【2N6263尺寸以毫米（英寸）。3.68（ 0.145 ）弧度。马克斯。6.35 (0.250)8】,IC型号2N6263,2N6263 PDF资料,2N6263经销商,ic,电子元器件-51电子网

2N6263

尺寸以毫米（英寸）。

3.68

（ 0.145 ）弧度。

马克斯。

6.35 (0.250)

8.64 (0.340)

3.61 (0.142)

4.08(0.161)

弧度。

在一个双极NPN器件

密封TO66

金属包装。

11.94 (0.470)

12.70 (0.500)

24.13 (0.95)

24.63 (0.97)

1

14.48 (0.570)

14.99 (0.590)

2

0.71 (0.028)

0.86 (0.034)

双极NPN装置。

V

首席执行官

= 120V

I

C

= 3A

所有Semelab密封产品

可根据被处理

BS ， CECC和JAN的要求，

JANTX ， JANTXV和JANS规格

4.83 (0.190)

5.33 (0.210)

9.14 (0.360)

分钟。

1.27 (0.050)

1.91 (0.750)

TO66 （ TO213AA ）

引脚配置

1 - 基地

2 - 发射极

案例 - 集电极

参数

V

首席执行官

*

I

C（ CONT ）

h

FE

f

t

P

D

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

120

3

单位

V

A

-

Hz

@ 4/0.5 (V

CE

/ I

C

)

20

2M

100

20

W

*最大工作电压

这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表，请联系

sales@semelab.co.uk 。

Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信

是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。

Semelab PLC 。

电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。

电子信箱：

sales@semelab.co.uk

网址：

http://www.semelab.co.uk

产生

1-Aug-02

功率晶体管

TO- 66案例

型号

NPN

2N3054

2N3054A

2N3583

2N3584

2N3585

2N3738

2N3739

PNP

2N6049

2N6420

2N6421

2N6422

IC

(A)

最大

4.0

2.0

1.0

4.0

3.0

5.0

3.0

5.0

3.0

5.0

2.0

1.0

7.0

1.0

4.0

3.0

4.0

8.0

7.0

6.0

1.0

4.0

3.0

PD

(W)

25

75

35

20

25

20

35

75

35

75

35

75

35

20

25

40

35

29

50

20

50

75

90

40

20

40

29

25

BVCBO

(V)

民

90

250

375

500

250

325

60

80

100

50

40

70

60

90

80

500

350

500

40

60

80

100

275

350

400

50

90

140

60

80

60

80

60

80

90

70

50

250

325

110

130

60

160

BVCEO

(V)

民

55

175

250

300

225

300

60

80

60

80

40

60

80

300

250

350

40

60

80

100

225

300

350

40

80

120

60

80

60

80

60

80

60

40

225

300

100

120

60

120

的hFE

民

25

40

30

40

25

40

50

25

50

20

30

60

30

60

10

20

25

20

750

20

40

15

20

25

最大

150

- -

200

150

160

100

- -

150

75

150

120

240

120

240

100

150

18,000

100

200

150

120

150

@ IC VCE （ SAT ） @ IC

(A)

(V)

(A)

最大

0.5

0.1

0.25

0.5

1.5

0.1

0.05

0.5

2.0

1.0

1.5

0.5

2.0

4.0

2.5

2.0

2.5

3.0

0.1

1.5

1.0

0.5

1.0

0.5

5.0

0.75

2.5

0.6

1.0

2.0

4.0

2.0

4.0

2.0

4.0

1.0

0.9

0.75

0.6

0.7

1.4

1.6

2.0

1.5

0.5

1.2

2.0

1.0

2.5

1.2

1.0

0.5

1.0

0.25

1.0

0.5

3.0

5.0

3.0

5.0

3.0

5.0

0.75

0.05

1.0

2.0

0.125

1.5

0.5

2.0

4.0

2.0

2.5

3.0

0.25

1.5

0.5

fT

（兆赫）

民

0.8

10

3.0

10

4.0

15

20

3.0

30

20

0.8

4.0

10

5.0

0.75

0.2

2N3740

2N3740A

2N3741

2N3741A

2N3766

2N3767

2N4231

2N4231A

2N4232

2N4232A

2N4233

2N4233A

2N4240

2N4296

2N4298

2N4299

2N4910

2N4911

2N4912

2N5427

2N5428

2N5429

2N5430

2N6312

2N6313

2N6314

2N6423

2N4898

2N4899

2N4900

2N6211

2N6212

2N6213

2N6260

2N6261

2N6263

2N6294

2N6295

2N6300

2N6301

2N6315

2N6316

2N6372

2N6373

2N6374

2N6465

2N6466

40312

CM3441

2N6296

2N6297

2N6298

2N6299

2N6317

2N6318

2N5954

2N5955

2N5956

2N6424

2N6425

2N6467

2N6468

86

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

阴影部分表示达林顿。

2N6263

尺寸以毫米（英寸）。

3.68

（ 0.145 ）弧度。

马克斯。

6.35 (0.250)

8.64 (0.340)

3.61 (0.142)

4.08(0.161)

弧度。

在一个双极NPN器件

密封TO66

金属包装。

11.94 (0.470)

12.70 (0.500)

24.13 (0.95)

24.63 (0.97)

1

14.48 (0.570)

14.99 (0.590)

2

0.71 (0.028)

0.86 (0.034)

双极NPN装置。

V

首席执行官

= 120V

I

C

= 3A

所有Semelab密封产品

可根据被处理

BS ， CECC和JAN的要求，

JANTX ， JANTXV和JANS规格

4.83 (0.190)

5.33 (0.210)

9.14 (0.360)

分钟。

1.27 (0.050)

1.91 (0.750)

TO66 （ TO213AA ）

引脚配置

1 - 基地

2 - 发射极

案例 - 集电极

参数

V

首席执行官

*

I

C（ CONT ）

h

FE

f

t

P

D

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

120

3

单位

V

A

-

Hz

@ 4/0.5 (V

CE

/ I

C

)

20

2M

100

20

W

*最大工作电压

这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表，请联系

sales@semelab.co.uk 。

Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信

是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。

Semelab PLC 。

电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。

电子信箱：

sales@semelab.co.uk

网址：

http://www.semelab.co.uk

产生

1-Aug-02

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

描述

·采用TO- 66封装

·高击穿电压

·低集电极饱和电压

应用

·各种各样的中到高功率的，

高电压应用

·串联和并联稳压器

·高保真放大器

·电源开关电路

·电磁阀驱动

钉扎（参见图2 ）

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

描述

2N6263 2N6264

Fig.1简化外形（ TO- 66 ）和符号

绝对最大额定值（Ta = 25

)

符号

V

CBO

参数

集电极 - 基极电压

2N6263

2N6264

2N6263

2N6264

条件

发射极开路

价值

140

170

120

150

7

3

4

2

2N6263

2N6264

T

C

=25

20

50

150

-65~200

单位

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

T

j

T

英镑

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

总功耗

结温

储存温度

开基

集电极开路

V

A

W

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结到外壳

2N6263

2N6264

最大

8.75

3.5

单位

/W

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

2N6263

I

C

= 0.1 A;我

B

=0

2N6264

2N6263

2N6264

2N6263

V

BE

基地发射极电压上

2N6264

2N6263

I

CEX

集电极截止电流

2N6264

2N6263

I

首席执行官

集电极截止电流

2N6264

2N6263

I

EBO

发射极截止电流

2N6264

2N6263

h

FE-1

直流电流增益

2N6264

2N6263

h

FE-2

直流电流增益

2N6264

f

T

跃迁频率

第二

击穿

集电极电流

基地正向偏置

2N6263

2N6264

I

C

= 0.2A ; V

CE

=4V

V

CE

=120Vdc,t=1.0s,

不重复

I

C

= 3A ; V

CE

=2V

5

200

I

C

= 1A ; V

CE

=2V

20

3

V

EB

= 7V ;我

C

=0

I

C

= 0.5 A; V

CE

=4V

20

V

CE

=130V;I

B

=0

V

EB

= 5V ;我

C

=0

I

C

= 1.0A ; V

CE

=2V

V

CE

=120V; V

BE （OFF）的

=-1.5V

T

C

=150

V

CE

=150V; V

BE （OFF）的

=-1.5V

T

C

=150

V

CE

=100V;I

B

=0

I

C

= 0.5A ;我

B

=0.05A

I

C

= 1.0A ;我

B

=0.1A

I

C

= 0.5A ; V

CE

=4V

150

条件

符号

2N6263 2N6264

民

120

典型值。

最大

单位

V

CEO （ SUS ）

集电极 - 发射极

维持电压

V

CESAT

集电极 - 发射极

饱和电压

1.2

V

0.5

2.0

V

1.5

2

10

0.05

1.0

5

mA

1

2

mA

0.2

100

60

mA

千赫

0.167

A

0.417

I

S / B

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2N6263 2N6264

图2外形尺寸

3

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

描述

·带

TO- 66封装

高

击穿电压

ULOW

集电极饱和电压

应用

A

各种各样的中到高功率的，

高电压应用

系列

和并联稳压器

·高保真

放大器器

“权力

开关电路

·电磁阀

DRIVERS

钉扎（参见图2 ）

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

描述

2N6263 2N6264

Fig.1简化外形（ TO- 66 ）和符号

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

V

CBO

参数

2N6263

集电极 - 基极电压

2N6264

2N6263

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

T

j

T

英镑

集电极 - 发射极电压

2N6264

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

2N6263

总功耗

2N6264

结温

储存温度

T

C

=25℃

50

150

-65~200

℃

集电极开路

开基

150

7

3

4

2

20

W

V

A

发射极开路

170

120

V

条件

价值

140

V

单位

热特性

符号

R

第j个-C

参数

2N6263

热阻结到外壳

2N6264

3.5

最大

8.75

单位

℃/W

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

2N6263

I

C

= 0.1 A;我

B

=0

2N6264

2N6263

2N6264

2N6263

V

BE

基地发射极电压上

2N6264

2N6263

I

CEX

集电极截止电流

2N6264

2N6263

I

首席执行官

集电极截止电流

2N6264

2N6263

I

EBO

发射极截止电流

2N6264

2N6263

h

FE-1

直流电流增益

2N6264

2N6263

h

FE-2

直流电流增益

2N6264

f

T

跃迁频率

第二

击穿

集电极电流

基地正向偏置

2N6263

2N6264

I

C

= 0.2A ; V

CE

=4V

I

C

= 3A ; V

CE

=2V

5

200

0.167

I

C

= 1A ; V

CE

=2V

20

3

V

EB

= 7V ;我

C

=0

I

C

= 0.5 A; V

CE

=4V

20

V

CE

=130V;I

B

=0

V

EB

= 5V ;我

C

=0

I

C

= 1.0A ; V

CE

=2V

V

CE

=120V; V

BE （OFF）的

=-1.5V

T

C

=150℃

V

CE

=150V; V

BE （OFF）的

=-1.5V

T

C

=150℃

V

CE

=100V;I

B

=0

I

C

= 0.5A ;我

B

=0.05A

I

C

= 1.0A ;我

B

=0.1A

I

C

= 0.5A ; V

CE

=4V

140

条件

民

120

2N6263 2N6264

典型值。

最大

单位

V

CEO （ SUS ）

集电极 - 发射极

维持电压

V

CESAT

集电极 - 发射极

饱和电压

1.2

V

0.5

2.0

V

1.5

2

10

0.05

1.0

5

mA

1

2

mA

0.2

100

60

mA

千赫

I

S / B

V

CE

=120Vdc,t=1.0s,

不重复

A

0.417

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2N6263 2N6264

图2外形尺寸

3

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

描述

·带

TO- 66封装

高

击穿电压

ULOW

集电极饱和电压

应用

A

各种各样的中到高功率的，

高电压应用

系列

和并联稳压器

·高保真

放大器器

“权力

开关电路

·电磁阀

DRIVERS

钉扎（参见图2 ）

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

描述

2N6263 2N6264

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

V

CBO

固电

IN

导½

半

参数

Fig.1简化外形（ TO- 66 ）和符号

集电极 - 基极电压

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

T

j

T

英镑

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

SEM

NG

HA

C

2N6263

2N6264

2N6263

2N6264

发射极开路

ND

ICO

条件

器

UC

价值

140

170

120

150

7

3

4

2

单位

V

开基

V

A

W

50

150

-65~200

℃

集电极开路

2N6263

总功耗

2N6264

结温

储存温度

T

C

=25℃

20

热特性

符号

R

第j个-C

参数

2N6263

热阻结到外壳

2N6264

3.5

最大

8.75

单位

℃/W

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

2N6263

I

C

= 0.1 A;我

B

=0

2N6264

2N6263

2N6264

2N6263

V

BE

基地发射极电压上

2N6264

2N6263

I

CEX

集电极截止电流

2N6264

I

C

= 1.0A ; V

CE

=2V

V

CE

=120V; V

BE （OFF）的

=-1.5V

T

C

=150℃

V

CE

=150V; V

BE （OFF）的

=-1.5V

T

C

=150℃

V

CE

=100V;I

B

=0

V

CE

=130V;I

B

=0

V

EB

= 5V ;我

C

=0

V

EB

= 7V ;我

C

=0

I

C

= 0.5A ;我

B

=0.05A

I

C

= 1.0A ;我

B

=0.1A

I

C

= 0.5A ; V

CE

=4V

140

条件

民

120

2N6263 2N6264

典型值。

最大

单位

V

CEO （ SUS ）

集电极 - 发射极

维持电压

V

CESAT

集电极 - 发射极

饱和电压

1.2

V

0.5

2.0

V

1.5

2

10

0.05

1.0

5

mA

I

首席执行官

集电极截止电流

I

EBO

固电

IN

导½

半

2N6263

2N6264

2N6263

2N6264

2N6263

发射极截止电流

h

FE-1

直流电流增益

GS

AN

CH

2N6264

2N6263

2N6264

I

C

= 0.5 A; V

CE

=4V

I

C

= 1A ; V

CE

=2V

MIC

E

ND

O

20

3

器

UC

1

2

0.2

100

60

mA

h

FE-2

直流电流增益

I

C

= 3A ; V

CE

=2V

5

I

C

= 0.2A ; V

CE

=4V

2N6263

2N6264

200

0.167

A

0.417

千赫

f

T

跃迁频率

第二

击穿

集电极电流

基地正向偏置

I

S / B

V

CE

=120Vdc,t=1.0s,

不重复

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2N6263 2N6264

固电

IN

导½

半

SEM

NG

HA

C

ND

ICO

器

UC

图2外形尺寸

3