

TO-3

内部原理图

R

1

（典型值）。 = 8千欧

R

2

（典型值）。 = 60

绝对最大额定值

符号

参数

NPN

PNP

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

合计

T

英镑

T

j

集电极 - 基极电压（I

E

= 0)

集电极 - 发射极电压（I

B

= 0)

发射极 - 基极电压（I

C

= 0)

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

总功耗在T

c

≤

25

o

C

储存温度

马克斯。工作结温

价值

2N6284

2N6287

100

5

20

40

0.5

160

-65 200

200

单位

V

A

W

o

C

o

C

为PNP型的电压和电流值是负的。

2000年12月

1/4

2N6284 / 2N6287

热数据

R

THJ情况

热阻结案件

最大

1.09

o

C / W

电气特性

(T

例

= 25

o

C除非另有说明）

符号

I

CEV

I

首席执行官

参数

集电极截止

电流（V

BE

= -1.5V)

测试条件

V

CE

=额定V

首席执行官

V

CE

=额定V

首席执行官

V

CE

= 50 V

V

EB

= 5 V

I

C

= 100毫安

I

C

= 10 A

I

C

= 20 A

I

C

= 20 A

I

C

= 10 A

I

C

= 10 A

I

C

= 20 A

I

C

= 3 A

I

B

= 40毫安

I

B

= 200毫安

I

B

= 200毫安

V

CE

= 3 V

V

CE

= 3 V

V

CE

= 3 V

V

CE

= 10 V

750

100

300

100

2

3

4

2.8

18000

T

c

= 150 C

o

分钟。

典型值。

马克斯。

0.5

5

1

2

单位

mA

V

集电极截止

电流（I

B

= 0)

I

EBO

发射极截止电流

(I

C

= 0)

V

CEO （ SUS ）

集电极 - 发射极

维持电压

V

CE （ SAT ）

集电极 - 发射极

饱和电压

V

BE （ SAT ）

V

BE

h

FE

h

fe

C

CBO

基射

饱和电压

基射极电压

直流电流增益

小信号电流

收益

集电极和基

电容

F = 1kHz时

F = 100KHz的

I

E

= 0

V

CB

= 10 V

为

NPN型

为

PNP类型

400

600

pF

脉冲：脉冲宽度= 300

s,

占空比1.5 ％

2/4

2N6284 / 2N6287

TO- 3机械数据

mm

分钟。

A

B

C

D

E

G

N

P

R

U

V

11.00

0.97

1.50

8.32

19.00

10.70

16.50

25.00

4.00

38.50

30.00

典型值。

马克斯。

13.10

1.15

1.65

8.92

20.00

11.10

17.20

26.00

4.09

39.30

30.30

分钟。

0.433

0.038

0.059

0.327

0.748

0.421

0.649

0.984

0.157

1.515

1.187

寸

典型值。

马克斯。

0.516

0.045

0.065

0.351

0.787

0.437

0.677

1.023

0.161

1.547

1.193

DIM 。

P

G

A

D

C

U

V

O

N

R

B

P003F

3/4

E

2N6284 / 2N6287

提供的资料被认为是准确和可靠。然而，意法半导体承担的后果不承担任何责任

使用这些信息，也不对任何侵犯第三方专利或其他权利的可能导致其使用。无许可证

牌照以暗示或以其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。本出版物中提到的规格

如有更改，恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。意法半导体的产品

未授权使用的，而不意法半导体的明确书面批准的生命支持设备或系统中的关键组件。

ST的标志是意法半导体公司的商标。

公司意法半导体集团

澳大利亚 - 巴西 - 中国 - 芬兰 - 法国 - 德国 - 香港 - 印度 - 意大利 - 日本 - 马来西亚 - 马耳他 - 摩洛哥 -

新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 英国 - 美国

http://www.st.com

4/4

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

描述

·带

TO- 3封装

.Complement

键入2N6285 / 6287分之6286

高

直流电流增益

达林顿

应用

For

在一般用途的放大器的使用和

低频开关应用

钉扎

针

1

2

3

BASE

辐射源

描述

2N6282 2N6283 2N6284

Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号

集热器

绝对最大额定值（Ta =

℃)

符号

固电

IN

导½

半

参数

条件

2N6282

2N6283

V

CBO

集电极 - 基极电压

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

SEM

NG

HA

C

2N6284

2N6282

2N6283

2N6284

发射极开路

ND

ICO

器

UC

价值

60

80

100

60

80

100

单位

V

开基

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

D

T

j

T

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

总功耗

结温

储存温度

集电极开路

5

20

40

0.5

V

A

W

℃

T

C

=25℃

160

200

-65~200

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结到外壳

价值

1.09

单位

℃/W

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2N6282 2N6283 2N6284

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

2N6282

V

CEO （ SUS ）

集电极 - 发射极

维持电压

2N6283

2N6284

V

CEsat-1

V

CEsat-2

V

BESAT

V

BE

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

基射极电压上

I

C

= 10A ;我

B

=40mA

I

C

= 20A ;我

B

=200mA

I

C

= 20A ;我

B

=200mA

I

C

= 10A ; V

CE

=3V

2N6282

2N6283

V

CE

= 30V ;我

B

=0

V

CE

= 40V ;我

B

=0

V

CE

= 50V ;我

B

=0

I

C

= 0.2A ;我

B

=0

条件

民

60

80

100

2.0

3.0

4.0

2.8

V

典型值。

最大

单位

I

首席执行官

固电

IN

集电极截止电流

导½

半

2N6284

2N6282

2N6283

I

CEX

集电极截止电流

NG

HA

C

2N6284

SEM

V

CE

=60V; V

BE

=-1.5V

T

C

=150℃

V

CE

=80V; V

BE

=-1.5V

T

C

=150℃

ND

ICO

器

UC

1.0

0.5

5.0

0.5

5.0

0.5

5.0

2.0

mA

V

CE

=100V; V

BE

=-1.5V

T

C

=150℃

V

EB

= 5V ;我

C

=0

I

C

= 10A ; V

CE

=3V

I

C

= 20A ; V

CE

=3V

I

E

=0; V

CB

=10V;f=1MHz

750

100

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

C

OB

发射极截止电流

直流电流增益

输出电容

mA

18000

400

pF

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2N6282 2N6283 2N6284

固电

IN

导½

半

SEM

NG

HA

C

ND

ICO

器

UC

图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的

3

功率晶体管

TO- 3案（续）

型号

IC

(A)

最大

10

15

PD

(W)

125

175

115

150

160

125

117

100

125

100

125

175

100

120

150

BVCBO

(V)

民

110

300

375

450

55

100

60

80

100

500

600

700

50

40

60

80

50

70

90

650

850

650

850

650

850

45

60

90

120

350

400

450

BVCEO

(V)

民

100

200

275

350

45

80

60

80

100

250

300

350

40

60

80

40

60

80

300

400

300

400

300

400

40

60

90

120

300

350

400

的hFE

* TYP

民

20

10

8.0

6.0

20

750

15

12

15

最大

100

50

70

@ IC VCE （ SAT ）

(A)

5.0

10

3.0

5.0

(V)

最大

3.5

1.5

4.0

3.0

5.0

4.0

3.0

3.5

1.0

1.5

4.0

2.0

@ IC

(A)

10

15

20

8.0

16

10

15

3.0

8.0

5.0

10

4.0

15

8.0

NPN

2N6249

2N6250

2N6251

2N6253

2N6254

2N6282

2N6283

2N6284

2N6306

2N6307

2N6308

2N6371

2N6383

2N6384

2N6385

2N6470

2N6471

2N6472

2N6542

2N6543

2N6544

2N6545

2N6546

2N6547

2N6569

2N6576

2N6577

2N6578

2N6671

2N6672

2N6673

PNP

2N6248

fT

* TYP

（兆赫）

民

4.0

2.5

4.0

--

4.0

5.0

4.0

6.0

4.0

6.0

2.5

6.0

15

2N6285

2N6286

2N6287

20

8.0

15

18,000 10

75

60

8.0

2N6648

2N6649

2N6650

2N6469

10

15

5.0

8.0

15

1,000 20,000 5.0

20

7.0

12

15

150

35

60

200

5.0

3.0

5.0

4.0

2N6594

12

15

8.0

2,000 20,000 4.0

10

40

--

阴影部分表示达林顿。

83

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

技术参数

NPN达林顿功率硅晶体管

每个合格的MIL -PRF-五百〇四分之一万九千五百

器件

2N6283

2N6284

资质等级

JAN

JANTX

JANTXV

最大额定值

评级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

基极电流

集电极电流

总功耗

(1)

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

B

I

C

P

T

J

,

T

英镑

符号

R

θ

JC

0

2N6583

80

2N6284

100

单位

VDC

ADC

W

0

C

单位

0

C / W

@ T

C

= +25

0

C

@ T

C

= +100

0

C

操作&存储结温范围

7.0

0.5

20

175

87.5

-65到+200

马克斯。

0.857

热特性

特征

热阻，结到外壳

TO-3*

(TO-204AA)

*请参阅附录A

包装外形

1)

线性降额@ 1.17 W / C上面的牛逼

C

> + 25℃

电气特性（T

C

= 25

0

C除非另有说明）

特征

符号

分钟。

马克斯。

单位

0

开关特性

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 100 MADC

集电极 - 发射极截止电流

V

CE

= 40 VDC

V

CE

= 50伏直流

集电极 - 发射极截止电流

V

CE

= 80伏，V

BE

= 1.5 VDC

V

CE

= 100伏，V

BE

= 1.5 VDC

发射基截止电流

V

EB

= 7.0伏

2N6283

2N6284

2N6283

2N6284

2N6283

2N6284

V

（ BR ）

首席执行官

80

100

1.0

5.0

2.5

VDC

I

首席执行官

MADC

I

CEX

I

EBO

MADC

6湖街，劳伦斯，MA 01841

1-800-446-1158 / （ 978 ） 794-1666 /传真：（ 978 ） 689-0803

120101

第1页2

2N6283 ， 2N6284 JAN系列

电气特性（续）

特征

符号

分钟。

马克斯。

单位

基本特征

(2)

正向电流传输比

I

C

= 1.0 ADC ，V

CE

= 3.0伏

I

C

= 10位ADC ，V

CE

= 3.0伏

I

C

= 20 ADC ，V

CE

= 3.0伏

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= 20 ADC ，我

B

= 200 MADC

I

C

= 10位ADC ，我

B

= 40 MADC

基射极饱和电压

I

C

= 20 ADC ，我

B

= 200 MADC

基射极电压

I

C

= 10位ADC ，V

CE

= 3.0VDC

h

FE

1,500

1,250

500

18,000

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

V

BE

3.0

2.0

4.0

2.8

VDC

动态特性

共发射小信号短路幅度

正向电流传输比

I

C

= 10位ADC ，V

CE

= 3.0伏， F = 1.0 MHz的

小信号短路正向电流传输比

I

C

= 10位ADC ，V

CE

= 3.0伏， F = 1.0千赫

输出电容

V

CB

= 10 VDC ，我

E

= 0，100千赫

≤

f

≤

1.0兆赫

h

fe

h

fe

C

敖包

8.0

700

300

pF

80

开关特性

开启时间

V

CC

= 30伏直流;我

C

= 10位ADC ;我

B

= 40 MADC

打开-O FF时间

V

CC

= 30伏直流;我

C

= 10位ADC ;我

B1

= I

B2

= 40 MADC

t

on

2.0

10

s

t

关闭

安全工作区

DC测试

T

C

= +25

0

C， 1个周期，T = 1.0秒

测试1

V

CE

= 8.75伏，我

C

- 20 ADC

测试2

V

CE

= 30伏直流电，我

C

= 5.8 ADC

测试3

V

CE

= 80伏直流，我

C

= 100 MADC

2N6283

V

CE

= 100伏，我

C

= 100 MADC

2N6284

（ 2 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比

≤

2.0%.

6湖街，劳伦斯，MA 01841

1-800-446-1158 / （ 978 ） 794-1666 /传真：（ 978 ） 689-0803

120101

第2页2

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