【UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。， LTD。2N60L2安培， 600/650】,IC型号2N60L-B-TN3-R,2N60L-B-TN3-R PDF资料,2N60L-B-TN3-R经销商,ic,电子元器件-51电子网

UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。， LTD。

2N60L

2安培， 600/650伏特

N沟道MOSFET

描述

在UTC

2N60L

是一个高电压MOSFET ，并设计成

有更好的特性，如快速开关时间，低门

电荷，低通态电阻，并具有高耐用

雪崩特性。这种功率MOSFET通常用在

高速开关电源中的应用， PWM马达

控制，高效率的直流 - 直流转换器和电桥电路。

功率MOSFET

特点

* R

DS （ ON）

= 5@V

= 10V

*超低栅极电荷（典型值9.0nC ）

*低反向传输电容（C

RSS

=典型5.0 pF的）

*快速开关能力

*较高的雪崩能量

*改进dv / dt能力，高耐用性

*无铅电镀产品编号： 2N60LL

符号

2.Drain

1.Gate

3.Source

订购信息

订购数量

包

正常

无铅电镀

2N60L-x-TA3-T

2N60LL-x-TA3-T

TO-220

2N60L-x-TF3-T

2N60LL-x-TF3-T

TO-220F

2N60L-x-TM3-T

2N60LL-x-TM3-T

TO-251

2N60L-x-TN3-R

2N60LL-x-TN3-R

TO-252

2N60L-x-TN3-T

2N60LL-x-TN3-T

TO-252

注：引脚分配： G：门D：漏极S：源

引脚分配

填料

管

带盘

管

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2008 Unisonic技术有限公司

1第8

QW-R502-182,A

2N60L

绝对最大额定值

(

= 25 ℃ ，除非另有规定）

参数

符号

功率MOSFET

评级

单位

2N60L-A

600

漏源电压

DSS

2N60L-B

650

栅源电压

GSS

±30

雪崩电流（注1 ）

2.0

= 25°C

2.0

漏电流连续

= 100°C

1.26

漏电流脉冲（注1 ）

8.0

单脉冲（注2 ）

140

雪崩能量

4.5

重复（注1 ）

峰值二极管恢复的dv / dt （注3 ）

dv / dt的

4.5

V / ns的

TO-220

TO-220F

总功耗

TO-251

TO-252

结温

+150

℃

工作温度

OPR

-55 ~ +150

℃

储存温度

英镑

-55 ~ +150

℃

注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。

绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。

热数据

参数

热阻结到环境

包

TO-251

TO-252

TO-220

TO-220F

TO-251

TO-252

TO-220

TO-220F

符号

评级

单位

℃/W

热阻结案件

电气特性

= 25 ℃ ，除非另有规定）

参数

开关特性

漏源击穿电压

漏极 - 源极漏电流

栅极 - 源极漏电流

2N60L-A

2N60L-B

符号

DSS

测试条件

= 0V时，我

= 250A

民

600

650

100

-100

0.4

2.0

3.8

270

4.0

350

典型最大单位

V/℃

击穿电压温度

系数

基本特征

栅极阈值电压

静态漏源导通电阻

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

= 600V, V

= 0V

前锋

= 30V, V

= 0V

GSS

反向

= -30V, V

= 0V

= 250 μA ，参考

ΔBV

DSS

△

25°C

GS （ TH）

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

= V

, I

= 250A

= 10V ，我

=1A

=25V, V

= 0V ， F = 1MHz的

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2第8

QW-R502-182,A

2N60L

电气特性（续）

参数

符号

测试条件

开关特性

导通延迟时间

D（上）

开启上升时间

= 300V ，我

= 2.4A ，R

=25

（注4,5）

打开-O FF延迟时间

D（关闭）

关断下降时间

总栅极电荷

=480V, V

= 10V ，我

=2.4A

栅极 - 源电荷

（注

栅极 - 漏极电荷

漏源二极管的特性

漏源二极管的正向电压

= 0 V，I

= 2.0 A

连续漏 - 源电流

脉冲漏源电流

反向恢复时间

= 0 V，I

= 2.4A,

的di / dt = 100 A / μs的（注4 ）

反向恢复电荷

注： 1，重复评级：脉冲宽度限制T

2， L = 64mH ，我

= 2.0A ，V

= 50V ，R

=25

起始物为

= 25°C

3. I

≤

2.4A ， di / dt的

≤200A/s,

≤

DSS

，起始物为

= 25°C

4.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300μS ，占空比

≤

5.基本上是独立工作温度

功率MOSFET

民

典型最大单位

9.0

1.6

4.3

1.4

2.0

8.0

180

0.72

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3 8

QW-R502-182,A

2N60L

测试电路和波形

功率MOSFET

D.U.T.

司机

同一类型

作为D.U.T.

* dv / dt的由R控制

* I

通过脉冲周期控制

* D.U.T. -测试设备

图。 1A峰值二极管恢复dv / dt的测试电路

（驱动器）

期

P.W.

P. W.

期

= 10V

，体二极管正向电流

（ D.U.T. ）

体二极管反向电流

的di / dt

体二极管恢复的dv / dt

（ D.U.T. ）

体二极管

正向电压降

图。 1B峰值二极管恢复dv / dt的波形

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4 8

QW-R502-182,A

2N60L

测试电路和波形（续）

功率MOSFET

图。 2A开关测试电路

图。 2B的开关波形

图。 3A栅极电荷测试电路

图。 3B栅极电荷波形

图。 4A非钳位感应开关测试电路

图。 4B非钳位感应开关波形

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5 8

QW-R502-182,A

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