【功率晶体管TO- 66案例型号NPN2N30542N3054A2N35832N35842N35852】,IC型号2N6261,2N6261 PDF资料,2N6261经销商,ic,电子元器件-51电子网

功率晶体管

TO- 66案例

型号

NPN

2N3054

2N3054A

2N3583

2N3584

2N3585

2N3738

2N3739

PNP

2N6049

2N6420

2N6421

2N6422

IC

(A)

最大

4.0

2.0

1.0

4.0

3.0

5.0

3.0

5.0

3.0

5.0

2.0

1.0

7.0

1.0

4.0

3.0

4.0

8.0

7.0

6.0

1.0

4.0

3.0

PD

(W)

25

75

35

20

25

20

35

75

35

75

35

75

35

20

25

40

35

29

50

20

50

75

90

40

20

40

29

25

BVCBO

(V)

民

90

250

375

500

250

325

60

80

100

50

40

70

60

90

80

500

350

500

40

60

80

100

275

350

400

50

90

140

60

80

60

80

60

80

90

70

50

250

325

110

130

60

160

BVCEO

(V)

民

55

175

250

300

225

300

60

80

60

80

40

60

80

300

250

350

40

60

80

100

225

300

350

40

80

120

60

80

60

80

60

80

60

40

225

300

100

120

60

120

的hFE

民

25

40

30

40

25

40

50

25

50

20

30

60

30

60

10

20

25

20

750

20

40

15

20

25

最大

150

- -

200

150

160

100

- -

150

75

150

120

240

120

240

100

150

18,000

100

200

150

120

150

@ IC VCE （ SAT ） @ IC

(A)

(V)

(A)

最大

0.5

0.1

0.25

0.5

1.5

0.1

0.05

0.5

2.0

1.0

1.5

0.5

2.0

4.0

2.5

2.0

2.5

3.0

0.1

1.5

1.0

0.5

1.0

0.5

5.0

0.75

2.5

0.6

1.0

2.0

4.0

2.0

4.0

2.0

4.0

1.0

0.9

0.75

0.6

0.7

1.4

1.6

2.0

1.5

0.5

1.2

2.0

1.0

2.5

1.2

1.0

0.5

1.0

0.25

1.0

0.5

3.0

5.0

3.0

5.0

3.0

5.0

0.75

0.05

1.0

2.0

0.125

1.5

0.5

2.0

4.0

2.0

2.5

3.0

0.25

1.5

0.5

fT

（兆赫）

民

0.8

10

3.0

10

4.0

15

20

3.0

30

20

0.8

4.0

10

5.0

0.75

0.2

2N3740

2N3740A

2N3741

2N3741A

2N3766

2N3767

2N4231

2N4231A

2N4232

2N4232A

2N4233

2N4233A

2N4240

2N4296

2N4298

2N4299

2N4910

2N4911

2N4912

2N5427

2N5428

2N5429

2N5430

2N6312

2N6313

2N6314

2N6423

2N4898

2N4899

2N4900

2N6211

2N6212

2N6213

2N6260

2N6261

2N6263

2N6294

2N6295

2N6300

2N6301

2N6315

2N6316

2N6372

2N6373

2N6374

2N6465

2N6466

40312

CM3441

2N6296

2N6297

2N6298

2N6299

2N6317

2N6318

2N5954

2N5955

2N5956

2N6424

2N6425

2N6467

2N6468

86

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

阴影部分表示达林顿。

2N6261

机械数据

尺寸mm （英寸）

HOMETAXIAL -BASE

中功率硅

NPN晶体管

6.35 (0.250)

8.64 (0.340)

3.68

（ 0.145 ）弧度。

马克斯。

3.61 (0.142)

3.86 (0.145)

弧度。

特点

0.71 (0.028)

0.86 (0.034)

f

T

= 800千赫0.2A

11.94 (0.470)

12.70 (0.500)

24.33 (0.958)

24.43 (0.962)

14.48 (0.570)

14.99 (0.590)

操作曲线最大安全区

直流和脉冲工作。

V

CEV （ SUS ）

= 90V分钟

低饱和电压：

V

VCE（SAT = 1.0V时

I

C = 0.5A ）

4.83 (0.190)

5.33 (0.210)

9.14 (0.360)

分钟。

1.27 (0.050)

1.91 (0.750)

应用

电源开关电路

串联和并联稳压器驱动器和

输出级

高保真amplifers

电磁驱动器

TO–66

引脚1 - 基地

PIN 2 - 发射极

情况是收藏家。

绝对最大额定值

(T

例

= 25 ° C除非另有说明）

V

CBO

V

首席执行官

V

CER （ SUS）

V

CEV （ SUS ）

V

EBO

I

C

I

B

P

D

T

j

,T

英镑

,

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压（带底座打开）

外部基地 - 发射极（ RBE ） = 100

W

)

集电极 - 发射极电压（带底座反向偏置）

发射器基极电压

连续集电极电流

连续基极电流

在温度上限= 25 ° C总功率耗散

减免上述25℃

工作和存储结温范围

90V

80V

85V

90V

7V

4A

2A

50W

0.200°C

-65 ℃200℃

按照JEDEC注册的数据格式

热特性

R

q

JC

热阻，结到外壳

3.5 ° C / W

Semelab PLC 。

电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。

电子信箱：

sales@semelab.co.uk

网址：

http://www.semelab.co.uk

7/00

2N6261

电气特性

（温度上限= 25 ° C除非另有说明）

参数

I

首席执行官

I

CEV

I

EBO

V

CEO （ SUS ）

V

CER （ SUS）

h

FE

V

CE （ SAT ）

V

BE

集电极截止电流

随着基地开放

集电极 - 截止电流

发射极截止电流

集电极 - 发射极可持续

电压与基地开放*

外部基地发射极

阻力

D.C正向电流*

集电极到发射极饱和

电压*

基地 - 发射极电压

共发射小信号

f

的hFE

短路，正向电流

传输比切断

频率

V

CE

= 4V

I

C

= 0.1

0.03

兆赫

测试条件

V

CE

= 60V

V

CE

= 80V

V

BE

= -7V

I

C

= 0.1A

V

BE

= 5V

V

CE

= 2V

V

CE

= 2V

I

C

= 1.5A

V

CE

= 2V

I

B

= 0

V

BE

= -1.5V

T

c

= 150°C

I

B

= 0

I

B

= 0

(R

BE

) = 100

W

I

C

= 4A

I

C

= 1.5A

I

B

= .0.15A

I

C

= 1.5

分钟。

典型值。

MAX 。 UNIT

0.5

1.0

0.2

mA

80

V

85

5

25

100

0.5

V

1.5

—

*

脉冲测试TP = 300

m

s

d

1.8%

Semelab PLC 。

电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。

电子信箱：

sales@semelab.co.uk

网址：

http://www.semelab.co.uk

7/00

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

描述

·带

TO- 66封装

ULOW

集电极饱和电压

ùWide

安全工作区

应用

“权力

开关电路

系列

和并联稳压器驱动器

和输出级

·高保真

amplifers

·电磁阀

DRIVERS

钉扎（参见图2 ）

针

1

2

3

BASE

辐射源

描述

2N6261

Fig.1简化外形（ TO- 66 ）和符号

集热器

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

B

P

T

j

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25℃

条件

发射极开路

开基

集电极开路

价值

90

80

7

4

2

50

150

-65~200

单位

V

A

W

℃

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结到外壳

最大

3.5

单位

℃/W

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

V

CEO （ SUS ）

V

CESAT

V

BE

I

CEV

I

首席执行官

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

参数

集电极 - 发射极电压维持

集电极 - 发射极饱和电压

基地发射极电压上

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

条件

I

C

= 0.1 A;我

B

=0

I

C

= 1.5A ;我

B

=0.15A

I

C

= 1.5A ; V

CE

=2V

V

CE

=80V;V

BE （OFF）的

=-1.5V

T

C

=150℃

V

CE

= 60V ;我

B

=0

V

EB

= 7V ;我

C

=0

I

C

= 4A ; V

CE

=2V

I

C

= 1.5A ; V

CE

=2V

5

25

民

80

典型值。

2N6261

最大

单位

V

0.5

1.5

0.5

1.0

0.5

0.2

V

mA

100

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2N6261

图2外形尺寸

3

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

描述

·采用TO- 66封装

·低集电极饱和电压

·宽安全工作区

应用

·电源开关电路

·串联和并联稳压器驱动器

和输出级

·高保真amplifers

·电磁阀驱动

钉扎（参见图2 ）

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

描述

2N6261

Fig.1简化外形（ TO- 66 ）和符号

绝对最大额定值（Ta = 25

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

B

P

T

j

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25

条件

发射极开路

开基

集电极开路

价值

90

80

7

4

2

50

150

-65~200

单位

V

A

W

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结到外壳

最大

3.5

单位

/W

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

集电极 - 发射极电压维持

集电极 - 发射极饱和电压

基地发射极电压上

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

条件

I

C

= 0.1 A;我

B

=0

I

C

= 1.5A ;我

B

=0.15A

I

C

= 1.5A ; V

CE

=2V

V

CE

=80V;V

BE （OFF）的

=-1.5V

T

C

=150

V

CE

= 60V ;我

B

=0

V

EB

= 7V ;我

C

=0

I

C

= 4A ; V

CE

=2V

I

C

= 1.5A ; V

CE

=2V

5

25

民

80

2N6261

符号

V

CEO （ SUS ）

V

CESAT

V

BE

I

CEV

I

首席执行官

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

典型值。

最大

单位

V

0.5

1.5

0.5

1.0

0.5

0.2

V

mA

100

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2N6261

图2外形尺寸

3

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

描述

·带

TO- 66封装

ULOW

集电极饱和电压

ùWide

安全工作区

应用

“权力

开关电路

系列

和并联稳压器驱动器

和输出级

·高保真

amplifers

·电磁阀

DRIVERS

钉扎（参见图2 ）

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

描述

2N6261

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

B

P

T

j

T

英镑

参数

固电

IN

导½

半

Fig.1简化外形（ TO- 66 ）和符号

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

总功耗

结温

储存温度

NG

HA

C

MIC

SE

发射极开路

开基

集电极开路

条件

ND

O

器

UC

价值

90

80

7

4

2

单位

V

A

W

℃

T

C

=25℃

50

150

-65~200

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结到外壳

最大

3.5

单位

℃/W

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

V

CEO （ SUS ）

V

CESAT

V

BE

I

CEV

I

首席执行官

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

参数

集电极 - 发射极电压维持

集电极 - 发射极饱和电压

基地发射极电压上

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

条件

I

C

= 0.1 A;我

B

=0

I

C

= 1.5A ;我

B

=0.15A

I

C

= 1.5A ; V

CE

=2V

V

CE

=80V;V

BE （OFF）的

=-1.5V

T

C

=150℃

V

CE

= 60V ;我

B

=0

V

EB

= 7V ;我

C

=0

I

C

= 4A ; V

CE

=2V

I

C

= 1.5A ; V

CE

=2V

5

25

民

80

典型值。

2N6261

最大

单位

V

0.5

1.5

0.5

1.0

0.5

0.2

V

mA

固电

IN

导½

半

SEM

NG

HA

C

ND

ICO

器

UC

100

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2N6261

固电

IN

导½

半

SEM

NG

HA

C

ND

ICO

器

UC

图2外形尺寸

3

产品speci fi cation

www.jmnic.com

硅NPN功率晶体管

描述

·带

TO- 66封装

ULOW

饱和电压

ùWide

安全工作区

应用

“权力

开关电路

系列

和并联稳压器驱动器

和输出级

·高保真

amplifers

·电磁阀

DRIVERS

钉扎（参见图2 ）

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

描述

2N6261

Fig.1简化外形（ TO- 66 ）和符号

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

B

P

T

j

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25℃

条件

发射极开路

开基

集电极开路

价值

90

80

7

4

2

50

150

-65~200

单位

V

A

W

℃

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结到外壳

最大

3.5

单位

℃/W

JMnic

产品speci fi cation

www.jmnic.com

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

V

CEO （ SUS ）

V

CESAT

V

BE

I

CEV

I

首席执行官

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

参数

集电极 - 发射极电压维持

集电极 - 发射极饱和电压

基地发射极电压上

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

条件

I

C

= 0.1 A;我

B

=0

I

C

= 1.5A ;我

B

=0.15A

I

C

= 1.5A ; V

CE

=2V

V

CE

=80V;V

BE （OFF）的

=-1.5V

T

C

=150℃

V

CE

= 60V ;我

B

=0

V

EB

= 7V ;我

C

=0

I

C

= 4A ; V

CE

=2V

I

C

= 1.5A ; V

CE

=2V

5

25

100

民

80

典型值。

2N6261

最大

单位

V

0.5

1.5

0.5

1.0

0.5

0.2

V

mA

JMnic

产品speci fi cation

www.jmnic.com

硅NPN功率晶体管

包装外形

2N6261

图2外形尺寸

JMnic