添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13692101218  13751165337
51电子网联系电话:13692101218
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第29页 > 2N6129
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·采用TO- 220封装
·高功耗
·补到PNP型:
2N6132 2N6133 2N6134
应用
·功率放大器,中速
切换应用程序
钉扎
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
2N6129 2N6130 2N6131
绝对最大额定值(Ta = 25
)
符号
参数
2N6129
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N6130
2N6131
2N6129
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N6130
2N6131
V
EBO
I
C
I
B
P
T
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
40
60
80
40
60
80
5
7
3
50
150
-65~150
V
A
A
W
V
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
最大
2.5
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
2N6129
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极
维持电压
2N6130
2N6131
2N6129
V
CESAT
集电极 - 发射极
饱和电压
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
符号
2N6129 2N6130 2N6131
条件
40
60
80
典型值。
最大
单位
V
1.4
2N6130
2N6131
I
C
=7A;I
B
=1.2A
1.8
I
C
= 2.5A ; V
CE
=4V
2N6129
V
CE
=40V;V
BE
=1.5V
T
C
=150
V
CE
=60V;V
BE
=1.5V
T
C
=150
V
CE
=80V; V
BE
=1.5V
T
C
=150
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 2.5A ; V
CE
=4V
I
C
= 0.2A ; V
CE
=4V
20
2.5
1.4
0.5
3.0
0.5
3.0
0.5
3.0
1.0
100
兆赫
V
V
V
BE
基射极电压上
I
CEV
集热器
截止电流
mA
2N6130
2N6131
mA
mA
I
EBO
h
FE
f
T
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6129 2N6130 2N6131
图2外形尺寸( unindicated公差: ±0.10 MM)
3
标准
可选
功率晶体管
TO- 220 CASE
TO-220
型号
IC
(A)
最大
4.0
4.0
4.0
7.0
7.0
7.0
7.0
2N6040
2N6041
2N6042
10
10
10
10
10
16
2N6124
2N6125
2N6126
2N6132
2N6133
2N6134
2N6111
2N6109
2N6107
2N6666
2N6667
2N6668
2N6475
2N6476
2N6489
2N6490
2N6491
4.0
4.0
4.0
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
8.0
10
10
4.0
4.0
15
15
15
PD
(W)
36
36
36
50
50
50
50
75
75
75
75
75
75
40
40
40
50
50
50
40
40
40
65
65
65
40
40
75
75
75
BVCBO BVCEO
(V)
80
60
80
60
75
60
90
60
80
100
70
80
45
45
60
80
40
60
80
40
60
80
40
60
80
110
130
50
70
90
(V)
70
40
60
40
55
40
70
60
80
100
60
70
40
45
60
80
40
60
80
30
50
70
40
60
80
100
120
40
60
80
30
30
20
20
20
20
20
1,000
1,000
1,000
20
20
15
25
25
20
20
20
20
30
30
30
1,000
1,000
1,000
15
15
20
20
20
的hFE
最大
120
120
80
100
100
100
100
20,000
20,000
20,000
80
80
80
100
100
80
100
100
100
150
150
150
20,000
20,000
20,000
150
150
150
150
150
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.0
3.0
4.0
5.0
8.0
1.5
1.5
1.5
2.5
2.5
2.5
2.0
2.5
3.0
3.0
5.0
5.0
1.5
1.5
5.0
5.0
5.0
TO- 220FP全白
fT
(兆赫)
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
4.0
4.0
4.0
5.0
5.0
5.0
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
4.0
4.0
4.0
20
20
20
4.0
4.0
5.0
5.0
5.0
@ IC VCE ( SAT ) @ IC
(A)
(V)
最大
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
2.5
2.5
2.5
0.6
0.6
0.6
1.4
1.4
1.8
3.5
3.5
3.5
2.0
2.0
2.0
1.2
1.2
1.3
1.3
1.3
(A)
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
35
4.0
4.0
3.0
10
10
16
1.5
1.5
1.5
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
3.0
5.0
5.0
1.5
1.5
5.0
5.0
5.0
NPN
2N5294
2N5296
2N5298
2N5490
2N5492
2N5494
2N5496
2N6043
2N6044
2N6045
2N6099
2N6101
2N6103
2N6121
2N6122
2N6123
2N6129
2N6130
2N6131
2N6288
2N6290
2N6292
2N6386
2N6387
2N6388
2N6473
2N6474
2N6486
2N6487
2N6488
PNP
92
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
阴影部分表示达林顿。
可在TO- 220FP全乐要求。
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
描述
·带
的TO-220封装
功耗
.Complement
以PNP型:
2N6132 2N6133 2N6134
应用
“权力
放大器和中速
切换应用程序
钉扎
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
2N6129 2N6130 2N6131
绝对最大额定值(Ta = 25
℃)
符号
参数
2N6129
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N6130
2N6131
2N6129
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N6130
2N6131
V
EBO
I
C
I
B
P
T
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
40
60
80
40
60
80
5
7
3
50
150
-65~150
V
A
A
W
V
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
最大
2.5
单位
℃/W
JMnic
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
2N6129
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极
sustioning电压
2N6130
2N6131
2N6129
V
CESAT
集电极 - 发射极
饱和电压
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
2N6129 2N6130 2N6131
条件
40
60
80
典型值。
最大
单位
V
1.4
2N6130
2N6131
I
C
=7A;I
B
=1.2A
1.8
I
C
= 2.5A ; V
CE
=4V
2N6129
V
CE
=40V;V
BE
=1.5V
T
C
=150℃
V
CE
=60V;V
BE
=1.5V
T
C
=150℃
V
CE
=80V; V
BE
=1.5V
T
C
=150℃
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 2.5A ; V
CE
=4V
I
C
= 0.2A ; V
CE
=4V
20
2.5
1.4
0.5
3.0
0.5
3.0
0.5
3.0
1.0
100
兆赫
V
V
V
BE
基射极电压上
mA
I
CEV
集电极截止电流
2N6130
2N6131
mA
mA
I
EBO
h
FE
f
T
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
JMnic
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6129 2N6130 2N6131
图2外形尺寸( unindicated公差: ±0.10 MM)
JMnic
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
的TO-220封装
功耗
.Complement
以PNP型:
2N6132 2N6133 2N6134
应用
“权力
放大器和中速
切换应用程序
钉扎
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
2N6129 2N6130 2N6131
绝对最大额定值(Ta = 25
℃)
符号
固电
IN
导½
参数
2N6129
2N6130
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
SEM
NG
HA
C
2N6131
2N6129
2N6130
2N6131
发射极开路
ND
ICO
条件
UC
价值
40
60
80
40
60
80
单位
V
开基
V
V
EBO
I
C
I
B
P
T
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
集电极开路
5
7
3
V
A
A
W
T
C
=25℃
50
150
-65~150
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
最大
2.5
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
2N6129
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极
维持电压
2N6130
2N6131
2N6129
V
CESAT
集电极 - 发射极
饱和电压
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
2N6129 2N6130 2N6131
条件
40
60
80
典型值。
最大
单位
V
1.4
2N6130
2N6131
I
C
=7A;I
B
=1.2A
1.8
I
C
= 2.5A ; V
CE
=4V
2N6129
V
CE
=40V;V
BE
=1.5V
T
C
=150℃
V
CE
=60V;V
BE
=1.5V
T
C
=150℃
V
CE
=80V; V
BE
=1.5V
T
C
=150℃
V
EB
= 5V ;我
C
=0
1.4
0.5
3.0
V
V
V
BE
基射极电压上
I
CEV
I
EBO
h
FE
f
T
电半
直流电流增益
集热器
截止电流
导½
mA
2N6130
2N6131
发射极截止电流
跃迁频率
IN
SEM
NG
HA
C
I
C
= 2.5A ; V
CE
=4V
ND
ICO
UC
0.5
3.0
1.0
100
0.5
3.0
mA
mA
20
I
C
= 0.2A ; V
CE
=4V
2.5
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6129 2N6130 2N6131
固电
IN
导½
SEM
NG
HA
C
ND
ICO
UC
图2外形尺寸( unindicated公差: ±0.10 MM)
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
的TO-220封装
功耗
.Complement
以PNP型:
2N6132 2N6133 2N6134
应用
“权力
放大器和中速
切换应用程序
钉扎
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
2N6129 2N6130 2N6131
绝对最大额定值(Ta = 25
℃)
符号
参数
2N6129
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N6130
2N6131
2N6129
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N6130
2N6131
V
EBO
I
C
I
B
P
T
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
40
60
80
40
60
80
5
7
3
50
150
-65~150
V
A
A
W
V
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
最大
2.5
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
2N6129
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极
维持电压
2N6130
2N6131
2N6129
V
CESAT
集电极 - 发射极
饱和电压
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
2N6129 2N6130 2N6131
条件
40
60
80
典型值。
最大
单位
V
1.4
2N6130
2N6131
I
C
=7A;I
B
=1.2A
1.8
I
C
= 2.5A ; V
CE
=4V
2N6129
V
CE
=40V;V
BE
=1.5V
T
C
=150℃
V
CE
=60V;V
BE
=1.5V
T
C
=150℃
V
CE
=80V; V
BE
=1.5V
T
C
=150℃
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 2.5A ; V
CE
=4V
I
C
= 0.2A ; V
CE
=4V
20
2.5
1.4
0.5
3.0
0.5
3.0
0.5
3.0
1.0
100
兆赫
mA
mA
V
V
V
BE
基射极电压上
I
CEV
集热器
截止电流
mA
2N6130
2N6131
I
EBO
h
FE
f
T
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6129 2N6130 2N6131
图2外形尺寸( unindicated公差: ±0.10 MM)
3
标准
可选
功率晶体管
TO- 220 CASE
TO-220
型号
IC
(A)
最大
4.0
4.0
4.0
7.0
7.0
7.0
7.0
2N6040
2N6041
2N6042
10
10
10
10
10
16
2N6124
2N6125
2N6126
2N6132
2N6133
2N6134
2N6111
2N6109
2N6107
2N6666
2N6667
2N6668
2N6475
2N6476
2N6489
2N6490
2N6491
4.0
4.0
4.0
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
8.0
10
10
4.0
4.0
15
15
15
PD
(W)
36
36
36
50
50
50
50
75
75
75
75
75
75
40
40
40
50
50
50
40
40
40
65
65
65
40
40
75
75
75
BVCBO BVCEO
(V)
80
60
80
60
75
60
90
60
80
100
70
80
45
45
60
80
40
60
80
40
60
80
40
60
80
110
130
50
70
90
(V)
70
40
60
40
55
40
70
60
80
100
60
70
40
45
60
80
40
60
80
30
50
70
40
60
80
100
120
40
60
80
30
30
20
20
20
20
20
1,000
1,000
1,000
20
20
15
25
25
20
20
20
20
30
30
30
1,000
1,000
1,000
15
15
20
20
20
的hFE
最大
120
120
80
100
100
100
100
20,000
20,000
20,000
80
80
80
100
100
80
100
100
100
150
150
150
20,000
20,000
20,000
150
150
150
150
150
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.0
3.0
4.0
5.0
8.0
1.5
1.5
1.5
2.5
2.5
2.5
2.0
2.5
3.0
3.0
5.0
5.0
1.5
1.5
5.0
5.0
5.0
TO- 220FP全白
fT
(兆赫)
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
4.0
4.0
4.0
5.0
5.0
5.0
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
4.0
4.0
4.0
20
20
20
4.0
4.0
5.0
5.0
5.0
@ IC VCE ( SAT ) @ IC
(A)
(V)
最大
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
2.5
2.5
2.5
0.6
0.6
0.6
1.4
1.4
1.8
3.5
3.5
3.5
2.0
2.0
2.0
1.2
1.2
1.3
1.3
1.3
(A)
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
35
4.0
4.0
3.0
10
10
16
1.5
1.5
1.5
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
3.0
5.0
5.0
1.5
1.5
5.0
5.0
5.0
NPN
2N5294
2N5296
2N5298
2N5490
2N5492
2N5494
2N5496
2N6043
2N6044
2N6045
2N6099
2N6101
2N6103
2N6121
2N6122
2N6123
2N6129
2N6130
2N6131
2N6288
2N6290
2N6292
2N6386
2N6387
2N6388
2N6473
2N6474
2N6486
2N6487
2N6488
PNP
92
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
阴影部分表示达林顿。
可在TO- 220FP全乐要求。
查看更多2N6129PDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2N6129
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
2N6129
Harris Corporation
24+
10000
TO-220-3
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
2N6129
ON/安森美
2443+
23000
TO-220
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
2N6129
HAR
24+
8420
TO-220
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1454677900 复制 点击这里给我发消息 QQ:1909637520 复制
电话:0755-23613962/82706142
联系人:雷小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华红社区红荔路3002号交行大厦一单元711
2N6129
HAR
2024+
9675
TO-220
优势现货,全新原装进口
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:296271020 复制
电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
2N6129
Harris Corporation
24+
22000
-
原装正品假一赔百!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1139848500 复制

电话:0755-83798683
联系人:许先生
地址:深圳市前海深港合作区前湾一路 1 号 A 栋 201 室
2N6129
ON/安森美
22+
97059
TO-220
QQ: 点击这里给我发消息

电话:18926544209/18025435189
联系人:夏小姐/朱先生
地址:深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514
2N6129
ON/安森美
24+
32000
TO-220
百分百原装现货,价格优势,欢迎查询!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
2N6129
ON/安森美
21+
15360
TO-220
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
2N6129
ON
21+
12540
TO-220
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
2N6129
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9028
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
查询更多2N6129供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!