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产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅PNP功率晶体管
2N6226 2N6227 2N6228
描述
·带
TO- 3封装
ULOW
集电极饱和电压
优秀
安全工作区
应用
For
高功率音频;步进电机
和其他线性应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
参数
2N6226
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N6227
2N6228
2N6226
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N6227
2N6228
V
EBO
I
C
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
100
120
140
100
120
140
7
6
150
150
-65~200
V
A
W
℃
℃
V
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
0.92
单位
℃/W
JMnic
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
2N6226
V
首席执行官
集电极 - 发射极
维持电压
2N6227
2N6228
V
CESAT
V
BE
I
首席执行官
I
CBO
I
EBO
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
2N6226
h
FE
直流电流增益
2N6227
2N6228
f
T
跃迁频率
I
C
= 0.5A ; V
CE
=4V
I
C
= 3A ; V
CE
=2V
I
C
= 4A ;我
B
=0.4A
I
C
= 3A ; V
CE
=2V
V
CE
=额定V
首席执行官
; I
B
=0
V
CB
=额定V
CBO
; I
E
=0
V
EB
= 7V ;我
C
=0
I
C
= 0.2A ;我
B
=0
2N6226 2N6227 2N6228
条件
民
100
120
140
典型值。
最大
单位
V
1.2
1.8
5.0
1.0
0.1
25
20
15
1
100
80
60
V
V
mA
mA
mA
兆赫
JMnic
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅PNP功率晶体管
包装外形
2N6226 2N6227 2N6228
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
JMnic
2N6226
尺寸以毫米（英寸） 。
25.15 (0.99)
26.67 (1.05)
10.67 (0.42)
11.18 (0.44)
1.52 (0.06)
3.43 (0.135)
6.35 (0.25)
9.15 (0.36)
在双极PNP设备
密封TO3
金属包装。
38.61 (1.52)
39.12 (1.54)
0.97 (0.060)
1.10 (0.043)
29.9 (1.177)
30.4 (1.197)
22.23
(0.875)
马克斯。
16.64 (0.655)
17.15 (0.675)
1
2
双极PNP设备。
V
首席执行官
= 100V
3
（案例）
3.84 (0.151)
4.09 (0.161)
7.92 (0.312)
12.70 (0.50)
I
C
= 6A
所有Semelab密封产品
可根据被处理
BS ， CECC和JAN的要求，
JANTX ， JANTXV和JANS规范。
TO3 （ TO204AA ）
引脚配置
1 - 基地
2 - 发射极
案例 - 集电极
参数
V
首席执行官
*
I
C（ CONT ）
h
FE
f
t
P
D
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
100
6
单位
V
A
-
Hz
@ 2/3 (V
CE
/ I
C
)
25
100
150
W
*最大工作电压
这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表，请联系
sales@semelab.co.uk 。
Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网址：
http://www.semelab.co.uk
产生
31-Jul-02
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2N6226 2N6227 2N6228
描述
·带
TO- 3封装
ULOW
集电极饱和电压
优秀
安全工作区
应用
For
高功率音频;步进电机
和其他线性应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
固电
IN
导½
半
参数
2N6226
2N6227
2N6228
2N6226
2N6227
2N6228
条件
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
GS
AN
CH
发射极开路
MIC
E
ND
O
器
UC
价值
-100
-120
-140
-100
-120
-140
单位
V
开基
V
V
EBO
I
C
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
集电极开路
-7
-6
V
A
W
℃
℃
T
C
=25℃
150
150
-65~200
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
0.92
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
2N6226 2N6227 2N6228
条件
民
典型值。
最大
单位
2N6226
集电极 - 发射极
维持电压
-100
V
CEO （ SUS ）
2N6227
I
C
= -0.2A ;我
B
=0
-120
V
2N6228
-140
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -4A ;我
B
=-0.4A
-1.2
V
V
BE
基射极电压上
I
C
= -3A ; V
CE
=-2V
-1.8
V
I
首席执行官
集电极截止电流
V
CE
=额定V
首席执行官
; I
B
=0
-5.0
mA
I
CBO
集电极截止电流
I
EBO
固电
IN
发射极截止电流
导½
半
2N6226
2N6227
2N6228
V
CB
=额定V
CBO
; I
E
=0
-1.0
mA
V
EB
= -7V ;我
C
=0
h
FE
直流电流增益
NG
HA
C
SEM
I
C
= -3A ; V
CE
=-2V
ND
ICO
器
UC
-0.1
25
100
20
80
15
60
mA
f
T
跃迁频率
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-4V
1
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2N6226 2N6227 2N6228
固电
IN
导½
半
SEM
NG
HA
C
ND
ICO
器
UC
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
2N6226
尺寸以毫米（英寸） 。
25.15 (0.99)
26.67 (1.05)
10.67 (0.42)
11.18 (0.44)
1.52 (0.06)
3.43 (0.135)
6.35 (0.25)
9.15 (0.36)
在双极PNP设备
密封TO3
金属包装。
38.61 (1.52)
39.12 (1.54)
0.97 (0.060)
1.10 (0.043)
29.9 (1.177)
30.4 (1.197)
22.23
(0.875)
马克斯。
16.64 (0.655)
17.15 (0.675)
1
2
双极PNP设备。
V
首席执行官
= 100V
3
（案例）
3.84 (0.151)
4.09 (0.161)
7.92 (0.312)
12.70 (0.50)
I
C
= 6A
所有Semelab密封产品
可根据被处理
BS ， CECC和JAN的要求，
JANTX ， JANTXV和JANS规范。
TO3 （ TO204AA ）
引脚配置
1 - 基地
2 - 发射极
案例 - 集电极
参数
V
首席执行官
*
I
C（ CONT ）
h
FE
f
t
P
D
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
100
6
单位
V
A
-
Hz
@ 2/3 (V
CE
/ I
C
)
25
100
150
W
*最大工作电压
这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表，请联系
sales@semelab.co.uk 。
Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网址：
http://www.semelab.co.uk
产生
31-Jul-02
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2N6226 2N6227 2N6228
描述
·采用TO-3封装
·低集电极饱和电压
·卓越的安全工作区
应用
·对于高功率音频;步进电机
和其他线性应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
)
符号
参数
2N6226
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N6227
2N6228
2N6226
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N6227
2N6228
V
EBO
I
C
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
-100
-120
-140
-100
-120
-140
-7
-6
150
150
-65~200
V
A
W
V
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
0.92
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
2N6226
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
2N6227
2N6228
V
CESAT
V
BE
I
首席执行官
I
CBO
I
EBO
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
2N6226
h
FE
直流电流增益
2N6227
2N6228
f
T
跃迁频率
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-4V
I
C
= -3A ; V
CE
=-2V
I
C
= -4A ;我
B
=-0.4A
I
C
= -3A ; V
CE
=-2V
I
C
= -0.2A ;我
B
=0
2N6226 2N6227 2N6228
符号
条件
民
-100
-120
-140
典型值。
最大
单位
V
-1.2
-1.8
-5.0
-1.0
-0.1
25
20
15
1
100
80
60
V
V
mA
mA
mA
V
CE
=额定V
首席执行官
; I
B
=0
V
CB
=额定V
CBO
; I
E
=0
V
EB
= -7V ;我
C
=0
兆赫
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2N6226 2N6227 2N6228
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2N6226 2N6227 2N6228
描述
·带
TO- 3封装
ULOW
集电极饱和电压
优秀
安全工作区
应用
For
高功率音频;步进电机
和其他线性应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
参数
2N6226
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N6227
2N6228
2N6226
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N6227
2N6228
V
EBO
I
C
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
-100
-120
-140
-100
-120
-140
-7
-6
150
150
-65~200
V
A
W
℃
℃
V
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
0.92
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
2N6226 2N6227 2N6228
条件
民
典型值。
最大
单位
2N6226
集电极 - 发射极
维持电压
-100
V
CEO （ SUS ）
2N6227
I
C
= -0.2A ;我
B
=0
-120
V
2N6228
-140
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -4A ;我
B
=-0.4A
-1.2
V
V
BE
基射极电压上
I
C
= -3A ; V
CE
=-2V
-1.8
V
I
首席执行官
集电极截止电流
V
CE
=额定V
首席执行官
; I
B
=0
-5.0
mA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
=额定V
CBO
; I
E
=0
-1.0
mA
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= -7V ;我
C
=0
2N6226
25
-0.1
mA
100
h
FE
直流电流增益
2N6227
I
C
= -3A ; V
CE
=-2V
20
80
2N6228
15
60
f
T
跃迁频率
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-4V
1
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2N6226 2N6227 2N6228
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
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209-501-22-38
2SB548
251B120252A2TB
22-15-2036
2-1375191-6
2SB1122S-TD-E
2853
25AA040A-E/MC
2195QA5-28V
28C16AF-15/TS
2N3339
20BSA
2650FD15
2035-15-SM-RP-LF
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2N6226
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
HECC GROUP CO，LIMITED
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：800888908 复制
电话：755-83241160（高端器件渠道商）/83950019/83950895/83950890
联系人：Sante Zhang/Mollie
地址：總部地址：UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
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2N6226
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深圳市芯泽盛世科技有限公司
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Microchip Technology
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2N6226
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联系人：朱
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2N6226
Microchip Technology
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深圳市芯满林科技有限公司
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联系人：夏小姐/朱先生
地址：深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514
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