【INCHANGE半导体ISC产品speci fi cationISC硅NPN功率晶体管描述ΔDC目前】,IC型号2N6259,2N6259 PDF资料,2N6259经销商,ic,电子元器件-51电子网

INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC

硅NPN功率晶体管

描述

ΔDC

目前GAIN-

: h

FE

= 15-60@I

C

= 8A

高

功耗

: P

D

= 150W @我

C

= 15A

应用

·设计

高功率音频，磁头定位器，线性

放大器，开关稳压器，螺线管驱动器和直流 - 直流

转换器或逆变器。

绝对最大额定值（T

a

=25℃)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

CEX

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

I

BM

P

C

T

J

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流连续

集电极电流峰值

基极电流连续

基地电流 - 峰值

集电极耗散功率@T

C

=25℃

结温

储存温度

价值

170

150

170

7

16

30

4

15

150

200

-65~200

单位

V

A

W

℃

2N6259

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻，结到外壳

最大

1.17

单位

℃/W

ISC的网站： www.iscsemi.cn

INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC

硅NPN功率晶体管

电气特性

T

C

= 25 ℃除非另有规定

符号

V

CEO （ SUS ）

V

CE

（SAT）

-1

V

CE

（SAT）

-2

V

BE （

on

)

I

首席执行官

I

CEX

I

CBO

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

参数

集电极 - 发射极电压维持

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压上

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流增益

条件

I

C

= 100毫安;我

B

= 0

I

C

= 8A ;我

B

= 0.8A

I

C

= 16A ;我

B

= 3.2A

I

C

= 8A ; V

CE

= 2V

V

CE

= 130V ;我

B

= 0

V

CE

= 150V; V

BE （

关闭

)

= 1.5V

V

CB

= 150V ;我

E

= 0

V

EB

= 7V ;我

C

= 0

I

C

= 8A ; V

CE

= 2V

I

C

= 16A ; V

CE

= 4V

15

10

民

150

2N6259

最大

单位

V

1.0

2.5

2.0

10

2.0

5.0

60

V

mA

ISC的网站： www.iscsemi.cn

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

描述

·采用TO-3封装

·低集电极饱和电压

·高功耗

应用

·专为高功率音频，盘头

定位器，线性放大器，开关稳压

ulators螺线管驱动器，和DC-DC conv-

erters或逆变器

钉扎

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

描述

2N6259

Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号

绝对最大额定值（Ta =

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

I

BM

P

D

T

j

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

基极电流峰值

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25

条件

发射极开路

开基

集电极开路

价值

170

150

7

16

30

4

15

150

200

-65~200

单位

V

A

W

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结到外壳

价值

1.17

单位

/W

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

集电极 - 发射极电压维持

集电极 - 发射极饱和voltge

基射极电压上

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

条件

I

C

= 0.1A ;我

B

=0

I

C

= 8A ，我

B

=0.8A

I

C

= 16A ;我

B

=3.2A

I

C

= 8A ; V

CE

=2V

V

CE

= 130V ;我

B

=0

V

CE

=150V; V

BE （OFF）的

=1.5V

V

CB

= 150V ;我

E

=0

V

EB

= 7V ;我

C

=0

I

C

= 8A ; V

CE

=2V

I

C

= 16A ; V

CE

=4V

15

10

民

150

2N6259

符号

V

CEO （ SUS ）

V

CEsat-1

V

CEsat-2

V

BE

I

首席执行官

I

CEX

I

CBO

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

典型值。

最大

单位

V

1.5

2.5

2.0

10

2.0

5.0

60

V

mA

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2N6259

图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的

3

INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC

硅NPN功率晶体管

描述

ΔDC

目前GAIN-

: h

FE

= 15-60@I

C

= 8A

高

功耗

: P

D

= 150W @我

C

= 15A

应用

·设计

高功率音频，磁头定位器，线性

放大器，开关稳压器，螺线管驱动器和直流 - 直流

转换器或逆变器。

绝对最大额定值（T

a

=25℃)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

CEX

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

I

BM

P

C

T

J

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

价值

170

150

170

7

单位

V

2N6259

集电极电流连续

集电极电流峰值

基极电流连续

基地电流 - 峰值

w

参数

.CN

i

em

cs

。是

V

16

30

4

15

150

200

-65~200

A

W

℃

集电极耗散功率@T

C

=25℃

结温

储存温度

热特性

符号

R

第j个-C

最大

1.17

单位

℃/W

热阻，结到外壳

ISC的网站： www.iscsemi.cn

INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC

硅NPN功率晶体管

电气特性

T

C

= 25 ℃除非另有规定

符号

V

CEO （ SUS ）

V

CE

（SAT）

-1

V

CE

（SAT）

-2

V

BE （

on

)

I

首席执行官

I

CEX

I

CBO

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

参数

集电极 - 发射极电压维持

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压上

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流增益

条件

I

C

= 100毫安;我

B

= 0

I

C

= 8A ;我

B

= 0.8A

I

C

= 16A ;我

B

= 3.2A

I

C

= 8A ; V

CE

= 2V

V

CE

= 130V ;我

B

= 0

民

150

2N6259

最大

单位

V

1.0

2.5

2.0

10

2.0

5.0

15

10

60

V

mA

w

.CN

i

em

cs

。是

V

CE

= 150V; V

BE （

关闭

)

= 1.5V

V

CB

= 150V ;我

E

= 0

V

EB

= 7V ;我

C

= 0

I

C

= 8A ; V

CE

= 2V

I

C

= 16A ; V

CE

= 4V

ISC的网站： www.iscsemi.cn

2

A

A

A

产品speci fi cation

www.jmnic.com

硅NPN功率晶体管

描述

·带

TO- 3封装

ULOW

集电极饱和电压

高

功耗

应用

·设计

高功率音频，磁盘头

定位器，线性放大器，开关稳压器

螺线管驱动器和DC- DC转换器或逆变器

钉扎

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

描述

2N6259

Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号

绝对最大额定值（Ta =

℃)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

I

BM

P

D

T

j

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

基极电流峰值

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25℃

条件

发射极开路

开基

集电极开路

价值

170

150

7

16

30

4

15

150

200

-65~200

单位

V

A

W

℃

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结到外壳

价值

1.17

单位

℃/W

JMnic

产品speci fi cation

www.jmnic.com

硅NPN功率晶体管

2N6259

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

V

CEO （ SUS ）

V

CEsat-1

V

CEsat-2

V

BE

I

首席执行官

I

CEX

I

CBO

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

参数

集电极 - 发射极电压维持

集电极 - 发射极饱和voltge

基射极电压上

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

条件

I

C

= 0.1A ;我

B

=0

I

C

= 8A ，我

B

=0.8A

I

C

= 16A ;我

B

=3.2A

I

C

= 8A ; V

CE

=2V

V

CE

= 130V ;我

B

=0

V

CE

=150V; V

BE （OFF）的

=1.5V

V

CB

= 150V ;我

E

=0

V

EB

= 7V ;我

C

=0

I

C

= 8A ; V

CE

=2V

I

C

= 16A ; V

CE

=4V

15

10

民

150

1.5

2.5

2.0

10

2.0

5.0

60

典型值。

最大

单位

V

mA

JMnic

产品speci fi cation

www.jmnic.com

硅NPN功率晶体管

包装外形

2N6259

图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的

JMnic