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产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
2N6258
描述
·带
TO- 3封装
ULOW
集电极 - 发射极饱和电压
应用
·设计
音频放大器
开关电路的应用
钉扎
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形( TO- 3 )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta =
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
D
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
100
80
5
30
7.5
250
150
-65~200
单位
V
V
V
A
A
W
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
0.875
单位
℃/W
JMnic
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
2N6258
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
V
CEO ( SUS )
V
CESAT
V
BESAT
I
首席执行官
I
CEV
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和voltge
基射极饱和电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= 0.2A ;我
B
=0
I
C
= 7.5A ;我
B
=0.75A
I
C
= 7.5A ;我
B
=0.75A
V
CE
= 40V ;我
B
=0
V
CE
=100V; V
BE (OFF)的
=1.5V
T
C
=150℃
V
CB
= 100V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 15A ; V
CE
=2V
I
C
=1A;V
CE
=10V
20
0.8
兆赫
80
1.0
1.3
1.0
0.1
5.0
0.1
0.1
典型值。
最大
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
JMnic
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6258
图2外形尺寸( unindicated公差: ± 0.10mm)的
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2N6258
描述
·采用TO-3封装
·低集电极饱和电压
应用
·专为音频放大器
开关电路的应用
钉扎
1
2
3
BASE
辐射源
Fig.1简化外形( TO- 3 )和符号
集热器
描述
绝对最大额定值(Ta =
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
D
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
100
80
5
30
7.5
250
150
-65~200
单位
V
V
V
A
A
W
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
0.875
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2N6258
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和voltge
基射极饱和电压
集电极截止电流
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= 0.2A ;我
B
=0
I
C
= 7.5A ;我
B
=0.75A
I
C
= 7.5A ;我
B
=0.75A
V
CE
= 40V ;我
B
=0
V
CE
=100V; V
BE (OFF)的
=1.5V
T
C
=150
V
CB
= 100V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 15A ; V
CE
=2V
I
C
=1A;V
CE
=10V
20
0.8
兆赫
80
1.0
1.3
1.0
0.1
5.0
0.1
0.1
典型值。
最大
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
符号
V
CEO ( SUS )
V
CESAT
V
BESAT
I
首席执行官
I
CEV
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6258
图2外形尺寸( unindicated公差: ± 0.10mm)的
3
本站由ICminer.com电子图书馆服务版权所有2003
本站由ICminer.com电子图书馆服务版权所有2003
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2N6258
描述
·带
TO- 3封装
ULOW
集电极饱和电压
应用
·设计
音频放大器
开关电路的应用
钉扎
1
2
3
BASE
辐射源
Fig.1简化外形( TO- 3 )和符号
集热器
描述
绝对最大额定值(Ta =
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
D
T
j
T
英镑
固电
IN
导½
参数
开基
条件
发射极开路
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
GS
AN
CH
集电极开路
MIC
E
ND
O
UC
价值
100
80
5
30
7.5
单位
V
V
V
A
A
W
T
C
=25℃
250
150
-65~200
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
0.875
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2N6258
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
V
CEO ( SUS )
V
CESAT
V
BESAT
I
首席执行官
I
CEV
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和voltge
基射极饱和电压
集电极截止电流
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
条件
I
C
= 0.2A ;我
B
=0
I
C
= 7.5A ;我
B
=0.75A
I
C
= 7.5A ;我
B
=0.75A
V
CE
= 40V ;我
B
=0
V
CE
=100V; V
BE (OFF)的
=1.5V
T
C
=150℃
V
CB
= 100V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 15A ; V
CE
=2V
I
C
=1A;V
CE
=10V
20
80
1.0
1.3
1.0
0.1
5.0
0.1
0.1
典型值。
最大
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
固电
IN
直流电流增益
导½
跃迁频率
SEM
NG
HA
C
ND
ICO
0.8
UC
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6258
固电
IN
导½
SEM
NG
HA
C
ND
ICO
UC
图2外形尺寸( unindicated公差: ± 0.10mm)的
3
2N6258
尺寸以毫米(英寸) 。
25.15 (0.99)
26.67 (1.05)
10.67 (0.42)
11.18 (0.44)
1.52 (0.06)
3.43 (0.135)
6.35 (0.25)
9.15 (0.36)
在一个双极NPN器件
密封TO3
金属包装。
38.61 (1.52)
39.12 (1.54)
0.97 (0.060)
1.10 (0.043)
29.9 (1.177)
30.4 (1.197)
22.23
(0.875)
马克斯。
16.64 (0.655)
17.15 (0.675)
1
2
双极NPN装置。
V
首席执行官
= 80V
3
(案例)
3.84 (0.151)
4.09 (0.161)
7.92 (0.312)
12.70 (0.50)
I
C
= 30A
所有Semelab密封产品
可根据被处理
BS , CECC和JAN的要求,
JANTX , JANTXV和JANS规范。
TO3 ( TO204AA )
引脚配置
1 - 基地
2 - 发射极
案例 - 集电极
参数
V
首席执行官
*
I
C( CONT )
h
FE
f
t
P
D
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
80
30
单位
V
A
-
Hz
@ 2/15 (V
CE
/ I
C
)
20
250
W
*最大工作电压
这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表,请联系
sales@semelab.co.uk 。
Semelab Plc的保留改变试验条件,参数限制和封装尺寸,恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠,在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab PLC 。
电话:+44( 0 ) 1455 556565.传真:+44( 0 ) 1455 552612 。
电子信箱:
sales@semelab.co.uk
网址:
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