添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第284页 > 2N6102
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2N6102 2N6103
描述
·带
的TO-220封装
2N6102
短针型
应用
For
在通用放大器使用
和切换应用程序
钉扎
针
1
2
3
描述
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑
固电
IN
导½
半
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
SEM
NG
HA
C
T
C
=25℃
发射极开路
开基
ND
ICO
条件
器
UC
价值
45
45
8
16
75
150
-65~150
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
集电极开路
总功耗
结温
储存温度
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
最大
1.67
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
2N6102 2N6103
民
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
45
V
V
CEsat-1
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=5A;I
B
=0.5A
1.3
V
V
CEsat-2
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=15A;I
B
=5A
3.5
V
V
BE-1
基射极电压上
I
C
= 5A ; V
CE
=4V
1.3
V
V
BE-2
基射极电压上
I
C
= 15A ; V
CE
=4V
V
CB
=额定V
CBO
;I
E
=0
T
C
=150℃
V
EB
= 8V ;我
C
=0
3.5
0.5
2.0
V
I
CBO
集电极截止电流
mA
I
EBO
h
FE-1
电半
固
直流电流增益
直流电流增益
发射极截止电流
导½
I
C
= 8A ; V
CE
=4V
h
FE-2
f
T
跃迁频率
IN
NG
HA
C
SEM
I
C
= 15A ; V
CE
=4V
ND
ICO
器
UC
15
80
5
0.8
1.0
mA
I
C
= 1A ; V
CE
=10V
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6102 2N6103
固电
IN
导½
半
SEM
NG
HA
C
ND
ICO
器
UC
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2N6102 2N6103
描述
·带
的TO-220封装
2N6102
短针型
应用
For
在通用放大器使用
和切换应用程序
钉扎
针
1
2
3
描述
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
45
45
8
16
75
150
-65~150
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
最大
1.67
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
2N6102 2N6103
民
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
45
V
V
CEsat-1
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=5A;I
B
=0.5A
1.3
V
V
CEsat-2
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=15A;I
B
=5A
3.5
V
V
BE-1
基射极电压上
I
C
= 5A ; V
CE
=4V
1.3
V
V
BE-2
基射极电压上
I
C
= 15A ; V
CE
=4V
V
CB
=额定V
CBO
;I
E
=0
T
C
=150℃
V
EB
= 8V ;我
C
=0
3.5
0.5
2.0
1.0
V
I
CBO
集电极截止电流
mA
I
EBO
发射极截止电流
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 8A ; V
CE
=4V
15
80
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 15A ; V
CE
=4V
5
f
T
跃迁频率
I
C
= 1A ; V
CE
=10V
0.8
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6102 2N6103
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
2N6102 2N6103
描述
·带
的TO-220封装
2N6102
短脚
应用
For
在通用放大器使用
和切换应用程序
钉扎
针
1
2
3
描述
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
45
45
8
16
75
150
-65~150
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
最大
1.67
单位
℃/W
JMnic
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
2N6102 2N6103
民
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压sustioning
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
45
V
V
CEsat-1
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=5A;I
B
=0.5A
1.3
V
V
CEsat-2
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=15A;I
B
=5A
3.5
V
V
BE-1
基射极电压上
I
C
= 5A ; V
CE
=4V
1.3
V
V
BE-2
基射极电压上
I
C
= 15A ; V
CE
=4V
V
CB
=额定V
CBO
;I
E
=0
T
C
=150℃
V
EB
= 8V ;我
C
=0
3.5
0.5
2.0
1.0
V
I
CBO
集电极截止电流
mA
I
EBO
发射极截止电流
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 8A ; V
CE
=4V
15
80
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 15A ; V
CE
=4V
5
f
T
跃迁频率
I
C
= 1A ; V
CE
=10V
0.8
兆赫
JMnic
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6102 2N6103
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
JMnic
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2N6102 2N6103
描述
·采用TO- 220封装
·短脚2N6102型
应用
·对于通用放大器使用
和切换应用程序
钉扎
针
1
2
3
描述
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
45
45
8
16
75
150
-65~150
单位
V
V
V
A
W
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
最大
1.67
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
基射极电压上
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
I
C
=5A;I
B
=0.5A
I
C
=16A;I
B
=3.2A
I
C
= 5A ; V
CE
=4V
I
C
= 16A ; V
CE
=4V
V
CB
=额定V
CBO
;I
E
=0
T
C
=150
V
EB
= 8V ;我
C
=0
I
C
= 8A ; V
CE
=4V
I
C
= 15A ; V
CE
=4V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=4V
2N6102 2N6103
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CE
(sat-1)
V
CE
(sat-2)
V
BE-1
V
BE-2
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
民
45
典型值。
最大
单位
V
1.3
2.5
1.3
3.5
0.5
2.0
1.0
15
5
0.8
80
V
V
V
V
mA
mA
兆赫
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6102 2N6103
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
查看更多2N6102PDF信息
推荐型号
2SJ203
251B12F253C2TB
22-43-6080
20CTH03-1TRLPBF
2-1103202-3
2SA1030
2SA1641T
22-28-5052
2SK2052-R
2SK2052R
2SD1804L-T-TN3-R
206-212ST
2SK2141
2SB544D
24AA01T-E/OT
2.5MSFW16
28C010TRT1FS-20
201RHT1506P
2SA1978(NE97833)
211000018
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2N6102
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
2N6102
ON/安森美
2443+
23000
TO-220
一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳市芯满林科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息

电话：18926544209/18025435189
联系人：夏小姐/朱先生
地址：深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514
2N6102
ON/安森美
24+
32000
TO-220
百分百原装现货，价格优势，欢迎查询！
德国显周集团有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号2-1-1102
2N6102
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8621
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
德国显周集团有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号2-1-1102
2N6102
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8740
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2433532182 复制

电话：0755-23607529/23603360/83258002
联系人：江先生
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813
2N6102
SOL,SSI,STC
2015+
6000
TO-220
香港原装现货 3-5天
查询更多2N6102供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！