UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
2N60L
2安培， 600/650伏特
N沟道MOSFET
描述
在UTC
2N60L
是一个高电压MOSFET ，并设计成
有更好的特性，如快速开关时间，低门
电荷，低通态电阻，并具有高耐用
雪崩特性。这种功率MOSFET通常用在
高速开关电源中的应用， PWM马达
控制，高效率的直流 - 直流转换器和电桥电路。
功率MOSFET
特点
* R
DS （ ON）
= 5@V
GS
= 10V
*超低栅极电荷（典型值9.0nC ）
*低反向传输电容（C
RSS
=典型5.0 pF的）
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力，高耐用性
*无铅电镀产品编号： 2N60LL
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
包
正常
无铅电镀
2N60L-x-TA3-T
2N60LL-x-TA3-T
TO-220
2N60L-x-TF3-T
2N60LL-x-TF3-T
TO-220F
2N60L-x-TM3-T
2N60LL-x-TM3-T
TO-251
2N60L-x-TN3-R
2N60LL-x-TN3-R
TO-252
2N60L-x-TN3-T
2N60LL-x-TN3-T
TO-252
注：引脚分配： G：门D：漏极S：源
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
填料
管
管
管
带盘
管
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2008 Unisonic技术有限公司
1第8
QW-R502-182,A
2N60L
绝对最大额定值
(
T
C
= 25 ℃ ，除非另有规定）
参数
符号
功率MOSFET
评级
单位
2N60L-A
600
V
漏源电压
V
DSS
2N60L-B
650
V
栅源电压
V
GSS
±30
V
雪崩电流（注1 ）
I
AR
2.0
A
T
C
= 25°C
2.0
A
漏电流连续
I
D
T
C
= 100°C
1.26
A
漏电流脉冲（注1 ）
I
DP
8.0
A
单脉冲（注2 ）
E
AS
140
mJ
雪崩能量
4.5
mJ
重复（注1 ）
E
AR
峰值二极管恢复的dv / dt （注3 ）
dv / dt的
4.5
V / ns的
TO-220
32
W
TO-220F
9
W
总功耗
P
D
TO-251
25
W
TO-252
20
W
结温
T
J
+150
℃
工作温度
T
OPR
-55 ~ +150
℃
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
℃
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
参数
热阻结到环境
包
TO-251
TO-252
TO-220
TO-220F
TO-251
TO-252
TO-220
TO-220F
符号
θ
JA
评级
65
58
43
38
5
6
4
12
单位
℃/W
热阻结案件
θ
Jc
电气特性
(T
J
= 25 ℃ ，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
2N60L-A
2N60L-B
符号
BV
DSS
I
DSS
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
民
600
650
10
100
-100
0.4
2.0
3.8
270
40
5
4.0
5
350
50
7
典型最大单位
V
V
A
nA
nA
V/℃
V
pF
pF
pF
击穿电压温度
系数
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
前锋
V
GS
= 30V, V
DS
= 0V
I
GSS
反向
V
GS
= -30V, V
DS
= 0V
I
D
= 250 μA ，参考
ΔBV
DSS
/
△
T
J
25°C
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
=1A
V
DS
=25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
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2第8
QW-R502-182,A
2N60L
电气特性（续）
参数
符号
测试条件
开关特性
导通延迟时间
t
D（上）
开启上升时间
t
R
V
DD
= 300V ，我
D
= 2.4A ，R
G
=25
（注4,5）
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
总栅极电荷
Q
G
V
DS
=480V, V
GS
= 10V ，我
D
=2.4A
栅极 - 源电荷
Q
GS
（注
4,
5)
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
漏源二极管的特性
漏源二极管的正向电压
V
SD
V
GS
= 0 V，I
SD
= 2.0 A
连续漏 - 源电流
I
SD
脉冲漏源电流
I
SM
反向恢复时间
t
RR
V
GS
= 0 V，I
SD
= 2.4A,
的di / dt = 100 A / μs的（注4 ）
反向恢复电荷
Q
RR
注： 1，重复评级：脉冲宽度限制T
J
2， L = 64mH ，我
AS
= 2.0A ，V
DD
= 50V ，R
G
=25
,
起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
≤
2.4A ， di / dt的
≤200A/s,
V
DD
≤
BV
DSS
，起始物为
J
= 25°C
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
5.基本上是独立工作温度
功率MOSFET
民
典型最大单位
10
25
20
25
9.0
1.6
4.3
30
60
50
60
11
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
A
A
ns
C
1.4
2.0
8.0
180
0.72
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3 8
QW-R502-182,A
2N60L
测试电路和波形
功率MOSFET
D.U.T.
+
V
DS
-
+
-
L
R
G
司机
V
GS
同一类型
作为D.U.T.
* dv / dt的由R控制
G
* I
SD
通过脉冲周期控制
* D.U.T. -测试设备
V
DD
图。 1A峰值二极管恢复dv / dt的测试电路
V
GS
（驱动器）
期
P.W.
D=
P. W.
期
V
GS
= 10V
I
FM
，体二极管正向电流
I
SD
（ D.U.T. ）
I
RM
体二极管反向电流
的di / dt
体二极管恢复的dv / dt
V
DS
（ D.U.T. ）
V
DD
体二极管
正向电压降
图。 1B峰值二极管恢复dv / dt的波形
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2N60L
测试电路和波形（续）
功率MOSFET
图。 2A开关测试电路
图。 2B的开关波形
图。 3A栅极电荷测试电路
图。 3B栅极电荷波形
图。 4A非钳位感应开关测试电路
图。 4B非钳位感应开关波形
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