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博卡半导体公司
BSC
http://www.bocasemi.com
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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2N6106 2N6108 2N6110
描述
·带
的TO-220封装
·带
SHORT PIN
应用
“权力
放大器和开关
电路中的应用
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
Fig.1简化外形（ TO- 220 ）和符号
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
电半
固
IN
参数
导½
条件
2N6106
2N6108
发射极开路
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
GS
AN
CH
2N6106
2N6108
2N6110
2N6110
开基
MIC
E
ND
O
器
UC
价值
-40
-60
-80
-30
-50
-70
-5
-7
-10
-3
单位
V
V
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
T
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
集电极开路
V
A
A
A
W
℃
℃
T
C
=25℃
40
150
-65~150
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
最大
3.125
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
2N6106
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
2N6108
2N6110
V
CESAT
V
BE
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
2N6106
I
首席执行官
集电极截止电流
2N6108
2N6110
2N6106
2N6108
2N6110
I
C
=-7A;I
B
=-3A
I
C
= -7A ; V
CE
=-4V
V
CE
= -20V ;我
B
=0
V
CE
= -40V ;我
B
=0
V
CE
= -60V ;我
B
=0
I
C
= -0.1A ;我
B
=0
2N6106 2N6108 2N6110
条件
民
-30
-50
-70
典型值。
最大
单位
V
-3.5
-3.0
V
V
-1.0
mA
I
CEX
电半
固
IN
导½
V
CE
=-40V; V
BE
=1.5V
V
CE
=-30V;
BE
=1.5V,T
C
=125℃
V
CE
=-60V; V
BE
=1.5V
V
CE
=-50V;
BE
=1.5V,T
C
=125℃
V
CE
=-80V; V
BE
=1.5V
V
CE
=-70V;
BE
=1.5V,T
C
=125℃
V
EB
= -5V ;我
C
=0
集电极截止电流
I
EBO
发射极截止电流
SEM
NG
HA
C
2N6106
2N6108
2N6110
ND
ICO
器
UC
-0.1
-2.0
-0.1
-2.0
-1.0
-0.1
-2.0
mA
mA
I
C
= -2A ; V
CE
=-4V
I
C
= -2.5A ; V
CE
=-4V
30
150
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= -3A ; V
CE
=-4V
I
C
= -7A ; V
CE
=-4V
I
E
=0 ; V
CB
=-10V;f=1MHz
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-4V;f=1MHz
10
2.3
250
pF
兆赫
h
FE-2
C
OB
f
T
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2N6106 2N6108 2N6110
固电
IN
导½
半
SEM
NG
HA
C
ND
ICO
器
UC
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2N6106 2N6108 2N6110
描述
·采用TO- 220封装
·带短针
应用
·功率放大器和开关
电路中的应用
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
Fig.1简化外形（ TO- 220 ）和符号
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
参数
2N6106
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N6108
2N6110
2N6106
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N6108
2N6110
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
T
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
-40
-60
-80
-30
-50
-70
-5
-7
-10
-3
40
150
-65~150
V
A
A
A
W
V
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
最大
3.125
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
2N6106
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
2N6108
2N6110
V
CESAT
V
BE
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
2N6106
I
首席执行官
集电极截止电流
2N6108
2N6110
2N6106
I
CEX
集电极截止电流
2N6108
2N6110
I
EBO
发射极截止电流
2N6106
h
FE-1
直流电流增益
2N6108
2N6110
h
FE-2
C
OB
f
T
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
I
C
=-7A;I
B
=-3A
I
C
= -7A ; V
CE
=-4V
V
CE
= -20V ;我
B
=0
V
CE
= -40V ;我
B
=0
V
CE
= -60V ;我
B
=0
I
C
= -0.1A ;我
B
=0
符号
2N6106 2N6108 2N6110
条件
民
-30
-50
-70
典型值。
最大
单位
V
-3.5
-3.0
V
V
-1.0
mA
V
CE
=-40V; V
BE
=1.5V
V
CE
=-30V;
BE
=1.5V,T
C
=125
V
CE
=-60V; V
BE
=1.5V
V
CE
=-50V;
BE
=1.5V,T
C
=125
V
CE
=-80V; V
BE
=1.5V
V
CE
=-70V;
BE
=1.5V,T
C
=125
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -2A ; V
CE
=-4V
I
C
= -2.5A ; V
CE
=-4V
I
C
= -3A ; V
CE
=-4V
I
C
= -7A ; V
CE
=-4V
I
E
=0 ; V
CB
=-10V;f=1MHz
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-4V;f=1MHz
10
2.3
30
-0.1
-2.0
-0.1
-2.0
-0.1
-2.0
-1.0
mA
mA
150
250
pF
兆赫
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2N6106 2N6108 2N6110
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
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226993-2
28C256-25I/K
2N524A
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