INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2N6098 2N6099 2N6100 2N6101
描述
·带
的TO-220封装
高
电流能力
应用
For
在通用放大器使用
和切换应用程序
钉扎
针
1
2
3
描述
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
参数
2N6098
2N6099
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N6100
2N6101
2N6098
2N6099
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N6100
2N6101
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
80
80
8
10
75
150
-65~150
V
A
W
℃
℃
发射极开路
80
80
70
70
V
条件
价值
70
70
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
最大
1.67
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
2N6098
2N6099
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
2N6100
2N6101
V
CEsat-1
V
CEsat-2
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
2N6098/6099
V
BE
基射极电压上
2N6100/6101
I
CBO
I
EBO
集电极截止电流
发射极截止电流
2N6098/6099
h
FE
直流电流增益
2N6100/6101
f
T
跃迁频率
2N6098 2N6099 2N6100 2N6101
条件
民
70
70
典型值。
最大
单位
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
80
80
I
C
=5A;I
B
=0.5A
I
C
=10A;I
B
=2.5A
I
C
= 4A ; V
CE
=4V
1.3
I
C
= 5A ; V
CE
=4V
V
CB
=额定V
CBO
;I
E
=0
T
C
=150℃
V
EB
= 8V ;我
C
=0
I
C
= 4A ; V
CE
=4V
20
I
C
= 5A ; V
CE
=4V
I
C
= 1A ; V
CE
=10V
0.8
80
0.5
2.0
1.0
1.3
3.5
V
V
V
V
mA
mA
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6098 2N6099 2N6100 2N6101
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2N6098 2N6099 2N6100 2N6101
描述
·采用TO- 220封装
·高电流能力
应用
·对于通用放大器使用
和切换应用程序
钉扎
针
1
2
3
描述
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
参数
2N6098
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N6099
2N6100
2N6101
2N6098
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N6099
2N6100
2N6101
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
70
70
80
80
70
70
80
80
8
10
75
150
-65~150
V
A
W
V
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
最大
1.67
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
2N6098
2N6099
2N6098 2N6099 2N6100 2N6101
符号
条件
民
70
70
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
2N6100
2N6101
80
80
I
C
=5A;I
B
=0.5A
I
C
=10A;I
B
=2.5A
I
C
= 4A ; V
CE
=4V
1.3
2N6100/6101
I
C
= 5A ; V
CE
=4V
V
CB
=额定V
CBO
;I
E
=0
T
C
=150
V
EB
= 8V ;我
C
=0
2N6098/6099
I
C
= 4A ; V
CE
=4V
20
2N6100/6101
I
C
= 5A ; V
CE
=4V
I
C
= 1A ; V
CE
=10V
0.8
80
0.5
2.0
1.0
1.3
3.5
V
V
CEsat-1
V
CEsat-2
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
2N6098/6099
V
V
V
BE
基射极电压上
V
I
CBO
I
EBO
集电极截止电流
发射极截止电流
mA
mA
h
FE
直流电流增益
f
T
跃迁频率
兆赫
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6098 2N6099 2N6100 2N6101
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2N6098 2N6099 2N6100 2N6101
描述
·带
的TO-220封装
高
电流能力
应用
For
在通用放大器使用
和切换应用程序
钉扎
针
1
2
3
描述
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
电半
固
IN
参数
导½
条件
2N6098
2N6099
2N6100
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
NG
HA
C
2N6101
2N6098
2N6099
MIC
SE
发射极开路
开基
集电极开路
ND
O
器
UC
价值
70
70
80
80
70
70
单位
V
V
80
80
8
10
V
A
W
℃
℃
2N6100
2N6101
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
75
150
-65~150
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
最大
1.67
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
2N6098
2N6099
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
2N6100
2N6101
V
CEsat-1
V
CEsat-2
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
2N6098/6099
V
BE
基射极电压上
2N6098 2N6099 2N6100 2N6101
条件
民
70
70
典型值。
最大
单位
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
80
80
I
C
=5A;I
B
=0.5A
I
C
=10A;I
B
=2.5A
I
C
= 4A ; V
CE
=4V
1.3
I
C
= 5A ; V
CE
=4V
V
CB
=额定V
CBO
;I
E
=0
T
C
=150℃
V
EB
= 8V ;我
C
=0
1.3
3.5
V
V
V
I
CBO
I
EBO
固电
IN
集电极截止电流
导½
半
V
2N6100/6101
发射极截止电流
h
FE
直流电流增益
SEM
NG
HA
C
2N6098/6099
2N6100/6101
I
C
= 4A ; V
CE
=4V
ND
ICO
器
UC
0.5
2.0
1.0
20
80
mA
mA
I
C
= 5A ; V
CE
=4V
0.8
兆赫
f
T
跃迁频率
I
C
= 1A ; V
CE
=10V
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6098 2N6099 2N6100 2N6101
固电
IN
导½
半
SEM
NG
HA
C
ND
ICO
器
UC
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
2N6098 2N6099 2N6100 2N6101
描述
·带
的TO-220封装
应用
For
在通用放大器使用
和切换应用程序
钉扎
针
1
2
3
描述
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
参数
2N6098
2N6099
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N6100
2N6101
2N6098
2N6099
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N6100
2N6101
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
80
80
8
10
75
150
-65~150
V
A
W
℃
℃
发射极开路
80
80
70
70
V
条件
价值
70
70
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
最大
1.67
单位
℃/W
JMnic
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
2N6098
2N6099
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
sustioning电压
2N6100
2N6101
V
CEsat-1
V
CEsat-2
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
2N6098/6099
V
BE
基射极电压上
2N6100/6101
I
CBO
I
EBO
集电极截止电流
发射极截止电流
2N6098/6099
h
FE
直流电流增益
2N6100/6101
f
T
跃迁频率
2N6098 2N6099 2N6100 2N6101
条件
民
70
70
典型值。
最大
单位
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
80
80
I
C
=5A;I
B
=0.5A
I
C
=10A;I
B
=2.5A
I
C
= 4A ; V
CE
=4V
1.3
I
C
= 5A ; V
CE
=4V
V
CB
=额定V
CBO
;I
E
=0
T
C
=150℃
V
EB
= 8V ;我
C
=0
I
C
= 4A ; V
CE
=4V
20
I
C
= 5A ; V
CE
=4V
I
C
= 1A ; V
CE
=10V
0.8
80
0.5
2.0
1.0
1.3
3.5
V
V
V
V
mA
mA
兆赫
JMnic
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6098 2N6099 2N6100 2N6101
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
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