【标准可选功率晶体管TO- 220 CASETO-220型号IC(A)最大4.04.04.07.07.】,IC型号2N6125,2N6125 PDF资料,2N6125经销商,ic,电子元器件-51电子网

标准

可选

功率晶体管

TO- 220 CASE

TO-220

型号

IC

(A)

最大

4.0

7.0

2N6040

2N6041

2N6042

10

16

2N6124

2N6125

2N6126

2N6132

2N6133

2N6134

2N6111

2N6109

2N6107

2N6666

2N6667

2N6668

2N6475

2N6476

2N6489

2N6490

2N6491

4.0

7.0

8.0

10

4.0

15

PD

(W)

36

50

75

40

50

40

65

40

75

BVCBO BVCEO

(V)

民

80

60

80

60

75

60

90

60

80

100

70

80

45

60

80

40

60

80

40

60

80

40

60

80

110

130

50

70

90

(V)

民

70

40

60

40

55

40

70

60

80

100

60

70

40

45

60

80

40

60

80

30

50

70

40

60

80

100

120

40

60

80

民

30

20

1,000

20

15

25

20

30

1,000

15

20

的hFE

最大

120

80

100

20,000

80

100

80

100

150

20,000

150

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

3.0

4.0

5.0

8.0

1.5

2.5

2.0

2.5

3.0

5.0

1.5

5.0

TO- 220FP全白

fT

（兆赫）

民

0.8

4.0

5.0

2.5

4.0

20

4.0

5.0

@ IC VCE （ SAT ） @ IC

(A)

(V)

最大

1.0

2.0

2.5

0.6

1.4

1.8

3.5

2.0

1.2

1.3

(A)

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

35

4.0

3.0

10

16

1.5

7.0

3.0

5.0

1.5

5.0

NPN

2N5294

2N5296

2N5298

2N5490

2N5492

2N5494

2N5496

2N6043

2N6044

2N6045

2N6099

2N6101

2N6103

2N6121

2N6122

2N6123

2N6129

2N6130

2N6131

2N6288

2N6290

2N6292

2N6386

2N6387

2N6388

2N6473

2N6474

2N6486

2N6487

2N6488

PNP

92

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

阴影部分表示达林顿。

可在TO- 220FP全乐要求。

TO- 220塑料包装

博卡半导体公司

BSC

2N6121, 6122, 6123

2N6124, 6125, 6126

2N6121, 2N6122, 2N6123

2N6124, 2N6125, 2N6126

塑料NPN功率晶体管

PNP塑料功率晶体管

中功率线性和开关应用

引脚配置

1.基地

2.收集

3.辐射源

4.收集

4

1

2

3

B

H

F

C

E

暗淡

A

B

C

D

E

F

G

H

J

K

L

M

N

O

分钟。

14.42

9.63

3.56

马克斯。

N

L

O

1 2

3

D

G

J

M

16.51

10.67

4.83

0.90

1.15

1.40

3.75

3.88

2.29

2.79

2.54

3.43

0.56

12.70 14.73

2.80

4.07

2.03

2.92

31.24

DEG 7

A

O

绝对最大额定值

集电极 - 基极电压（发射极开路）

集电极 - 发射极电压（开基）

集电极电流

总功率耗散高达至T

C

= 25°C

结温

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= 1.5 A;我

B

= 0.15 A

直流电流增益

I

C

= 1.5 A; V

CE

= 2 V

V

CBO

V

首席执行官

I

C

P

合计

T

j

V

CESAT

h

FE

6121 6122 6123

6124 6125 6126

马克斯。 45

60

80

马克斯。 45

60

80

马克斯。

4.0

马克斯。

40

马克斯。

150

马克斯。

分钟。 25

马克斯。 100

0.6

25

100

20

80

V

A

W

°C

V

评级

（在T

A

= 25 ° C除非另有规定编）

极限值

集电极 - 基极电压（发射极开路）

集电极 - 发射极电压（开基）

发射极 - 基极电压（集电极开路）

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

所有迪民所起到的毫米。

K

6121 6122 6123

6124 6125 6126

马克斯。 45

60

80

马克斯。 45

60

80

马克斯。

5.0

V

http://www.bocasemi.com

页： 1

2N6121, 2N6122, 2N6123

2N6124, 2N6125, 2N6126

集电极电流

I

C

集电极电流（峰值）

I

CM

基极电流

I

B

总功率耗散高达至T

C

= 25°C P

合计

减免上述25℃

结温

T

j

储存温度

T

英镑

热阻

从结点到外壳

特征

T

AMB

= 25 ° C除非另有说明

收藏家Cuto FF电流

I

B

= 0; V

CE

= 45 V

I

B

= 0; V

CE

= 60 V

I

B

= 0; V

CE

= 80 V

V

EB （O FF ）

= 1.5 V; V

CE

= 45

V

EB （O FF ）

= 1.5 V; V

CE

= 60

V

EB （O FF ）

= 1.5 V; V

CE

= 85

V

EB （O FF ）

= 1.5 V; V

CE

= 45

V

EB （O FF ）

= 1.5 V; V

CE

= 60

V

EB （O FF ）

= 1.5 V; V

CE

= 80

mA

I

E

= 0; V

CB

= 45 V

I

E

= 0; V

CB

= 60 V

I

E

= 0; V

CB

= 80 V

发射极截止电流

I

C

= 0; V

EB

= 5 V

击穿电压

I

C

= 100毫安;我

B

= 0

I

C

= 1毫安;我

E

= 0

I

E

= 1毫安;我

C

= 0

饱和电压

I

C

= 1.5 A;我

B

= 0.15 A

I

C

= 4 A;我

B

= 1.0 A

基射极电压上

I

C

= 1.5 A; V

CE

= 2 V

直流电流增益

I

C

= 1.5 A; V

CE

= 2 V

R

第j个-C

马克斯。

4.0

7.0

1.0

40

320

150

-65到+150

3.12

A

W

mW

/°C

°C

C

° C / W

6121 6122 6123

6124 6125 6126

马克斯。 1.0

–

最大。 -

1.0

最大。 -

–

最大。 0.1

–

最大。 -

0.1

最大。 -

–

I

CEX

马克斯。 2.0

I

CEX

最大。 -

I

CEX

最大。 -

最大。 0.1

最大。 -

马克斯。

分钟。 45

分钟。

马克斯。

分钟。 25

马克斯。 100

MIN 。 10

分钟。

–

0.1

–

1.0

60

5.0

0.6

1.4

1.2

25

100

10

25

2.5

兆赫

20

80

7.0

80

–

1.0

–

0.1

–

2.0

–

mA

- 毫安

2.0

I

首席执行官

I

首席执行官

I

首席执行官

V

I

CEX

V

I

CEX

V

I

CEX

V ;牛逼

C

= 125°C

V ;牛逼

C

= 125°C

V ;牛逼

C

= 125°C

I

CBO

I

CBO

I

CBO

I

EBO

V

CEO （ SUS ）

*

V

CBO

V

EBO

V

CESAT

*

V

CESAT

*

V

BE（上）

*

h

FE

*

h

FE

*

h

fe

f

T

- 毫安

0.1毫安

mA

V

I

C

= 4 A; V

CE

= 2 V

小信号电流

I

C

= 0.1 A; V

CE

= 2 V ; F = 1.0千赫

过渡频率在f = 1 MHz的

I

C

= 1 ; V

CE

= 4 V

*脉冲测试：脉冲宽度

≤

300微秒;占空比

≤

2%.

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第2页

A

A

A

A

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

描述

·采用TO- 220封装

·补到PNP型：

2N6121 ;2N6122 ;2N6123

应用

·对于功率放大器使用，

开关电路的应用

钉扎

针

1

2

3

描述

辐射源

集热器;连接到

安装底座

BASE

2N6124 2N6125 2N6126

Fig.1简化外形（ TO- 220 ）和符号

绝对最大额定值（Ta = 25

)

符号

参数

2N6124

V

CBO

集电极 - 基极电压

2N6125

2N6126

2N6124

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

2N6125

2N6126

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

T

j

T

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25

集电极开路

开基

发射极开路

条件

价值

-45

-60

-80

-45

-60

-80

-5

-4

-8

-1

40

150

-65~150

V

A

W

V

单位

热特性

符号

R

第j个-C

参数

从结热阻到外壳

最大

3.125

单位

/W

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

2N6124 2N6125 2N6126

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

2N6124

V

CEO （ SUS ）

集电极 - 发射极

维持电压

2N6125

2N6126

V

CEsat-1

V

CEsat-2

V

BE（上）

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压上

2N6124

I

CEX

集电极截止电流

2N6125

2N6126

2N6124

I

首席执行官

集电极截止电流

2N6125

2N6126

I

EBO

发射极截止电流

2N6124

25

h

FE-1

直流电流增益

2N6125

2N6126

2N6124

10

h

FE-2

直流电流增益

2N6125

2N6126

f

T

跃迁频率

I

C

= -1A ; V

CE

=-4V

I

C

= -4A ; V

CE

=-2V

7

2.5

兆赫

I

C

= -1.5A ; V

CE

=-2V

20

80

100

I

C

=-1.5A;I

B

=-0.15A

I

C

=-4.0A;I

B

=-1.0A

I

C

= -1.5A ; V

CE

=-2V

V

CE

=-45V;V

BE

=1.5V

T

C

=125

V

CE

=-60V;V

BE

=1.5V

T

C

=125

V

CE

=-80V;V

BE

=1.5V

T

C

=125

V

CE

=-45V;I

B

=0

V

CE

=-60V;I

B

=0

V

CE

=-80V;I

B

=0

V

EB

= -5V ;我

C

=0

-1.0

mA

-1.0

mA

I

C

= -0.1A ;我

B

=0

条件

民

-45

-60

-80

-0.6

-1.4

-1.2

-0.1

-2.0

-0.1

-2.0

-0.1

-2.0

V

典型值。

最大

单位

符号

mA

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

包装外形

2N6124 2N6125 2N6126

图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）

3

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

描述

·带

的TO-220封装

.Complement

以PNP型：

2N6121 ;2N6122 ;2N6123

应用

For

功率放大器使用，并且

开关电路的应用

钉扎

针

1

2

3

描述

辐射源

集热器;连接到

安装底座

BASE

2N6124 2N6125 2N6126

Fig.1简化外形（ TO- 220 ）和符号

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

参数

2N6124

V

CBO

集电极 - 基极电压

2N6125

2N6126

2N6124

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

2N6125

2N6126

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

T

j

T

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25℃

集电极开路

开基

发射极开路

条件

价值

-45

-60

-80

-45

-60

-80

-5

-4

-8

-1

40

150

-65~150

V

A

W

℃

V

单位

热特性

符号

R

第j个-C

参数

从结热阻到外壳

最大

3.125

单位

℃/W

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

2N6124 2N6125 2N6126

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

2N6124

V

CEO （ SUS ）

集电极 - 发射极

维持电压

2N6125

2N6126

V

CEsat-1

V

CEsat-2

V

BE（上）

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压上

2N6124

I

CEX

集电极截止电流

2N6125

2N6126

2N6124

I

首席执行官

集电极截止电流

2N6125

2N6126

I

EBO

发射极截止电流

2N6124

25

h

FE-1

直流电流增益

2N6125

2N6126

2N6124

10

h

FE-2

直流电流增益

2N6125

2N6126

f

T

跃迁频率

I

C

= -1A ; V

CE

=-4V

I

C

= -4A ; V

CE

=-2V

7

2.5

兆赫

I

C

= -1.5A ; V

CE

=-2V

20

80

100

I

C

=-1.5A;I

B

=-0.15A

I

C

=-4.0A;I

B

=-1.0A

I

C

= -1.5A ; V

CE

=-2V

V

CE

=-45V;V

BE

=1.5V

T

C

=125℃

V

CE

=-60V;V

BE

=1.5V

T

C

=125℃

V

CE

=-80V;V

BE

=1.5V

T

C

=125℃

V

CE

=-45V;I

B

=0

V

CE

=-60V;I

B

=0

V

CE

=-80V;I

B

=0

V

EB

= -5V ;我

C

=0

-1.0

mA

-1.0

mA

I

C

= -0.1A ;我

B

=0

条件

民

-45

-60

-80

-0.6

-1.4

-1.2

-0.1

-2.0

-0.1

-2.0

-0.1

-2.0

V

典型值。

最大

单位

mA

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

包装外形

2N6124 2N6125 2N6126

图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）

3

标准

可选

功率晶体管

TO- 220 CASE

TO-220

型号

IC

(A)

最大

4.0

7.0

2N6040

2N6041

2N6042

10

16

2N6124

2N6125

2N6126

2N6132

2N6133

2N6134

2N6111

2N6109

2N6107

2N6666

2N6667

2N6668

2N6475

2N6476

2N6489

2N6490

2N6491

4.0

7.0

8.0

10

4.0

15

PD

(W)

36

50

75

40

50

40

65

40

75

BVCBO BVCEO

(V)

民

80

60

80

60

75

60

90

60

80

100

70

80

45

60

80

40

60

80

40

60

80

40

60

80

110

130

50

70

90

(V)

民

70

40

60

40

55

40

70

60

80

100

60

70

40

45

60

80

40

60

80

30

50

70

40

60

80

100

120

40

60

80

民

30

20

1,000

20

15

25

20

30

1,000

15

20

的hFE

最大

120

80

100

20,000

80

100

80

100

150

20,000

150

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

3.0

4.0

5.0

8.0

1.5

2.5

2.0

2.5

3.0

5.0

1.5

5.0

TO- 220FP全白

fT

（兆赫）

民

0.8

4.0

5.0

2.5

4.0

20

4.0

5.0

@ IC VCE （ SAT ） @ IC

(A)

(V)

最大

1.0

2.0

2.5

0.6

1.4

1.8

3.5

2.0

1.2

1.3

(A)

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

35

4.0

3.0

10

16

1.5

7.0

3.0

5.0

1.5

5.0

NPN

2N5294

2N5296

2N5298

2N5490

2N5492

2N5494

2N5496

2N6043

2N6044

2N6045

2N6099

2N6101

2N6103

2N6121

2N6122

2N6123

2N6129

2N6130

2N6131

2N6288

2N6290

2N6292

2N6386

2N6387

2N6388

2N6473

2N6474

2N6486

2N6487

2N6488

PNP

92

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

阴影部分表示达林顿。

可在TO- 220FP全乐要求。

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

描述

·带

的TO-220封装

.Complement

以PNP型：

2N6121 ;2N6122 ;2N6123

应用

For

功率放大器使用，并且

开关电路的应用

钉扎

针

1

2

3

描述

辐射源

集热器;连接到

安装底座

BASE

2N6124 2N6125 2N6126

Fig.1简化外形（ TO- 220 ）和符号

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

V

CBO

电半

固

IN

参数

导½

条件

2N6124

2N6125

发射极开路

集电极 - 基极电压

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

GS

AN

CH

2N6124

2N6125

2N6126

开基

MIC

E

ND

O

器

UC

价值

-45

-60

-80

-45

-60

-80

-5

-4

-8

-1

单位

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

T

j

T

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

总功耗

结温

储存温度

集电极开路

V

A

W

℃

T

C

=25℃

40

150

-65~150

热特性

符号

R

第j个-C

参数

从结热阻到外壳

最大

3.125

单位

℃/W

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

2N6124 2N6125 2N6126

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

2N6124

V

CEO （ SUS ）

集电极 - 发射极

维持电压

2N6125

2N6126

V

CEsat-1

V

CEsat-2

V

BE（上）

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压上

2N6124

I

CEX

集电极截止电流

2N6125

2N6126

2N6124

2N6125

I

C

=-1.5A;I

B

=-0.15A

I

C

=-4.0A;I

B

=-1.0A

I

C

= -1.5A ; V

CE

=-2V

V

CE

=-45V;V

BE

=1.5V

T

C

=125℃

V

CE

=-60V;V

BE

=1.5V

T

C

=125℃

V

CE

=-80V;V

BE

=1.5V

T

C

=125℃

V

CE

=-45V;I

B

=0

V

CE

=-60V;I

B

=0

V

CE

=-80V;I

B

=0

V

EB

= -5V ;我

C

=0

I

C

= -0.1A ;我

B

=0

条件

民

-45

-60

-80

-0.6

-1.4

-1.2

-0.1

-2.0

-0.1

-2.0

-0.1

-2.0

V

典型值。

最大

单位

mA

I

首席执行官

固电

IN

集电极截止电流

导½

半

I

EBO

发射极截止电流

h

FE-1

直流电流增益

SEM

NG

HA

C

2N6126

2N6124

2N6125

2N6126

2N6124

2N6125

2N6126

ND

ICO

器

UC

-1.0

25

100

mA

I

C

= -1.5A ; V

CE

=-2V

20

80

10

h

FE-2

直流电流增益

I

C

= -4A ; V

CE

=-2V

7

I

C

= -1A ; V

CE

=-4V

2.5

兆赫

f

T

跃迁频率

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

包装外形

2N6124 2N6125 2N6126

固电

IN

导½

半

SEM

NG

HA

C

ND

ICO

器

UC

图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）

3